公开(公告)号：US5126320A

公开(公告)日：1992-06-30

申请号：US722410

申请日：1991-06-26

申请人： Tadao Miura ,  Yoshiaki Terashima ,  Akio Hori ,  Masayuki Sagoi

发明人： Tadao Miura ,  Yoshiaki Terashima ,  Akio Hori ,  Masayuki Sagoi

IPC分类号： C23C14/08 ,  H01L39/24

CPC分类号： C23C14/087 ,  H01L39/2435 ,  Y10S505/731 ,  Y10S505/816

摘要： A method is disclosed which comprises setting a substrate within a mixed gas atmosphere containing 0.1 to 5% of oxygen gas and a balance as an inert gas, and sputtering a target member containing Ln, M, Cu and O within that atmosphere to obtain an oxygen-deficient perovskite type oxide superconducting thin-film of substantially Ln:M:Cu:O=1:2:3:(7-.delta.), where Ln represents at least one element selected from the rare earth elements and M represents at least one element selected from the group consisting of Ba, Sr, and Ca. The oxide superconducting thin-film of that composition ratio has a critical temperature of over 77K.

摘要翻译： 公开了一种方法，其包括在含有0.1〜5％的氧气和余量的混合气体气氛中设置基板作为惰性气体，并在该气氛中溅射含有Ln，M，Cu和O的靶材以获得氧 基本上Ln：M：Cu：O = 1：2：3：（7-δ）的缺陷型钙钛矿型氧化物超导薄膜，其中Ln表示选自稀土元素中的至少一种元素，M表示至少一种 元素选自Ba，Sr和Ca。 该组成比的氧化物超导薄膜的临界温度超过77K。

公开(公告)号：US07140096B2

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：US10626707

申请日：2003-07-25

申请人： Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi ,  Kentaro Nakajima ,  Minoru Amano ,  Masayuki Sagoi ,  Yoshiaki Saito

发明人： Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi ,  Kentaro Nakajima ,  Minoru Amano ,  Masayuki Sagoi ,  Yoshiaki Saito

IPC分类号： G11B5/127 ,  H04R31/00

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/398 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08 ,  Y10S428/90 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/4905 ,  Y10T29/49052 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

摘要： A method of manufacturing a magnetoresistance effect device, including: forming a first ferromagnetic body, a nonmagnetic dielectric layer on the first ferromagnetic body, and a second ferromagnetic body on the nonmagnetic dielectric layer; etching part of an external region of a predetermined ferromagnetic tunnel junction region using a first linear mask pattern which is traversing the predetermined ferromagnetic tunnel junction region; and etching another part of the external region of the predetermined ferromagnetic tunnel junction region using a second linear mask pattern which is traversing the predetermined ferromagnetic tunnel junction region and intersecting with the first linear mask pattern.

摘要翻译： 一种制造磁阻效应器件的方法，包括：在第一铁磁体上形成第一铁磁体，非磁性介质层和非磁介质层上的第二铁磁体; 使用穿过所述预定铁磁隧道结区域的第一线性掩模图案来蚀刻预定铁磁隧道结区域的外部区域的一部分; 以及使用穿过所述预定铁磁隧道结区并与所述第一线性掩模图案相交的第二线性掩模图案来蚀刻所述预定铁磁隧道结区域的外部区域的另一部分。

公开(公告)号：US06995962B2

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：US10968336

申请日：2004-10-20

申请人： Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Shigeki Takahashi ,  Tatsuya Kishi

发明人： Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Shigeki Takahashi ,  Tatsuya Kishi

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3954 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228

摘要： There is provided a magnetoresistance effect element including a first pinned ferromagnetic layer, a second pinned ferromagnetic layer facing the first pinned ferromagnetic layer, surface regions of the first and second pinned ferromagnetic layer facing each other being different from each other in composition, a free ferromagnetic layer intervening between the first and second pinned ferromagnetic layers, a first tunnel barrier layer intervening between the first pinned ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer, and a second tunnel barrier layer intervening between the second pinned ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer.

