公开(公告)号：TW201128759A

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：TW100104257

申请日：2011-02-09

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 顏裕林 ,  楊銘堃 ,  劉滄宇 ,  尤龍生

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明一實施例提供一種晶片封裝體，包括：一基底，具有一上表面及一下表面；一孔洞，自該基底之該上表面朝該下表面延伸；一絕緣層，位於該孔洞之側壁上；以及一材料層，位於該孔洞之該側壁上，其中該材料層與該基底之該上表面之間隔有一距離，且該材料層之厚度朝該下表面之方向遞減。

简体摘要： 本发明一实施例提供一种芯片封装体，包括：一基底，具有一上表面及一下表面；一孔洞，自该基底之该上表面朝该下表面延伸；一绝缘层，位于该孔洞之侧壁上；以及一材料层，位于该孔洞之该侧壁上，其中该材料层与该基底之该上表面之间隔有一距离，且该材料层之厚度朝该下表面之方向递减。

公开(公告)号：TWM390545U

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：TW098220979

申请日：2009-11-12

申请人： 茂邦電子有限公司

发明人： 盧旋瑜 ,  朱貴武 ,  梁裕民

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一種具佈局結構之積體電路，其包含一面上具多數接點之晶粒；一疊設於晶粒一面上之第一介電層，其具有分別對應各接點之第一開口；一疊設於第一介電層一面上之第二介電層，其具有分別對應各第一開口之第二開口；至少一設於第一及第二開口中且與各接點連接之重置佈線層；一疊設於第二介電層與重置佈線層一面上之防焊層，其具有多數對應重置佈線層之穿孔；以及多數設於各穿孔中且分別連接重置佈線層之錫球。藉此，可使該積體電路達到提高元件可靠度以及易於製作之功效。 【創作特點】 本創作之主要目的係在於，可使該積體電路達到提高元件可靠度以及易於製作之功效。
為達上述之目的，本創作係一種具佈局結構之積體電路，包含有一面上具多數接點之晶粒；一疊設於晶粒一面上之第一介電層，其具有分別對應各接點之第一開口；一疊設於第一介電層一面上之第二介電層，其具有分別對應各第一開口之第二開口；至少一設於第一及第二開口中且與各接點連接之重置佈線層；一疊設於第二介電層與重置佈線層一面上之防焊層，其具有多數對應重置佈線層之穿孔；以及多數設於各穿孔中且分別連接重置佈線層之錫球。

简体摘要： 一种具布局结构之集成电路，其包含一面上具多数接点之晶粒；一叠设于晶粒一面上之第一介电层，其具有分别对应各接点之第一开口；一叠设于第一介电层一面上之第二介电层，其具有分别对应各第一开口之第二开口；至少一设于第一及第二开口中且与各接点连接之重置布线层；一叠设于第二介电层与重置布线层一面上之防焊层，其具有多数对应重置布线层之穿孔；以及多数设于各穿孔中且分别连接重置布线层之锡球。借此，可使该集成电路达到提高组件可靠度以及易于制作之功效。 【创作特点】 本创作之主要目的系在于，可使该集成电路达到提高组件可靠度以及易于制作之功效。 为达上述之目的，本创作系一种具布局结构之集成电路，包含有一面上具多数接点之晶粒；一叠设于晶粒一面上之第一介电层，其具有分别对应各接点之第一开口；一叠设于第一介电层一面上之第二介电层，其具有分别对应各第一开口之第二开口；至少一设于第一及第二开口中且与各接点连接之重置布线层；一叠设于第二介电层与重置布线层一面上之防焊层，其具有多数对应重置布线层之穿孔；以及多数设于各穿孔中且分别连接重置布线层之锡球。

公开(公告)号：TW201403720A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102129314

申请日：2008-02-05

申请人： 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 多賓斯裴克提姆西H ,  DAUBENSPECK, TIMOTHY H. ,  甘比諾傑佛利P ,  GAMBINO, JEFFREY P. ,  姆乙克里斯多佛D ,  MUZZY, CHRISTOPHER D. ,  索特沃夫剛 ,  SAUTER, WOLFGANG

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： 消除球限金屬(BLM)之C4焊塊形成時的底切及改善C4間距的系統和方法。依此製程，阻障層金屬堆疊結構沉積在金屬墊層上。進行CMP來圖案化阻障層金屬(如Cu)的上層，並進行蝕刻來移除阻障層金屬堆疊結構的下導電層。在一實施例中，擴散阻障層和C4焊塊可以使用無罩技術之無電鍍覆形成、或以使用圖案化遮罩之電鍍技術形成。如此可縮小C4焊塊的間距。

简体摘要： 消除球限金属(BLM)之C4焊块形成时的底切及改善C4间距的系统和方法。依此制程，阻障层金属堆栈结构沉积在金属垫层上。进行CMP来图案化阻障层金属(如Cu)的上层，并进行蚀刻来移除阻障层金属堆栈结构的下导电层。在一实施例中，扩散阻障层和C4焊块可以使用无罩技术之无电镀覆形成、或以使用图案化遮罩之电镀技术形成。如此可缩小C4焊块的间距。

