公开(公告)号：TW201638293A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105104635

申请日：2016-02-17

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 克拉吉奈克 簡 ,  KRAJNIAK, JAN ,  哈里爾琴 坦納茲 ,  HARIRCHIAN, TANNAZ ,  洛夫葛哥 凱利P ,  LOFGREEN, KELLY P. ,  瑪塔耶巴斯 小詹姆斯C ,  MATAYABAS, JR., JAMES C. ,  拉拉維卡 納西凱特R ,  RARAVIKAR, NACHIKET R. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： C09K5/02 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427

CPC分类号： H01L23/427 ,  C09K5/02 ,  H01L21/77 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 本文揭示之實施例描述用於熱管理之儲能材料及其相關技術與組配。於一個實施例中，一儲能材料可包括一有機基質及分散於該有機基質中之一固-固相變材料，於與一積體電路(IC)晶粒之操作相關聯的一臨界溫度該固-固相變材料改變結晶結構及吸收熱能同時維持一固體。可描述及/或請求其它實施例之專利。

简体摘要： 本文揭示之实施例描述用于热管理之储能材料及其相关技术与组配。于一个实施例中，一储能材料可包括一有机基质及分散于该有机基质中之一固-固相变材料，于与一集成电路(IC)晶粒之操作相关联的一临界温度该固-固相变材料改变结晶结构及吸收热能同时维持一固体。可描述及/或请求其它实施例之专利。

公开(公告)号：TWI508242B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW101145639

申请日：2012-12-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 麥可 德班拉 ,  MALLIK, DEBENDRA ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/11

公开(公告)号：TWI605528B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105126431

申请日：2011-10-27

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 古札克 約翰S ,  GUZEK, JOHN S. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  市川欣也 ,  ICHIKAWA, KINYA ,  富田佳宏 ,  TOMITA, YOSHIHIRO ,  久保田次郎 ,  KUBOTA, JIRO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201719831A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105121418

申请日：2016-07-06

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  艾弗拉姆三世 艾倫A ,  OVROM III, ALLAN A. ,  史塔克史東 羅伯特 ,  STARKSTON, ROBERT ,  艾雷德 歐倫 ,  ARAD, OREN

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49894 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244

摘要： 本案的具體例可關於一種封裝，其包括一封裝基板，該基板具有在該封裝基板的一第一側上的一第一晶粒與在該封裝基板的一第二側上的一第二晶粒。焊球可與該封裝基板的該第二側和該第二晶粒耦合，俾使該焊球係大約共平面。可說明及/或主張其他具體例。

简体摘要： 本案的具体例可关于一种封装，其包括一封装基板，该基板具有在该封装基板的一第一侧上的一第一晶粒与在该封装基板的一第二侧上的一第二晶粒。焊球可与该封装基板的该第二侧和该第二晶粒耦合，俾使该焊球系大约共平面。可说明及/或主张其他具体例。

公开(公告)号：TW201613040A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104125649

申请日：2015-08-06

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  索比斯基 丹尼爾N ,  SOBIESKI, DANIEL N. ,  波野帕提 斯里倫加S ,  BOYAPATI, SRI RANGA SAI

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K1/162 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0017 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/10015

摘要： 揭示嵌入式薄膜電容器及其製造方法。嵌入式薄膜電容器包括由一介電層隔開的兩片導電板。於實施例中，電容器係封在一封裝體基體內部。一種形成嵌入式薄膜電容器之方法包括在一底板上形成一第一絕緣層及一第一線跡。然後一第一開口形成於一第一絕緣層以暴露一底板之一第一區域。然後一黏著層形成於第一絕緣層上及底板之該暴露出的第一區域頂上。一第二開口形成貫穿該絕緣層及該第一絕緣層以暴露該底板之一第二區域。一頂板係形成於該第一開口內部及一通孔係形成於該第二開口內部。

简体摘要： 揭示嵌入式薄膜电容器及其制造方法。嵌入式薄膜电容器包括由一介电层隔开的两片导电板。于实施例中，电容器系封在一封装体基体内部。一种形成嵌入式薄膜电容器之方法包括在一底板上形成一第一绝缘层及一第一线迹。然后一第一开口形成于一第一绝缘层以暴露一底板之一第一区域。然后一黏着层形成于第一绝缘层上及底板之该暴露出的第一区域顶上。一第二开口形成贯穿该绝缘层及该第一绝缘层以暴露该底板之一第二区域。一顶板系形成于该第一开口内部及一通孔系形成于该第二开口内部。

公开(公告)号：TWI669384B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW105104635

申请日：2016-02-17

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 克拉吉奈克 簡 ,  KRAJNIAK, JAN ,  哈里爾琴 坦納茲 ,  HARIRCHIAN, TANNAZ ,  洛夫葛哥 凱利P ,  LOFGREEN, KELLY P. ,  瑪塔耶巴斯 小詹姆斯C ,  MATAYABAS, JR., JAMES C. ,  拉拉維卡 納西凱特R ,  RARAVIKAR, NACHIKET R. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： C09K5/02 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427

公开(公告)号：TW201731070A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105134427

申请日：2016-10-25

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史塔克史東 羅伯特 ,  STARKSTON, ROBERT ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  莫克勒 史考特M ,  MOKLER, SCOTT M. ,  史塔米 理查C ,  STAMEY, RICHARD C.

