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    METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC DEVICES
    3.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC DEVICES 有权
    制造光电器件的方法

    公开(公告)号：US20130286634A1

    公开(公告)日：2013-10-31

    申请号：US13455207

    申请日：2012-04-25

    申请人： Wu-Tsung LO ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    发明人： Wu-Tsung LO ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    IPC分类号： G09F13/04 ,  H01L21/20 ,  F21L4/00

    CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0062 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for manufacturing optoelectronic devices comprising the steps of: providing a common growth substrate; forming a light-emitting epitaxy structure on the common growth substrate; forming a stripping layer on the light-emitting epitaxy structure; forming a solar cell epitaxy structure on the stripping layer; forming an adhesive layer on the solar cell epitaxy structure; proving a solar cell permanent substrate on the adhesive layer; and removing the stripping layer to form a light-emitting device and a solar cell device separately.

    摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括以下步骤：提供共同的生长衬底; 在共同生长衬底上形成发光外延结构; 在发光外延结构上形成剥离层; 在剥离层上形成太阳能电池外延结构; 在太阳能电池外延结构上形成粘合剂层; 在粘合剂层上证明太阳能电池永久性基板; 并且去除剥离层以分开形成发光器件和太阳能电池器件。

    PHOTOVOLTAIC DEVICE
    6.
    发明申请
    PHOTOVOLTAIC DEVICE 审中-公开
    光电器件

    公开(公告)号：US20130081681A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：US13251453

    申请日：2011-10-03

    申请人： Chien-Ming WU ,  Wu-Tsung LO

    发明人： Chien-Ming WU ,  Wu-Tsung LO

    IPC分类号： H01L31/06

    CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/06875 ,  Y02E10/544

    摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises a substrate; a first photovoltaic cell disposed over the substrate comprising a base layer having a first conductivity type; an emitter layer having a second conductivity type; a window layer having the second conductivity type; an intermediate structure between the emitter layer and the window layer having the second conductivity type, and comprising a first portion adjacent to the emitter layer and a second portion on the first portion. The first portion comprises a bandgap energy higher than that of the emitter layer and the intermediate structure is substantially lattice matched with the emitter layer.

    摘要翻译： 本公开公开了一种发光装置。 发光装置包括基板; 设置在所述基板上的第一光伏电池，包括具有第一导电类型的基极层; 具有第二导电类型的发射极层; 具有第二导电类型的窗口层; 在发射极层和具有第二导电类型的窗口层之间的中间结构，并且包括与发射极层相邻的第一部分和在第一部分上的第二部分。 第一部分包括比发射极层高的带隙能量，并且中间结构与发射极层基本上晶格匹配。

    SOLAR CELL MODULE AND THE FABRICATION METHOD OF THE SAME
    7.
    发明申请
    SOLAR CELL MODULE AND THE FABRICATION METHOD OF THE SAME 审中-公开
    太阳能电池模块及其制造方法

    公开(公告)号：US20110005595A1

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：US12835229

    申请日：2010-07-13

    申请人： Yu-Chih YANG ,  Wu-Tsung Lo

    发明人： Yu-Chih YANG ,  Wu-Tsung Lo

    IPC分类号： H01L31/0232

    CPC分类号： H01L31/052 ,  F24S23/12 ,  F24S23/30 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52

    摘要： The application illustrates a solar cell module, included a base device, a solar cell on the base device, and a concentrator on the solar cell. The concentrator directly contacts with the solar cell and concentrates the light to the solar cell for opto-electric transformation.

    摘要翻译： 该应用示出了太阳能电池模块，其包括基底器件，基底器件上的太阳能电池和太阳能电池上的集中器。 集中器直接与太阳能电池接触，并将光聚集到太阳能电池进行光电转换。

    Semiconductor light-emitting device and fabrication method thereof
    8.
    发明授权
    Semiconductor light-emitting device and fabrication method thereof 有权
    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08278672B2

    公开(公告)日：2012-10-02

    申请号：US11727378

    申请日：2007-03-26

    申请人： Ya-Ju Lee ,  Ta-Cheng Hsu ,  Ming-Ta Chin ,  Yen-Wen Chen ,  Wu-Tsung Lo ,  Chung-Yuan Li ,  Min-Hsun Hsieh

    发明人： Ya-Ju Lee ,  Ta-Cheng Hsu ,  Ming-Ta Chin ,  Yen-Wen Chen ,  Wu-Tsung Lo ,  Chung-Yuan Li ,  Min-Hsun Hsieh

    IPC分类号： H01L33/22

    CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/22

    摘要： A semiconductor light-emitting device is disclosed. The semiconductor light-emitting device comprises a multilayer epitaxial structure disposed on a semiconductor substrate. The semiconductor substrate has a predetermined lattice direction perpendicular to an upper surface thereof, wherein the predetermined lattice direction is angled toward [0 11] or [01 1] from [100], or toward [011] or [0 11] from [ 100] so that the upper surface of the semiconductor substrate comprises at least two lattice planes with different lattice plane directions. The multilayer epitaxial structure has a roughened upper surface perpendicular to the predetermined lattice direction. The invention also discloses a method for fabricating a semiconductor light-emitting device.

    摘要翻译： 公开了一种半导体发光器件。 半导体发光器件包括设置在半导体衬底上的多层外延结构。 半导体衬底具有与其上表面垂直的预定晶格方向，其中预定晶格方向从[100]或[100]或[011]或[011]到[011]或[011] ]，使得半导体衬底的上表面包括具有不同晶格面方向的至少两个晶格面。 多层外延结构具有垂直于预定晶格方向的粗糙化的上表面。 本发明还公开了一种制造半导体发光器件的方法。

    Method for manufacturing optoelectronic devices
    9.
    发明授权
    Method for manufacturing optoelectronic devices 有权
    制造光电器件的方法

    公开(公告)号：US08889436B2

    公开(公告)日：2014-11-18

    申请号：US13455207

    申请日：2012-04-25

    申请人： Wu-Tsung Lo ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    发明人： Wu-Tsung Lo ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0062 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for manufacturing optoelectronic devices comprising the steps of: providing a common growth substrate; forming a light-emitting epitaxy structure on the common growth substrate; forming a stripping layer on the light-emitting epitaxy structure; forming a solar cell epitaxy structure on the stripping layer; forming an adhesive layer on the solar cell epitaxy structure; proving a solar cell permanent substrate on the adhesive layer; and removing the stripping layer to form a light-emitting device and a solar cell device separately.

    摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括以下步骤：提供共同的生长衬底; 在共同生长衬底上形成发光外延结构; 在发光外延结构上形成剥离层; 在剥离层上形成太阳能电池外延结构; 在太阳能电池外延结构上形成粘合剂层; 在粘合剂层上证明太阳能电池永久性基板; 并且去除剥离层以分开形成发光器件和太阳能电池器件。