公开(公告)号：US6091108A

公开(公告)日：2000-07-18

申请号：US971682

申请日：1997-11-17

申请人： Christopher Harris ,  Bo Bijlenga ,  Lennart Zdansky ,  Ulf Gustafsson ,  Mietek Bakowski ,  Andrey Konstantinov

发明人： Christopher Harris ,  Bo Bijlenga ,  Lennart Zdansky ,  Ulf Gustafsson ,  Mietek Bakowski ,  Andrey Konstantinov

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device of SiC is adapted to hold high voltages in the blocking state thereof. The device comprises two parts (1, 2) each comprising one or more semiconductor layers of SiC and connected in series between two opposite terminals of the device, namely a sub-semiconductor device (1) able to withstand only low voltages in the blocking state thereof and a voltage-limiting part (2) able to withstand high voltages in the blocking state of the device and adapted to protect said sub-semiconductor device by taking a major part of the voltage over the device in the blocking state thereof.

摘要翻译： SiC的半导体器件适于在其阻挡状态下保持高电压。 该器件包括两个部分（1,2），每个部分包括一个或多个SiC半导体层，并且串联连接在器件的两个相对端子之间，即能够仅承受阻塞状态的低电压的子半导体器件（1） 以及能够承受器件的阻断状态下的高电压的电压限制部分（2），并且适用于通过在其阻塞状态下将器件的大部分电压占据主要部分来保护所述次半导体器件。

公开(公告)号：US5786251A

公开(公告)日：1998-07-28

申请号：US678548

申请日：1996-07-09

申请人： Christopher Harris ,  Mietek Bakowski ,  Lennart Zdansky ,  Bo Bijlenga

发明人： Christopher Harris ,  Mietek Bakowski ,  Lennart Zdansky ,  Bo Bijlenga

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

摘要： In a method for producing a channel region layer in a SiC-layer for providing a voltage-controlled semiconductor device a layer of silicon being one of a) polycrystalline and b) amorphous is applied on top of the SiC-layer, an aperture is etched in the silicon layer extending to the SiC-layer, a surface layer of a certain thickness of the silicon layer is oxidized, and the lateral extension of the channel region layer is determined by removing the oxidized layer and carrying out a further implantation into the area exposed by the so formed enlarged aperture.

摘要翻译： 在用于提供压控半导体器件的SiC层中制造沟道区层的方法中，在SiC层的顶部上施加a）多晶和b）非晶之一的硅层，蚀刻孔 在延伸到SiC层的硅层中，硅层的一定厚度的表面层被氧化，并且通过去除氧化层并进一步注入该区域来确定沟道区域层的横向延伸 被这样形成的扩大的光圈曝光。

公开(公告)号：US6104043A

公开(公告)日：2000-08-15

申请号：US803380

申请日：1997-02-20

申请人： Willy Hermansson ,  Bo Bijlenga ,  Lennart Ramberg ,  Kurt Rottner ,  Lennart Zdansky ,  Christopher Ian Harris ,  Mietek Bakowski ,  Adolf Schoner ,  Nils Lundberg ,  Mikael Ostling ,  Fanny Dahlquist

发明人： Willy Hermansson ,  Bo Bijlenga ,  Lennart Ramberg ,  Kurt Rottner ,  Lennart Zdansky ,  Christopher Ian Harris ,  Mietek Bakowski ,  Adolf Schoner ,  Nils Lundberg ,  Mikael Ostling ,  Fanny Dahlquist

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0312 ,  H01L27/095 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky diode of SiC has a substrate layer, a drift layer and emitter layer regions formed in the drift layer. A metal layer makes an ohmic contact to the emitter layer regions and Schottky contact to the drift layer. A depletion of the drift layer region between two adjacent emitter layer regions is allowed in the blocking state of the diode making the two adjacent p-type emitter layer regions form a continuous depleted region therebetween in this state.