摘要翻译： 提供了一种磁阻效应元件，包括第一被钉扎铁磁层，面对第一被钉扎铁磁层的第二钉扎铁磁层，第一和第二钉扎铁磁层彼此面对的表面区域在组成上彼此不同，自由铁磁性 介于第一和第二被钉扎铁磁层之间的介电层，介于第一被钉扎铁磁层和自由铁磁层之间的第一隧道势垒层以及介于第二钉扎铁磁层与自由铁磁层之间的第二隧道势垒层。

公开(公告)号：US20060146451A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11367483

申请日：2006-03-06

申请人： Koichiro Inomata ,  Kentaro Nakajima ,  Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi

发明人： Koichiro Inomata ,  Kentaro Nakajima ,  Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi

IPC分类号： G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/115

摘要： A magnetoresistive element has a ferromagnetic double tunnel junction having a stacked structure of a first antiferromagnetic layer/a first ferromagnetic layer/a first dielectric layer/a second ferromagnetic layer/a second dielectric layer/a third ferromagnetic layer/a second antiferromagnetic layer. The second ferromagnetic layer that is a free layer consists of a Co-based alloy or a three-layered film of a Co-based alloy/a Ni—Fe alloy/a Co-based alloy. A tunnel current is flowed between the first ferromagnetic layer and the third ferromagnetic layer.

公开(公告)号：US20050078418A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10968336

申请日：2004-10-20

申请人： Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Shigeki Takahashi ,  Tatsuya Kishi

发明人： Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Shigeki Takahashi ,  Tatsuya Kishi

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3954 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228

摘要： There is provided a magnetoresistance effect element including a first pinned ferromagnetic layer, a second pinned ferromagnetic layer facing the first pinned ferromagnetic layer, surface regions of the first and second pinned ferromagnetic layer facing each other being different from each other in composition, a free ferromagnetic layer intervening between the first and second pinned ferromagnetic layers, a first tunnel barrier layer intervening between the first pinned ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer, and a second tunnel barrier layer intervening between the second pinned ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer.

摘要翻译： 提供了一种磁阻效应元件，包括第一被钉扎铁磁层，面对第一被钉扎铁磁层的第二钉扎铁磁层，第一和第二钉扎铁磁层彼此面对的表面区域在组成上彼此不同，自由铁磁性 介于第一和第二被钉扎铁磁层之间的介电层，介于第一被钉扎铁磁层和自由铁磁层之间的第一隧道势垒层以及介于第二钉扎铁磁层与自由铁磁层之间的第二隧道势垒层。

公开(公告)号：US06868002B2

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：US10771537

申请日：2004-02-05

申请人： Yoshiaki Saito ,  Koichiro Inomata ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi

发明人： Yoshiaki Saito ,  Koichiro Inomata ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3231 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228

摘要： There is provided a magnetic memory including first and second wirings intersecting each other and disposed apart from each other, a magnetoresistance effect film positioned between the first and second wirings, and a first magnetic film including a first portion facing the magnetoresistance effect film with the first wiring interposed therebetween and a pair of second portions positioned on both sides of the first wiring and magnetically connected to the first portion, each of the first and second portions having either one of a high saturation magnetization soft magnetic material containing cobalt and a metal-nonmetal nano-granular film.

摘要翻译： 提供了一种磁存储器，包括彼此相交并彼此分开布置的第一和第二布线，位于第一和第二布线之间的磁阻效应膜，以及第一磁性膜，其包括面向磁阻效应膜的第一部分，其具有第一 插入其间的布线和位于第一布线的两侧并与第一部分磁连接的一对第二部分，第一和第二部分中的每一个具有包含钴的高饱和磁化软磁材料和金属非金属 纳米颗粒膜。

公开(公告)号：US06987653B2

公开(公告)日：2006-01-17

申请号：US10797136

申请日：2004-03-11

申请人： Koichiro Inomata ,  Kentaro Nakajima ,  Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi

发明人： Koichiro Inomata ,  Kentaro Nakajima ,  Yoshiaki Saito ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/14

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/115

摘要： A magnetoresistive element has a ferromagnetic double tunnel junction having a stacked structure of a first antiferromagnetic layer/a first ferromagnetic layer/a first dielectric layer/a second ferromagnetic layer/a second dielectric layer/a third ferromagnetic layer/a second antiferromagnetic layer. The second ferromagnetic layer that is a free layer consists of a Co-based alloy or a three-layered film of a Co-based alloy/a Ni—Fe alloy/a Co-based alloy. A tunnel current is flowed between the first ferromagnetic layer and the third ferromagnetic layer.

公开(公告)号：US20050078417A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10626707

申请日：2003-07-25

申请人： Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi ,  Kentaro Nakajima ,  Minoru Amano ,  Masayuki Sagoi ,  Yoshiaki Saito

发明人： Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi ,  Kentaro Nakajima ,  Minoru Amano ,  Masayuki Sagoi ,  Yoshiaki Saito

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/398 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08 ,  Y10S428/90 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/4905 ,  Y10T29/49052 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

摘要： Magnetoresistance effect devices for attaining magnetically stability and for reducing a switching magnetic field. One of the ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect device has a plane shape in which a width of an end portions is wider than a center portion sandwiched by two end portions. The end portions are not symmetrical with respect to an easy magnetization axis or longer axis of the plane shape of ferromagnetic material layer, but are substantially rotationally symmetrical with a center of the plane shape as a pivot. The plane shape may have an S-shape where its magnetic domain is stabilized and the switching magnetic field is reduced. The manufacturing method uses two linear mask patterns intersecting with each other to form sharp corners of a ferromagnetic tunnel junction. An electron beam (EB) drawing may be used to form the S-shape plane. The magnetoresistance effect devices may be used in a magnetic memory apparatus, such as a random access memory, a personal digital assistance, a magnetic reproducing head, and a magnetic information reproducing apparatus.

