透明導電體以及透明導電體的製造方法
    4.
    发明专利
    透明導電體以及透明導電體的製造方法 审中-公开
    透明导电体以及透明导电体的制造方法

    公开(公告)号:TW201523649A

    公开(公告)日:2015-06-16

    申请号:TW103139139

    申请日:2014-11-12

    IPC分类号: H01B5/14 H01B13/00

    摘要: 本發明提供一種具備具有等向導電性的使用金屬奈米線的透明導電膜的透明導電體。第1透明導電體是具備基材及設置於該基材上的透明導電膜的透明導電體,所述基材含有光學等向性材料,所述透明導電膜包含金屬奈米線,且TD方向與MD方向上的表面電阻值的比(TD/MD)為0.6以上且小於1.5。第2透明導電體是具備基材、設置於該基材上的中間層、及設置於該中間層上的透明導電膜的透明導電體,所述中間層含有光學等向性材料,所述透明導電膜包含金屬奈米線,且TD方向與MD方向上的表面電阻值的比(TD/MD)為0.6以上且小於1.5。

    简体摘要: 本发明提供一种具备具有等向导电性的使用金属奈米线的透明导电膜的透明导电体。第1透明导电体是具备基材及设置于该基材上的透明导电膜的透明导电体,所述基材含有光学等向性材料,所述透明导电膜包含金属奈米线,且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。第2透明导电体是具备基材、设置于该基材上的中间层、及设置于该中间层上的透明导电膜的透明导电体,所述中间层含有光学等向性材料,所述透明导电膜包含金属奈米线,且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。

    光學積層體
    5.
    发明专利
    光學積層體 审中-公开
    光学积层体

    公开(公告)号:TW201515840A

    公开(公告)日:2015-05-01

    申请号:TW103134061

    申请日:2014-09-30

    摘要: 本發明提供一種具備基材層與硬塗層,防止干涉斑,且具有充分之硬度之光學積層體。 本發明之光學積層體具備:基材層,其係由熱塑性樹脂膜形成;及硬塗層,其係將包含分子量為600~2500之硬化性化合物與折射率為1.50以上之高折射率微粒子的硬塗層形成用組合物塗佈於該熱塑性樹脂膜而形成;且該硬塗層包含該硬塗層形成用組合物向該熱塑性樹脂膜滲透而形成之滲透區域,該高折射率微粒子於該硬塗層中以濃度自未設置該基材層之側之表面向厚度方向連續變低之方式偏析。

    简体摘要: 本发明提供一种具备基材层与硬涂层,防止干涉斑,且具有充分之硬度之光学积层体。 本发明之光学积层体具备:基材层,其系由热塑性树脂膜形成;及硬涂层,其系将包含分子量为600~2500之硬化性化合物与折射率为1.50以上之高折射率微粒子的硬涂层形成用组合物涂布于该热塑性树脂膜而形成;且该硬涂层包含该硬涂层形成用组合物向该热塑性树脂膜渗透而形成之渗透区域,该高折射率微粒子于该硬涂层中以浓度自未设置该基材层之侧之表面向厚度方向连续变低之方式偏析。

    成形體、其製造方法、電子裝置元件以及電子裝置
    10.
    发明专利
    成形體、其製造方法、電子裝置元件以及電子裝置 审中-公开
    成形体、其制造方法、电子设备组件以及电子设备

    公开(公告)号:TW201012644A

    公开(公告)日:2010-04-01

    申请号:TW098127813

    申请日:2009-08-19

    IPC分类号: B32B C23C

    摘要: 本發明係一種成形體、其製造方法、由該成形體所組成之電子裝置元件、以及包括該電子裝置元件之電子裝置,係具有由至少包含氧原子、碳原子和矽原子之材料而構成之氣體障蔽層的成形體,其特徵在於:由該氣體障蔽層之表面開始朝向至深度方向,逐漸地減少層中之氧原子之存在比例,逐漸地增加碳原子之存在比例。如果藉由本發明的話,則提供具有良好之氣體障蔽性和透明性之成形體、其製造方法、由該成形體所組成之電子裝置元件、以及包括該電子裝置元件之電子裝置。

    简体摘要: 本发明系一种成形体、其制造方法、由该成形体所组成之电子设备组件、以及包括该电子设备组件之电子设备,系具有由至少包含氧原子、碳原子和硅原子之材料而构成之气体障蔽层的成形体,其特征在于:由该气体障蔽层之表面开始朝向至深度方向,逐渐地减少层中之氧原子之存在比例,逐渐地增加碳原子之存在比例。如果借由本发明的话,则提供具有良好之气体障蔽性和透明性之成形体、其制造方法、由该成形体所组成之电子设备组件、以及包括该电子设备组件之电子设备。