公开(公告)号：US07387927B2

公开(公告)日：2008-06-17

申请号：US10939227

申请日：2004-09-10

申请人： Robert B. Turkot, Jr. ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Robert B. Turkot, Jr. ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

公开(公告)号：US07045428B2

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：US10855635

申请日：2004-05-26

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Suman Datta ,  Robert B. Turkot, Jr. ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Suman Datta ,  Robert B. Turkot, Jr. ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a first gate dielectric layer that has a first substantially vertical component, then forming a first metal layer on the first gate dielectric layer. After forming on the substrate a second gate dielectric layer that has a second substantially vertical component, a second metal layer is formed on the second gate dielectric layer. In this method, a conductor is formed that contacts both the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有第一基本垂直分量的第一栅极电介质层，然后在第一栅极电介质层上形成第一金属层。 在衬底上形成具有第二基本垂直分量的第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成第二金属层。 在该方法中，形成与第一金属层和第二金属层接触的导体。

公开(公告)号：US07129182B2

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：US10704498

申请日：2003-11-06

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr.

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr.

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for etching a metal layer is described. That method comprises forming a metal layer on a substrate, then exposing part of the metal layer to a wet etch chemistry that comprises an active ingredient with a diameter that exceeds the thickness of the metal layer.

摘要翻译： 描述了蚀刻金属层的方法。 该方法包括在基底上形成金属层，然后将金属层的一部分暴露于包含直径超过金属层厚度的活性成分的湿式蚀刻化学物质。

公开(公告)号：US06974764B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10704497

申请日：2003-11-06

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr.

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。

公开(公告)号：US07037845B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10652546

申请日：2003-08-28

申请人： Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr. ,  Matthew V. Metz

发明人： Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr. ,  Matthew V. Metz

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and modifying a first portion of the high-k gate dielectric layer to ensure that it may be removed selectively to a second portion of the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，以及修改高k栅极电介质层的第一部分，以确保其可被选择性地去除到高k栅极电介质层的第二部分。

公开(公告)号：US20090280608A9

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US11556025

申请日：2006-11-02

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/762 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semoiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅极电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅极电极。

公开(公告)号：US07390947B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11037512

申请日：2005-01-18

申请人： Amlan Majumdar ,  Justin K. Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian S. Doyle ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

发明人： Amlan Majumdar ,  Justin K. Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian S. Doyle ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/938

摘要： A nanotube transistor, such as a carbon nanotube transistor, may be formed with a top gate electrode and a spaced source and drain. Conduction along the transistor from source to drain is controlled by the gate electrode. Underlying the gate electrode are at least two nanotubes. In some embodiments, the substrate may act as a back gate.

摘要翻译： 诸如碳纳米管晶体管的纳米管晶体管可以形成有顶栅电极和间隔开的源极和漏极。 沿晶体管从源极到漏极的导通由栅电极控制。 栅电极底部至少有两个纳米管。 在一些实施例中，衬底可用作背栅。

公开(公告)号：US07615441B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11998236

申请日：2007-11-29

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

摘要翻译： 可以在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高k金属氧化物电介质。 衬底平滑度可能降低高k金属氧化物栅极电介质的柱生长。 在沉积之前，衬底的表面可能被羟基终止物饱和。

公开(公告)号：US20090042405A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12157796

申请日：2008-06-12

申请人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, a trench within the first dielectric layer, and a second dielectric layer on the substrate. The second dielectric layer has a first part that is formed in the trench and a second part. After a first metal layer with a first workfunction is formed on the first and second parts of the second dielectric layer, part of the first metal layer is converted into a second metal layer with a second workfunction.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成第一电介质层，在第一介电层内形成沟槽，在衬底上形成第二电介质层。 第二电介质层具有形成在沟槽中的第一部分和第二部分。 在第二电介质层的第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一金属层之后，第一金属层的一部分被转换成具有第二功函数的第二金属层。

公开(公告)号：US20080211033A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12151483

申请日：2008-05-07

申请人： Robert B. Turkot ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Robert B. Turkot ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层上形成金属层。 在金属层上形成掩模层之后，介电层的暴露侧面被聚合物扩散阻挡层覆盖。