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    Method for manufacturing optoelectronic devices
    1.
    发明授权
    Method for manufacturing optoelectronic devices 有权
    制造光电器件的方法

    公开(公告)号：US08889436B2

    公开(公告)日：2014-11-18

    申请号：US13455207

    申请日：2012-04-25

    申请人： Wu-Tsung Lo ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    发明人： Wu-Tsung Lo ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0062 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for manufacturing optoelectronic devices comprising the steps of: providing a common growth substrate; forming a light-emitting epitaxy structure on the common growth substrate; forming a stripping layer on the light-emitting epitaxy structure; forming a solar cell epitaxy structure on the stripping layer; forming an adhesive layer on the solar cell epitaxy structure; proving a solar cell permanent substrate on the adhesive layer; and removing the stripping layer to form a light-emitting device and a solar cell device separately.

    摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括以下步骤：提供共同的生长衬底; 在共同生长衬底上形成发光外延结构; 在发光外延结构上形成剥离层; 在剥离层上形成太阳能电池外延结构; 在太阳能电池外延结构上形成粘合剂层; 在粘合剂层上证明太阳能电池永久性基板; 并且去除剥离层以分开形成发光器件和太阳能电池器件。

    Light emitting device
    3.
    发明授权
    Light emitting device 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US09130107B2

    公开(公告)日：2015-09-08

    申请号：US13223033

    申请日：2011-08-31

    申请人： Yi Chieh Lin ,  Rong Ren Lee

    发明人： Yi Chieh Lin ,  Rong Ren Lee

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/14

    CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/0079

    摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a substrate; a first light-emitting stack comprising a first active layer; a bonding interface formed between the substrate and the first light-emitting stack; and a contact structure formed on the first light-emitting stack and comprising first, second and third contact layers. Each of the first, second and third contact layers comprises a doping material.

    摘要翻译： 本公开公开了一种发光装置。 发光装置包括：基板; 包括第一有源层的第一发光堆叠; 形成在所述基板和所述第一发光叠层之间的接合界面; 以及形成在第一发光叠层上并包括第一，第二和第三接触层的接触结构。 第一，第二和第三接触层中的每一个包括掺杂材料。

    Light-emitting element with multiple light-emitting stacked layers
    4.
    发明授权
    Light-emitting element with multiple light-emitting stacked layers 有权
    具有多个发光堆叠层的发光元件

    公开(公告)号：US08884267B2

    公开(公告)日：2014-11-11

    申请号：US13546636

    申请日：2012-07-11

    申请人： Yi-Chieh Lin ,  Rong-Ren Lee

    发明人： Yi-Chieh Lin ,  Rong-Ren Lee

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/15 ,  H01L29/66 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

    CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

    摘要： A light-emitting element, comprises: a first active layer, generating a first light comprising a first dominant wavelength, wherein the first active layer comprises a first quantum well comprising a first quantum-well band gap and a second quantum well comprising a second quantum-well band gap, and the first quantum well and the second quantum well are alternately stacked to form the first active layer, wherein a difference between the first quantum-well band gap and the second quantum-well band gap is between 0.06eV and 0.1eV, and each of the first quantum-well and the second quantum-well is devoid of a barrier; and a second active layer on the first active layer, generating a second light comprising a second dominant wavelength; wherein a difference between the first dominant wavelength and the second dominant wavelength is 150nm to 220nm.

    摘要翻译： 发光元件包括：第一有源层，产生包括第一主波长的第一光，其中所述第一有源层包括第一量子阱，所述第一量子阱包括第一量子阱带隙和包括第二量子阱的第二量子阱 并且第一量子阱和第二量子阱交替堆叠以形成第一有源层，其中第一量子阱带隙和第二量子阱带隙之间的差在0.06eV与0.1之间 eV，第一量子阱和第二量子阱中的每一个都没有屏障; 和在所述第一有源层上的第二有源层，产生包括第二主波长的第二光; 其中所述第一主波长和所述第二主波长之间的差为150nm至220nm。

    METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC DEVICES
    5.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC DEVICES 有权
    制造光电器件的方法

    公开(公告)号：US20130286634A1

    公开(公告)日：2013-10-31

    申请号：US13455207

    申请日：2012-04-25

    申请人： Wu-Tsung LO ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    发明人： Wu-Tsung LO ,  Yu-Chih Yang ,  Rong-Ren Lee