摘要翻译： SiC的肖特基二极管具有在漂移层中形成的衬底层，漂移层和发射极层区域。 金属层与发射极层区域发生欧姆接触，并与漂移层进行肖特基接触。 在二极管的阻断状态下允许两个相邻发射极层区域之间的漂移层区域的耗尽，使得在该状态下两个相邻的p型发射极层区域之间形成连续的耗尽区域。

公开(公告)号：US6021036A

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：US135572

申请日：1998-08-18

申请人： Bo Bijlenga ,  Peter Lundberg ,  Anders Persson ,  Lennart Zdansky

发明人： Bo Bijlenga ,  Peter Lundberg ,  Anders Persson ,  Lennart Zdansky

IPC分类号： H03K17/16 ,  H02H3/00

CPC分类号： H03K17/163 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168

摘要： A method and a device for controlling a switching operation consisting of a turn on or a turn off operation in a voltage controlled power transistor is provided. At least one current source is arranged at the control electrode of the power transistor. The at least one current source controls the recharging of at least one of the capacitances which occurs between the control electrode of the power transistor and the main electrode of the power transistor to determine the time rate of change of at least one of the voltage and current.

摘要翻译： 提供了一种用于控制由压控功率晶体管中的导通或关断操作组成的开关操作的方法和装置。 在功率晶体管的控制电极处设置至少一个电流源。 至少一个电流源控制在功率晶体管的控制电极和功率晶体管的主电极之间发生的至少一个电容的再充电，以确定电压和电流中的至少一个的时间变化率 。

公开(公告)号：US5920472A

公开(公告)日：1999-07-06

申请号：US921087

申请日：1997-08-29

申请人： Bo Bijlenga ,  Lennart Zdansky ,  Anders Persson

发明人： Bo Bijlenga ,  Lennart Zdansky ,  Anders Persson

IPC分类号： H02M1/08 ,  H02M1/096 ,  H03K17/00 ,  H03K17/0814 ,  H02M3/24 ,  G05F1/40 ,  H02M7/5387

CPC分类号： H02M1/096 ,  H02M1/08 ,  H03K17/08148 ,  H02M2001/0006 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0081

摘要： A power supply apparatus for a drive unit in a high voltage converter circuit, the circuit has a plurality of power semiconductors connected in series. Each power semiconductor is connected to a drive unit for turning the power semiconductor on and off. The power supply apparatus consists of a capacitor and a regulator connected in parallel with the power semiconductor. The capacitor is connected to the drive unit and stores sufficient energy for power supply of the drive unit. The regulator regulates the voltage across the capacitor.

摘要翻译： 一种用于高电压转换器电路中的驱动单元的电源装置，该电路具有串联连接的多个功率半导体。 每个功率半导体连接到用于打开和关闭功率半导体的驱动单元。 电源装置由电容器和与功率半导体并联连接的调节器组成。 电容器连接到驱动单元，并存储足够的能量用于驱动单元的电源。 调节器调节电容器两端的电压。

公开(公告)号：US5828539A

公开(公告)日：1998-10-27

申请号：US739999

申请日：1996-10-30

申请人： Bo Bijlenga ,  Peter Lundberg ,  Anders Persson ,  Lennart Zdansky

发明人： Bo Bijlenga ,  Peter Lundberg ,  Anders Persson ,  Lennart Zdansky

IPC分类号： H03K17/16 ,  H02H3/00

CPC分类号： H03K17/163 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168

摘要： A method and a device for control of a switching operation consisting of a turn-on or turn-off operation in a voltage-controlled power transistor (T1), wherein at least one current source (S1, S2) is arranged at the control electrode (G) of the power transistor for controlling the recharging of at least one of the capacitances which occurs between the control electrode (G) of the power transistor and the main electrodes (C, E) of the power transistor and thus to determine the time rate of change of at least one of the quantities voltage and current.

摘要翻译： 一种用于控制由压控功率晶体管（T1）中的导通或关断操作组成的开关操作的方法和装置，其中至少一个电流源（S1，S2）布置在控制电极 （G），用于控制在功率晶体管的控制电极（G）和功率晶体管的主电极（C，E）之间发生的至少一个电容的再充电，从而确定时间 至少一个电压和电流的变化率。

公开(公告)号：US5661644A

公开(公告)日：1997-08-26

申请号：US511118

申请日：1995-08-04

申请人： Karl Bergman ,  Bo Bijlenga ,  Willy Hermansson ,  Lennart Zdansky

发明人： Karl Bergman ,  Bo Bijlenga ,  Willy Hermansson ,  Lennart Zdansky

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H02M7/00 ,  H02M7/538 ,  H03K17/08 ,  H03K17/0814 ,  H03K17/16 ,  H03K17/725 ,  H02H7/122 ,  H01L31/0312

CPC分类号： H02M7/538 ,  H02M7/003 ,  H03K17/08144 ,  Y02B70/1483

摘要： A converter circuit has at least one switching device and a SiC diode arranged to be conducting when the device is turned off and reverse-biased when the device is turned on.