IPC分类号： H01L25/16

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5383 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345

摘要： 混合式微電子基材可藉將高密度微電子補綴基材結合入較低密度微電子基材內部形成。混合式微電子基材可允許具有高密度互連的微電子裝置直接覆晶附接至該混合式微電子基材的該高密度微電子補綴基材部分，同時使得在不要求高密度互連之區域能有較低密度的互連及電氣路徑。

简体摘要： 混合式微电子基材可藉将高密度微电子补缀基材结合入较低密度微电子基材内部形成。混合式微电子基材可允许具有高密度互连的微电子设备直接覆晶附接至该混合式微电子基材的该高密度微电子补缀基材部分，同时使得在不要求高密度互连之区域能有较低密度的互连及电气路径。

公开(公告)号：TW201724297A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105126431

申请日：2011-10-27

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 古札克 約翰S ,  GUZEK, JOHN S. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  市川欣也 ,  ICHIKAWA, KINYA ,  富田佳宏 ,  TOMITA, YOSHIHIRO ,  久保田次郎 ,  KUBOTA, JIRO

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： 一種包含有一個基體的一個包封晶粒，該基體包含一第一表面、一相對第二表面和數個中介側表面，並且有數個主動裝置位在該基體之該第一表面處。該等主動裝置係由多個導電層連接，該等多個導電層由多個電絕緣層分開。有一個保護帽體位在該基體的該第一表面之上，含有在其一個表面處暴露出來的一個互連結構。在另一個實施例中，一個微電子封裝體包含一個封裝體基體，其具有嵌入在內的一個包封晶粒，例如上面所述的包封晶粒。

简体摘要： 一种包含有一个基体的一个包封晶粒，该基体包含一第一表面、一相对第二表面和数个中介侧表面，并且有数个主动设备位在该基体之该第一表面处。该等主动设备系由多个导电层连接，该等多个导电层由多个电绝缘层分开。有一个保护帽体位在该基体的该第一表面之上，含有在其一个表面处暴露出来的一个互链接构。在另一个实施例中，一个微电子封装体包含一个封装体基体，其具有嵌入在内的一个包封晶粒，例如上面所述的包封晶粒。

公开(公告)号：TW201701426A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105112971

申请日：2016-04-26

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李奎五 ,  LEE, KYU-OH ,  沙拉瑪 伊斯蘭A ,  SALAMA, ISLAM A. ,  維斯瓦納斯 倫恩S ,  VISWANATH, RAM S. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  薩比 巴巴克 ,  SABI, BABAK ,  查瓦里 斯里查伊特拉J ,  CHAVALI, SRI CHAITRA JYOTSNA

IPC分类号： H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/15311

摘要： 本案所揭示的是用於堆疊式封裝(PoP)之具有凹入式傳導接點的積體電路(IC)結構。舉例來說，一IC結構可包括：具有一第一抗蝕表面的一IC封裝；設置在該第一抗蝕表面內的一凹處，其中該凹處的一底部包括一第二抗蝕表面；位於該第一抗蝕表面的一第一複數個傳導接點；以及位在該第二抗蝕表面的一第二複數個傳導接點。可揭示及/或主張其他具體例。

简体摘要： 本案所揭示的是用于堆栈式封装(PoP)之具有凹入式传导接点的集成电路(IC)结构。举例来说，一IC结构可包括：具有一第一抗蚀表面的一IC封装；设置在该第一抗蚀表面内的一凹处，其中该凹处的一底部包括一第二抗蚀表面；位于该第一抗蚀表面的一第一复数个传导接点；以及位在该第二抗蚀表面的一第二复数个传导接点。可揭示及/或主张其他具体例。

公开(公告)号：TW201342549A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW101145639

申请日：2012-12-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 麥可 德班拉 ,  MALLIK, DEBENDRA ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/11

摘要： 本發明揭露帶有貫穿模具第一層級互連體之三維(3D)積體電路封裝及用以形成該等封裝之方法。例如，一半導體封裝體包括一基材。一底半導體晶粒具有帶有一表面積的一作用側。底半導體晶粒係以遠離該基材的該作用側耦合至該基材。一頂半導體晶粒具有一作用側，該作用側具有比該底半導體晶粒之表面積大之一表面積。該頂半導體晶粒係以靠近該基材的該作用側耦合至該基材。該底半導體晶粒之該作用側係面向且導電地耦合於該頂半導體晶粒之該作用側。該頂半導體晶粒係藉旁通該底半導體晶粒的多個第一層級互連體導電地耦合於該基材。

简体摘要： 本发明揭露带有贯穿模具第一层级互连体之三维(3D)集成电路封装及用以形成该等封装之方法。例如，一半导体封装体包括一基材。一底半导体晶粒具有带有一表面积的一作用侧。底半导体晶粒系以远离该基材的该作用侧耦合至该基材。一顶半导体晶粒具有一作用侧，该作用侧具有比该底半导体晶粒之表面积大之一表面积。该顶半导体晶粒系以靠近该基材的该作用侧耦合至该基材。该底半导体晶粒之该作用侧系面向且导电地耦合于该顶半导体晶粒之该作用侧。该顶半导体晶粒系藉旁通该底半导体晶粒的多个第一层级互连体导电地耦合于该基材。