    IPC分类号： G09F13/04 ,  H01L21/20 ,  F21L4/00

    CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0062 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for manufacturing optoelectronic devices comprising the steps of: providing a common growth substrate; forming a light-emitting epitaxy structure on the common growth substrate; forming a stripping layer on the light-emitting epitaxy structure; forming a solar cell epitaxy structure on the stripping layer; forming an adhesive layer on the solar cell epitaxy structure; proving a solar cell permanent substrate on the adhesive layer; and removing the stripping layer to form a light-emitting device and a solar cell device separately.

    摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括以下步骤：提供共同的生长衬底; 在共同生长衬底上形成发光外延结构; 在发光外延结构上形成剥离层; 在剥离层上形成太阳能电池外延结构; 在太阳能电池外延结构上形成粘合剂层; 在粘合剂层上证明太阳能电池永久性基板; 并且去除剥离层以分开形成发光器件和太阳能电池器件。

    LIGHT EMITTING DEVICE
    6.
    发明申请
    LIGHT EMITTING DEVICE 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US20130049042A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13223033

    申请日：2011-08-31

    申请人： Yi Chieh Lin ,  Rong Ren Lee

    发明人： Yi Chieh Lin ,  Rong Ren Lee

    IPC分类号： H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/0079

    摘要： This disclosure discloses a light-emitting device. The light-emitting device comprises: a substrate; a first light-emitting stack comprising a first active layer; a bonding interface formed between the substrate and the first light-emitting stack; and a contact structure formed on the first light-emitting stack and comprising first, second and third contact layers. Each of the first, second and third contact layers comprises a doping material.

    摘要翻译： 本公开公开了一种发光装置。 发光装置包括：基板; 包括第一有源层的第一发光堆叠; 形成在所述基板和所述第一发光叠层之间的接合界面; 以及形成在第一发光叠层上并包括第一，第二和第三接触层的接触结构。 第一，第二和第三接触层中的每一个包括掺杂材料。

    LIGHT-EMITTING DEVICE
    9.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DEVICE 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US20120138892A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：US13313645

    申请日：2011-12-07

    申请人： Rong-Ren Lee ,  Shih-Chang Lee ,  Chien-Fu Huang ,  Tsen-Kuei Wang

    发明人： Rong-Ren Lee ,  Shih-Chang Lee ,  Chien-Fu Huang ,  Tsen-Kuei Wang

    IPC分类号： H01L33/04

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

    摘要： A light-emitting device comprises a substrate, and a light-emitting structure formed on the substrate. The light-emitting structure comprises a first active layer emitting the light with a first wavelength, and a second active layer emitting the light with a second wavelength. The light-emitting structure is formed by the first active layer and the second active layer stacked alternately.

    摘要翻译： 发光器件包括衬底和形成在衬底上的发光结构。 发光结构包括发射具有第一波长的光的第一有源层和发射具有第二波长的光的第二有源层。 发光结构由交替堆叠的第一有源层和第二有源层形成。

    LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    10.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    发光装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20130334551A1

    公开(公告)日：2013-12-19

    申请号：US13517830

    申请日：2012-06-14

    申请人： Rong-Ren LEE ,  Cheng-Hong CHEN ,  Chih-Peng NI ,  Chun-Yu LIN

    发明人： Rong-Ren LEE ,  Cheng-Hong CHEN ,  Chih-Peng NI ,  Chun-Yu LIN

    IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/48

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/025 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A light-emitting device comprising: a substrate having a first surface and a second surface, wherein the second surface is opposite to the first surface; a semiconductor structure formed on the first surface of the substrate, comprising a first type semiconductor layer, an active layer and a second type semiconductor layer; and an isolation region separating at least the active layer into a first part and a second part, wherein the first part is capable of generating the electromagnetic radiation, and the second part comprises a breakdown diode.

    摘要翻译： 1.一种发光装置，包括：具有第一表面和第二表面的基板，其中所述第二表面与所述第一表面相对; 形成在所述基板的第一表面上的半导体结构，包括第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层; 以及至少将有源层分为第一部分和第二部分的隔离区域，其中第一部分能够产生电磁辐射，第二部分包括击穿二极管。