公开(公告)号：US20100247803A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12730088

申请日：2010-03-23

申请人： Eric M. LEE ,  Raymond Nicholas VRTIS ,  Mark Leonard O'NEILL ,  Patrick Timothy HURLEY ,  Jacques FAGUET ,  Takashi MATSUMOTO ,  Osayuki AKIYAMA

发明人： Eric M. LEE ,  Raymond Nicholas VRTIS ,  Mark Leonard O'NEILL ,  Patrick Timothy HURLEY ,  Jacques FAGUET ,  Takashi MATSUMOTO ,  Osayuki AKIYAMA

IPC分类号： C23C16/56 ,  B05D3/06

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/18 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56

摘要： A chemical vapor deposition (CVD) method for depositing a thin film on a surface of a substrate is described. The CVD method comprises disposing a substrate on a substrate holder in a process chamber, and introducing a process gas to the process chamber, wherein the process gas comprises a chemical precursor. The process gas is exposed to a non-ionizing heat source separate from the substrate holder to cause decomposition of the chemical precursor. A thin film is deposited upon the substrate.

摘要翻译： 描述了用于在衬底的表面上沉积薄膜的化学气相沉积（CVD）方法。 CVD方法包括将衬底设置在处理室中的衬底保持器上，并将工艺气体引入到处理室中，其中工艺气体包括化学前体。 处理气体暴露于与基板保持器分离的非电离热源以引起化学前体的分解。 薄膜沉积在基底上。

公开(公告)号：US20120213929A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13030702

申请日：2011-02-18

申请人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET

发明人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET

IPC分类号： C23C16/452

CPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56

摘要： A method of performing a filament-assisted chemical vapor deposition process is described. The method includes providing a substrate holder in a process chamber of a chemical vapor deposition system, providing a non-ionizing heat source separate from the substrate holder in the process chamber, disposing a substrate on the substrate holder, introducing a film forming composition to the process chamber, thermally fragmenting the film forming composition using the non-ionizing heat source, and forming a thin film on the substrate in the process chamber. The non-ionizing heat source includes a gas heating device through and/or over which the film forming composition flows. The method further includes remotely producing a reactive composition, and introducing the reactive composition to the process chamber to interact with the substrate, wherein the reactive composition is introduced sequentially and/or simultaneously with the introducing the film forming composition.

摘要翻译： 描述了进行长丝辅助化学气相沉积工艺的方法。 该方法包括在化学气相沉积系统的处理室中提供衬底保持器，提供与处理室中的衬底保持器分离的非电离热源，将衬底设置在衬底保持器上，将成膜组合物引入到 处理室，使用非电离热源将成膜组合物热分裂，以及在处理室中的基板上形成薄膜。 非电离热源包括通过和/或成膜组合物流过的气体加热装置。 该方法还包括远程产生反应性组合物，并将反应性组合物引入到处理室以与基底相互作用，其中反应性组合物与导入成膜组合物顺序地和/或同时引入。

公开(公告)号：US20110305831A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12814301

申请日：2010-06-11

申请人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

发明人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/448

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463

摘要： A method of depositing a thin film on a substrate in a deposition system is described. The method includes disposing a gas heating device comprising a plurality of heating element zones in a deposition system, and independently controlling a temperature of each of the plurality of heating element zones, wherein each of the plurality of heating element zones having one or more resistive heating elements. Additionally, the method includes providing a substrate on a substrate holder in the deposition system, wherein the substrate holder has one or more temperature control zones. The method further includes providing a film forming composition to the gas heating device coupled to the deposition system, pyrolyzing one or more constituents of the film forming composition using the gas heating device, and introducing the film forming composition to the substrate in the deposition system to deposit a thin film on the substrate.

摘要翻译： 描述了在沉积系统中在衬底上沉积薄膜的方法。 该方法包括在沉积系统中设置包括多个加热元件区域的气体加热装置，并且独立地控制多个加热元件区域中的每一个的温度，其中多个加热元件区域中的每一个具有一个或多个电阻加热 元素。 另外，该方法包括在沉积系统中的衬底保持器上设置衬底，其中衬底保持器具有一个或多个温度控制区。 该方法还包括向耦合到沉积系统的气体加热装置提供成膜组合物，使用气体加热装置热解成膜组合物的一种或多种组分，并将成膜组合物引入沉积系统中的基底上 在基板上沉积薄膜。

公开(公告)号：US20110303145A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12814278

申请日：2010-06-11

申请人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

发明人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/46 ,  H05B3/02 ,  C23C16/00

CPC分类号： H05B3/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/52 ,  H05B2203/014 ,  H05B2203/022

摘要： A gas heating device and a processing system for use therein are described for depositing a thin film on a substrate using a vapor deposition process. The gas heating device includes a heating element array having a plurality of heating element zones configured to receive a flow of a film forming composition across or through said plurality of heating element zones in order to cause pyrolysis of one or more constituents of the film forming composition when heated. Additionally, the processing system may include a substrate holder configured to support a substrate. The substrate holder may include a backside gas supply system configured to supply a heat transfer gas to a backside of said substrate, wherein the backside gas supply system is configured to independently supply the heat transfer gas to multiple zones at the backside of the substrate.

摘要翻译： 本发明描述了一种用于其中的气体加热装置和处理系统，用于使用气相沉积工艺在基片上沉积薄膜。 气体加热装置包括加热元件阵列，该加热元件阵列具有多个加热元件区域，该多个加热元件区域被配置为在多个加热元件区域中或通过所述多个加热元件区域接收成膜组合物的流动，以便导致成膜组合物的一种或多种成分的热解 加热时。 另外，处理系统可以包括被配置为支撑衬底的衬底保持器。 衬底保持器可以包括后侧气体供应系统，其构造成将热传递气体供应到所述衬底的背面，其中所述背侧气体供应系统被配置为独立地将所述传热气体供应到所述衬底的背侧的多个区域。

公开(公告)号：US20100248443A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12415022

申请日：2009-03-31

申请人： Eric M. LEE ,  Junjun LIU ,  Dorel I. TOMA

发明人： Eric M. LEE ,  Junjun LIU ,  Dorel I. TOMA

IPC分类号： H01L21/764

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02271 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming an air gap structure on a substrate is described. The method comprises depositing a sacrificial layer on a substrate, forming an adhesion-promoting layer between the sacrificial layer and the substrate, and depositing a capping layer over the sacrificial layer. The sacrificial layer and the capping layer are patterned and metalized. Thereafter, the sacrificial layer is decomposed and removed through the capping layer.

摘要翻译： 描述了在基板上形成气隙结构的方法。 该方法包括在衬底上沉积牺牲层，在牺牲层和衬底之间形成粘合促进层，以及在牺牲层上沉积覆盖层。 牺牲层和覆盖层被图案化和金属化。 此后，牺牲层通过封盖层分解和去除。