公开(公告)号：TW201515189A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：TW103120535

申请日：2014-06-13

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 歐弗納 吉拉德 ,  OFNER, GERALD ,  梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN ,  曼科普夫 倫哈德 ,  MAHNKOPF, REINHARD ,  吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN ,  奧古斯汀 安卓斯 ,  AUGUSTIN, ANDREAS

IPC分类号： H01L25/18

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/10 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/053 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

摘要： 在實施例中，一種封裝總成可包括一特殊應用積體電路(ASIC)及一微機電系統(MEMS)，該微機電系統具有一作用側及一非作用側。在實施例中，該MEMS可藉由一或多個互連件直接耦接至該ASIC。該MEMS、該ASIC及該一或多個互連件可界定或形成一空腔，使得該MEMS之該作用部分處於該空腔內。在一些實施例中，該封裝總成可包括多個MEMS，該等多個MEMS藉由一或多個互連件中之多個直接耦接至該ASIC。本案可描述且/或主張其他實施例。

简体摘要： 在实施例中，一种封装总成可包括一特殊应用集成电路(ASIC)及一微机电系统(MEMS)，该微机电系统具有一作用侧及一非作用侧。在实施例中，该MEMS可借由一或多个互连件直接耦接至该ASIC。该MEMS、该ASIC及该一或多个互连件可界定或形成一空腔，使得该MEMS之该作用部分处于该空腔内。在一些实施例中，该封装总成可包括多个MEMS，该等多个MEMS借由一或多个互连件中之多个直接耦接至该ASIC。本案可描述且/或主张其他实施例。

公开(公告)号：TW201737427A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW105139925

申请日：2016-12-02

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 葛尼森 桑卡 ,  GANESAN, SANKA ,  梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN ,  歐弗納 吉拉德 ,  OFNER, GERALD

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭示積體電路(IC)封裝體以及相關結構及技術。在一些實施例中，一種IC封裝體可包括：一晶粒；一重佈結構，其中該晶粒經由第一層級互連件及焊料耦接至該重佈結構；一阻焊劑；以及第二層級互連件，其透過該阻焊劑中之開口耦接至該重佈結構。

简体摘要： 本发明揭示集成电路(IC)封装体以及相关结构及技术。在一些实施例中，一种IC封装体可包括：一晶粒；一重布结构，其中该晶粒经由第一层级互连件及焊料耦接至该重布结构；一阻焊剂；以及第二层级互连件，其透过该阻焊剂中之开口耦接至该重布结构。

公开(公告)号：TWI590403B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104118154

申请日：2015-06-04

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN ,  歐弗納 吉拉德 ,  OFNER, GERALD

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/492 ,  H01L21/58 ,  G06F1/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/54 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L25/065 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/1533 ,  H01L2924/15331 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：TWI585944B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW103120535

申请日：2014-06-13

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 歐弗納 吉拉德 ,  OFNER, GERALD ,  梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN ,  曼科普夫 倫哈德 ,  MAHNKOPF, REINHARD ,  吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN ,  奧古斯汀 安卓斯 ,  AUGUSTIN, ANDREAS

IPC分类号： H01L25/18

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/10 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/053 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201731026A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105134586

申请日：2016-10-26

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN ,  歐弗納 吉拉德 ,  OFNER, GERALD ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/568 ,  H01L22/12 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/76 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60292 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/18162

摘要： 所述為半導體封裝體以及形成此類封裝體之方法、系統、及裝備。一種形成一半導體封裝體之方法可包括有利用一模製化合物包封一半導體晶粒、在該晶粒與該模製化合物上塗敷一晶種層、在該晶種層上塗敷一阻劑層、曝露該阻劑層之一第一部分、以及曝露該阻劑層之一第二部分。該第一部分可包括有該阻劑層待用於形成一重新分布層(RDL)之一第一區，但不包括該阻劑層待用於在該等接觸墊其中至少一者與該RDL間形成一電氣通信路徑之一第二區。該第二部分可包括有該阻劑層之該第二區，其包括有該電氣通信路徑。

简体摘要： 所述为半导体封装体以及形成此类封装体之方法、系统、及装备。一种形成一半导体封装体之方法可包括有利用一模制化合物包封一半导体晶粒、在该晶粒与该模制化合物上涂敷一晶种层、在该晶种层上涂敷一阻剂层、曝露该阻剂层之一第一部分、以及曝露该阻剂层之一第二部分。该第一部分可包括有该阻剂层待用于形成一重新分布层(RDL)之一第一区，但不包括该阻剂层待用于在该等接触垫其中至少一者与该RDL间形成一电气通信路径之一第二区。该第二部分可包括有该阻剂层之该第二区，其包括有该电气通信路径。

公开(公告)号：TW201611221A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104118154

申请日：2015-06-04

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN ,  歐弗納 吉拉德 ,  OFNER, GERALD

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/492 ,  H01L21/58 ,  G06F1/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/54 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L25/065 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/1533 ,  H01L2924/15331 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 一種封裝體疊加堆疊式微電子結構包含一對以倒裝結構方式彼此連接的微電子封裝體。在一個實施例中，該封裝體疊加堆疊式微電子結構可以包含一第一和一第二微電子封裝體，各包含一具有至少一個形成於每一微電子封裝體基體之第一表面上之封裝體連接銲墊的基體，且各具有至少一個電氣連接到每一微電子封裝體基體第一表面的微電子裝置，其中，該第一和第二微電子封裝體是以至少一個延伸在該第一微電子封裝體連接銲墊與該第二微電子封裝體連接銲墊之間的封裝體-對-封裝體互連結構來彼此連接。

简体摘要： 一种封装体叠加堆栈式微电子结构包含一对以倒装结构方式彼此连接的微电子封装体。在一个实施例中，该封装体叠加堆栈式微电子结构可以包含一第一和一第二微电子封装体，各包含一具有至少一个形成于每一微电子封装体基体之第一表面上之封装体连接焊垫的基体，且各具有至少一个电气连接到每一微电子封装体基体第一表面的微电子设备，其中，该第一和第二微电子封装体是以至少一个延伸在该第一微电子封装体连接焊垫与该第二微电子封装体连接焊垫之间的封装体-对-封装体互链接构来彼此连接。