摘要翻译： 用于获得磁稳定性并用于减小开关磁场的磁阻效应器件。 磁阻效应器件的铁磁层之一具有端部的宽度比夹在两个端部的中心部分宽的平面形状。 端部相对于铁磁材料层的平面形状的易磁化轴或长轴不对称，但是以平面形状的中心作为枢轴基本上是旋转对称的。 平面形状可以具有其磁畴稳定并且开关磁场减小的S形。 该制造方法使用彼此相交的两个线性掩模图案来形成铁磁隧道结的尖角。 可以使用电子束（EB）图来形成S形平面。 磁阻效应器件可以用在诸如随机存取存储器，个人数字助听器，磁再现头和磁信息再现设备之类的磁存储设备中。

公开(公告)号：US06730949B2

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10102944

申请日：2002-03-22

申请人： Tatsuya Kishi ,  Minoru Amano ,  Yoshiaki Saito ,  Shigeki Takahashi ,  Kentaro Nakajima ,  Masayuki Sagoi

发明人： Tatsuya Kishi ,  Minoru Amano ,  Yoshiaki Saito ,  Shigeki Takahashi ,  Kentaro Nakajima ,  Masayuki Sagoi

IPC分类号： H01L2972

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistance effect devices having a magnetization free layer free to rotate in an applied magnetic field. The magnetization free layer may include first and second ferromagnetic material layers with a nonmagnetic material layer disposed between the two ferromagnetic material layers. Those ferromagnetic materials are antiferromagnetically coupled with each other at a magnetic coupling field J (−3 [kOe]≦J

摘要翻译： 具有在施加的磁场中自由旋转的无磁化层的磁阻效应器件。 无磁化层可以包括第一和第二铁磁材料层，其中非磁性材料层设置在两个铁磁材料层之间。 这些铁磁材料在磁耦合场J（-3 [kOe] = J <0 [kOe]）处相互反铁磁耦合或者铁磁耦合。 或者，无磁化膜包括第一铁磁材料层，第一铁磁材料层包括具有第一磁化的中心区域和具有与第一磁化强度不同的第二磁化强度的边缘区域和第二铁磁材料层，第二铁磁材料层包括具有与第一磁化平行的第三磁化强度的中心区域 磁化和边缘区具有不同于第三磁化的第四磁化。 在另一个实施例中，在第一铁磁材料层和第一非磁性材料耦合层之间的界面处的粗糙度或第一第二铁磁材料层与第一非磁性材料耦合层之间的界面的粗糙度大于2埃。 此外，无磁化层可以由铁磁材料部分铁磁材料部分形成，或者是非磁性材料层和具有不均匀膜厚度的第一铁磁材料层。

公开(公告)号：US06556473B2

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US09912321

申请日：2001-07-26

申请人： Yoshiaki Saito ,  Koichiro Inomata ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi

发明人： Yoshiaki Saito ,  Koichiro Inomata ,  Minoru Amano ,  Kentaro Nakajima ,  Masayuki Sagoi ,  Tatsuya Kishi ,  Shigeki Takahashi

IPC分类号： G11C1100

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3231 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228

摘要： There is provided a magnetic memory including first and second wirings intersecting each other and disposed apart from each other, a magnetoresistance effect film positioned between the first and second wirings, and a first magnetic film including a first portion facing the magnetoresistance effect film with the first wiring interposed therebetween and a pair of second portions positioned on both sides of the first wiring and magnetically connected to the first portion, each of the first and second portions having either one of a high saturation magnetization soft magnetic material containing cobalt and a metal-nonmetal nano-granular film.

摘要翻译： 提供了一种磁存储器，包括彼此相交并彼此分开布置的第一和第二布线，位于第一和第二布线之间的磁阻效应膜，以及第一磁性膜，其包括面向磁阻效应膜的第一部分，其具有第一 插入其间的布线和位于第一布线的两侧并与第一部分磁连接的一对第二部分，第一和第二部分中的每一个具有包含钴的高饱和磁化软磁材料和金属非金属 纳米颗粒膜。