半導體結構及其製造方法
    9.
    发明专利
    半導體結構及其製造方法 审中-公开
    半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号:TW201508886A

    公开(公告)日:2015-03-01

    申请号:TW103122104

    申请日:2014-06-26

    IPC分类号: H01L23/488 H01L21/60

    摘要: 一種半導體結構的製造方法包含下列步驟:提供晶圓結構,其中晶圓結構具有晶圓與覆蓋晶圓的保護層。形成圖案化的光阻層於晶圓相對保護層的表面上。蝕刻晶圓,使晶圓形成複數個通道,且保護層由通道露出。蝕刻保護層,使保護層形成對準通道的複數個開口。保護層中的複數個焊墊分別露出於開口與通道,且每一開口的口徑朝對應的通道的方向逐漸增大。蝕刻晶圓環繞通道的複數個側表面,使通道擴大而分別形成複數個鏤空區。每一鏤空區的口徑朝對應的開口的方向逐漸減小,且每一開口的口徑小於對應的鏤空區的口徑。

    简体摘要: 一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:提供晶圆结构,其中晶圆结构具有晶圆与覆盖晶圆的保护层。形成图案化的光阻层于晶圆相对保护层的表面上。蚀刻晶圆,使晶圆形成复数个信道,且保护层由信道露出。蚀刻保护层,使保护层形成对准信道的复数个开口。保护层中的复数个焊垫分别露出于开口与信道,且每一开口的口径朝对应的信道的方向逐渐增大。蚀刻晶圆环绕信道的复数个侧表面,使信道扩大而分别形成复数个镂空区。每一镂空区的口径朝对应的开口的方向逐渐减小,且每一开口的口径小于对应的镂空区的口径。