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    Radioactive implantable devices and methods and apparatuses for their production and use
    8.
    发明授权
    Radioactive implantable devices and methods and apparatuses for their production and use 失效
    放射性植入装置及其生产和使用的方法和装置

    公开(公告)号：US06855103B2

    公开(公告)日：2005-02-15

    申请号：US10217379

    申请日：2002-08-13

    申请人： Ludger Dinkelborg ,  Klaus Urich

    发明人： Ludger Dinkelborg ,  Klaus Urich

    IPC分类号： A61B17/00 ,  A61F2/00 ,  A61K51/00 ,  A61K51/12 ,  A61M36/04 ,  A61N5/10 ,  C23G1/08 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 ,  C25D7/04 ,  C25D17/12 ,  C25F3/00 ,  A61N5/00

    CPC分类号： A61K51/1282 ,  A61F2210/0095 ,  A61N5/1002

    摘要： A radiolabeled implantable device includes a base, a first layer including Cu and a radioactive isotope on the base, and a second layer including Sn on the first layer. Preferably, the base is formed of stainless steel and the radioactive isotope is a radioisotope of Re, such as 188Re or 186Re. Alternately, radioisotopes of the following elements may be used: Be, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te, Hf, Ta, W, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi, Po, At, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr. In addition, a process for producing a radiolabeled implantable device includes depositing a first layer including Cu and a radioactive isotope on a base, and depositing a second layer including Sn on the first layer. The process may further include removing Cr2O3 from the base and/or rinsing the base prior to depositing the first layer thereon.

    摘要翻译： 放射性标记的可植入装置包括基底，在基底上包括Cu和放射性同位素的第一层和在第一层上包含Sn的第二层。 优选地，基底由不锈钢形成，并且放射性同位素是Re的放射性同位素，例如<188> Re或<186> Re。 或者，可以使用以下元素的放射性同位素：Be，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，Ge，As，Y，Zr，Nb，Mo，Tc，Ru ，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Te，Hf，Ta，W，Os，Ir，Pt，Au，Hg，Tl，Pb，Bi，Po，At，Th，Pa，U，Np ，Pu，Am，Cm，Bk，Cf，Es，Fm，Md，No，Lr。 此外，生产放射性标记的可植入装置的方法包括在基底上沉积包含Cu和放射性同位素的第一层，并在第一层上沉积包含Sn的第二层。 该方法还可以包括在沉积第一层之前从基底中除去Cr 2 O 3和/或漂洗基底。