公开(公告)号：TW200901336A

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW097104629

申请日：2008-02-05

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 多賓斯裴克提姆西H DAUBENSPECK, TIMOTHY H. ,  甘比諾傑佛利P GAMBINO, JEFFREY P. ,  姆乙克里斯多佛D MUZZY, CHRISTOPHER D. ,  索特沃夫剛 SAUTER, WOLFGANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： 消除球限金屬(BLM)之C4焊塊形成時的底切及改善C4間距的系統和方法。依此製程,阻障層金屬堆疊結構沉積在金屬墊層上。進行CMP來圖案化阻障層金屬(如Cu)的上層,並進行蝕刻來移除阻障層金屬堆疊結構的下導電層。在一實施例中,擴散阻障層和C4焊塊可以使用無罩技術之無電鍍覆形成、或以使用圖案化遮罩之電鍍技術形成。如此可縮小C4焊塊的間距。

简体摘要： 消除球限金属(BLM)之C4焊块形成时的底切及改善C4间距的系统和方法。依此制程,阻障层金属堆栈结构沉积在金属垫层上。进行CMP来图案化阻障层金属(如Cu)的上层,并进行蚀刻来移除阻障层金属堆栈结构的下导电层。在一实施例中,扩散阻障层和C4焊块可以使用无罩技术之无电镀覆形成、或以使用图案化遮罩之电镀技术形成。如此可缩小C4焊块的间距。

公开(公告)号：TWI462199B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW099144947

申请日：2010-12-21

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 齊中邦 ,  CHI, CHUNG PANG

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201227848A

公开(公告)日：2012-07-01

申请号：TW099144947

申请日：2010-12-21

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 齊中邦

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種凸塊結構的製作方法。提供一基板。基板具有至少一焊墊與一保護層。保護層具有至少一第一開口以將焊墊暴露。在保護層上形成一絕緣層。絕緣層具有至少一第二開口,且第二開口位於第一開口上方。於絕緣層上形成一金屬層。金屬層透過第一開口以及第二開口與焊墊電性連接。於第一開口以及第二開口內形成一第一凸塊。於第一凸塊與部分金屬層上形成一第二凸塊。以第二凸塊為罩幕,移除部分未被第二凸塊所覆蓋之金屬層以形成至少一球底金屬層。第一凸塊被球底金屬層以及第二凸塊完全包覆。

简体摘要： 一种凸块结构的制作方法。提供一基板。基板具有至少一焊垫与一保护层。保护层具有至少一第一开口以将焊垫暴露。在保护层上形成一绝缘层。绝缘层具有至少一第二开口,且第二开口位于第一开口上方。于绝缘层上形成一金属层。金属层透过第一开口以及第二开口与焊垫电性连接。于第一开口以及第二开口内形成一第一凸块。于第一凸块与部分金属层上形成一第二凸块。以第二凸块为罩幕,移除部分未被第二凸块所覆盖之金属层以形成至少一球底金属层。第一凸块被球底金属层以及第二凸块完全包覆。

公开(公告)号：TW201131719A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：TW100102072

申请日：2011-01-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 郭正錚 ,  劉醇鴻 ,  陳承先

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體裝置,包含至少兩個導電墊,其中,一導電墊形成於至少兩個導電墊之中的另一個導電墊上,及從至少一個導電墊延伸出來的一重分佈層。該半導體裝置也包含了一形成於導電墊之上且與導電墊電性連接的凸塊結構。

简体摘要： 一种半导体设备,包含至少两个导电垫,其中,一导电垫形成于至少两个导电垫之中的另一个导电垫上,及从至少一个导电垫延伸出来的一重分布层。该半导体设备也包含了一形成于导电垫之上且与导电垫电性连接的凸块结构。

公开(公告)号：TW201108381A

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：TW098143155

申请日：2009-12-16

申请人： 旭明光電股份有限公司

发明人： 朱振甫

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 於半導體基板上製造貫穿互連線之方法包括以下步驟:在該基板的第一側上形成部分貫穿該基板的介層孔、在該第一側上及該介層孔中形成電氣絕緣層、形成電氣傳導層,其至少部分地作為該介層孔的內襯、在該介層孔中的傳導層上中形成第一接觸部、及自第二側開始薄化該基板,至少達該介層孔中的絕緣層。該方法也包括在該基板之第二側上形成與該第一接觸部電氣接觸之第二接觸部的步驟。在半導體晶圓上執行此方法,以形成晶圓尺度的互連元件。此外,該互連元件可用以構成如發光二極體(LED)系統的半導體系統。

简体摘要： 于半导体基板上制造贯穿互连接之方法包括以下步骤:在该基板的第一侧上形成部分贯穿该基板的介层孔、在该第一侧上及该介层孔中形成电气绝缘层、形成电气传导层,其至少部分地作为该介层孔的内衬、在该介层孔中的传导层上中形成第一接触部、及自第二侧开始薄化该基板,至少达该介层孔中的绝缘层。该方法也包括在该基板之第二侧上形成与该第一接触部电气接触之第二接触部的步骤。在半导体晶圆上运行此方法,以形成晶圆尺度的互连组件。此外,该互连组件可用以构成如发光二极管(LED)系统的半导体系统。

公开(公告)号：TWI546925B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW100104257

申请日：2011-02-09

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 顏裕林 ,  YEN, YU LIN ,  楊銘堃 ,  YANG, MING KUN ,  劉滄宇 ,  LIU, TSANG YU ,  尤龍生 ,  YEOU, LONG SHENG

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TWI462247B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW100102072

申请日：2011-01-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 郭正錚 ,  KUO, CHEN CHENG ,  劉醇鴻 ,  LIU, TZUAN HORNG ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN SHIEN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00