摘要翻译： A转换器电路具有至少一个开关器件和SiC二极管，其被布置为当器件断开时导通，并且在器件接通时反向偏置。

公开(公告)号：US5967795A

公开(公告)日：1999-10-19

申请号：US520689

申请日：1995-08-30

申请人： Mietek Bakowsky ,  Bo Bijlenga ,  Ulf Gustafsson ,  Christopher Harris ,  Susan Savage

发明人： Mietek Bakowsky ,  Bo Bijlenga ,  Ulf Gustafsson ,  Christopher Harris ,  Susan Savage

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/861 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/931

摘要： A semiconductor component comprises a pn junction in which both the p-conducting and the n-conducting layers of the pn junction are doped silicon carbide layers and the edge of at least one of the conducting layers of the pn junction exhibits a stepwise or uniformly decreasing total charge or effective surface charge density from the initial value at the defined working junction to a zero or almost zero total charge at the outermost edge of the junction following a radial direction from the central part of the junction towards its outermost edge.

摘要翻译： 半导体部件包括pn结，其中pn结的p导电层和n导电层都是掺杂的碳化硅层，并且pn结的至少一个导电层的边缘呈逐步或均匀地减小 总电荷或有效表面电荷密度从在限定的工作结点处的初始值到在从结点的中心部分到其最外边缘的径向方向上的结的最外边缘处的零或几乎为零的总电荷。

公开(公告)号：US5977605A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US954165

申请日：1997-10-20

申请人： Mietek Bakowsky ,  Bo Bijlenga ,  Ulf Gustafsson ,  Christopher Harris ,  Susan Savage

发明人： Mietek Bakowsky ,  Bo Bijlenga ,  Ulf Gustafsson ,  Christopher Harris ,  Susan Savage

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/861 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/931

摘要： A semiconductor component, which comprises a pn junction, where both the p-conducting and the n-conducting layers of the pn junction constitute doped silicon carbide layers and where the edge of at least one of the conducting layers of the pn junction, exhibits a stepwise or uniformly decreasing total charge or effective surface charge density from the initial value at the defined working junction to a zero or almost zero total charge at the outermost edge of the junction following a radial direction from the central part of the junction towards the outermost edge.

摘要翻译： 一种半导体部件，其包括pn结，其中pn结的p导电层和n导电层都构成掺杂的碳化硅层，并且其中pn结的至少一个导电层的边缘呈现出 在从结合的中心部分到最外边缘的径向方向上，从总限制的工作结点处的初始值逐渐或均匀地减小总电荷或有效表面电荷密度，从而在连接的最外边缘处的零电荷或几乎为零的总电荷 。

公开(公告)号：US5990724A

公开(公告)日：1999-11-23

申请号：US921065

申请日：1997-08-29

申请人： Bo Bijlenga ,  Peter Lundberg

发明人： Bo Bijlenga ,  Peter Lundberg

IPC分类号： G01R31/02 ,  H02H3/08 ,  H02H7/12 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H03K17/082 ,  H03K17/10 ,  H03K17/72

CPC分类号： H02M1/088 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/107 ,  H02H7/1213 ,  H02M1/32

摘要： In a method and apparatus used for detecting and handling a short circuit in a circuit having a plurality of power semiconductors connected in series the voltage is divided across the electrodes and each power semiconductor and the magnitude of a small proportion of the voltage is measured. The magnitude of the voltage is compared to a reference voltage at least from when the power semiconductor is turned on. The reference voltage is higher than the maximum voltage across the power semiconductor during normal operation. A short circuit is detected when the magnitude of the measured voltage exceeds the reference voltage.

摘要翻译： 在用于检测和处理具有串联连接的多个功率半导体的电路中的短路的方法和装置中，电压被划分在电极和每个功率半导体之间，并且测量小部分电压的大小。 至少从功率半导体开启时，将电压的大小与参考电压进行比较。 在正常工作期间，参考电压高于功率半导体上的最大电压。 当测量的电压的大小超过参考电压时，检测到短路。