公开(公告)号：US20140256117A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：US14133944

申请日：2013-12-19

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Joong-han SHIN ,  Bong-jin KUH ,  Ki-chul KIM ,  Jeong-meung KIM ,  Eun-ha LEE ,  Jong-sung LIM ,  Han-mei CHOI

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667

Abstract: A method of forming an epitaxial layer includes forming a plurality of first insulation patterns in a substrate, the plurality of first insulation patterns spaced apart from each other, forming first epitaxial patterns on the plurality of first insulation patterns, forming second insulation patterns between the plurality of first insulation patterns to contact the plurality of first insulation patterns, and forming second epitaxial patterns on the second insulation patterns and between the first epitaxial patterns to contact the first epitaxial patterns, the first epitaxial patterns and the second epitaxial patterns forming a single epitaxial layer.

Abstract translation: 形成外延层的方法包括在基板中形成多个第一绝缘图案，多个第一绝缘图案彼此间隔开，在多个第一绝缘图案上形成第一外延图案，在多个第一绝缘图案之间形成第二绝缘图案 的第一绝缘图案以接触所述多个第一绝缘图案，以及在所述第二绝缘图案上和所述第一外延图案之间以及所述第一外延图案之间形成第二外延图案以接触所述第一外延图案，所述第一外延图案和所述第二外延图案形成单个外延层 。

公开(公告)号：US20140225106A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：US14177513

申请日：2014-02-11

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Eun-ha LEE ,  Anass BENAYAD ,  Tae-sang KIM ,  Kyoung-seok SON

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: A thin film, a method of forming the thin film, a semiconductor device including the thin film, and a method of manufacturing the semiconductor device include forming a thin film including a metal oxynitride, and treating the thin film with inert gas ions so as to stabilize properties of the thin film. The metal oxynitride may include zinc oxynitride (ZnOxNy). The inert gas ions may include at least one of Ar ions and Ne ions. The treating of the thin film with the inert gas ions may be performed by a sputtering process, a plasma treatment process, or the like.

Abstract translation: 薄膜，薄膜形成方法，包括该薄膜的半导体器件及其制造方法包括：形成包含金属氮氧化物的薄膜，并用惰性气体离子处理该薄膜，以便 稳定薄膜的性能。 金属氮氧化物可以包括氮氧化锌（ZnO x N y）。 惰性气体离子可以包括Ar离子和Ne离子中的至少一种。 用惰性气体离子处理薄膜可以通过溅射工艺，等离子体处理工艺等进行。

公开(公告)号：US20140353677A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US14294823

申请日：2014-06-03

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Young-jo TAK ,  Jae-kyun KIM ,  Joo-sung KIM ,  Jun-youn KIM ,  Young-soo PARK ,  Eun-ha LEE

IPC: H01L21/02 ,  H01S5/323 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L29/205 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/325 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/021 ,  H01S5/34333

Abstract: Provided are a low-defect semiconductor device and a method of manufacturing the same. The method includes forming a buffer layer on a silicon substrate, forming an interface control layer on the buffer layer under a first growth condition, and forming a nitride stack on the interface control layer under a second growth condition different from the first growth condition.

Abstract translation: 提供了一种低缺陷半导体器件及其制造方法。 该方法包括在硅衬底上形成缓冲层，在第一生长条件下在缓冲层上形成界面控制层，并在不同于第一生长条件的第二生长条件下，在界面控制层上形成氮化层。