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公开(公告)号：US08685165B2
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：US11864677
申请日：2007-09-28
申请人： Antti Rahtu , Raija Matero , Markku Leskela , Mikko Ritala , Timo Hatanpaa , Timo Hanninen , Marko Vehkamaki
发明人： Antti Rahtu , Raija Matero , Markku Leskela , Mikko Ritala , Timo Hatanpaa , Timo Hanninen , Marko Vehkamaki
IPC分类号： C30B21/02
CPC分类号： C23C16/45553 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/45531 , C30B25/02 , C30B29/32
摘要： Atomic layer deposition (ALD) type processes for producing titanium containing oxide thin films comprise feeding into a reaction space vapor phase pulses of titanium alkoxide as a titanium source material and at least one oxygen source material, such as ozone, capable of forming an oxide with the titanium source material. In preferred embodiments the titanium alkoxide is titanium methoxide.
摘要翻译： 用于生产含钛氧化物薄膜的原子层沉积（ALD）型方法包括将作为钛源材料的钛醇盐的脉冲和至少一种能够形成氧化物的氧源材料 钛源材料。 在优选的实施方案中，钛醇盐是甲醇钛。
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公开(公告)号：US20070148347A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：US11318092
申请日：2005-12-22
申请人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
发明人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01L21/02194 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01G4/10 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/3141 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.
摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。
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公开(公告)号：US07713584B2
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：US11318092
申请日：2005-12-22
申请人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
发明人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
IPC分类号： C23C16/06
CPC分类号： H01L21/02194 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01G4/10 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/3141 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.
摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。
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公开(公告)号：US20050089632A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：US10696591
申请日：2003-10-28
申请人： Marko Vehkamaki , Timo Hatanpaa , Mikko Ritala , Markku Leskela
发明人： Marko Vehkamaki , Timo Hatanpaa , Mikko Ritala , Markku Leskela
IPC分类号： C07F9/94 , C23C16/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01B3/12 , H01B13/00 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： C23C16/45531 , C07F9/94 , C23C16/40 , C23C16/407 , C23C16/45525 , C23C16/45553
摘要： A process for producing bismuth-containing oxide thin films by Atomic Layer Deposition, including using an organic bismuth compound having at least one silylamido ligand as a source material for the bismuth oxide. Bismuth-containing oxide thin films produced by the preferred embodiments can be used, for example, as ferroelectric or dielectric material in integrated circuits and/or as superconductor materials.
摘要翻译： 通过原子层沉积法生产含铋氧化物薄膜的方法，包括使用具有至少一个甲硅烷酰氨基配体的有机铋化合物作为氧化铋的源材料。 由优选实施例制造的含铋氧化物薄膜可用作例如集成电路中的铁电体或介电材料和/或超导体材料。
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公开(公告)号：US20100285217A1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：US12777022
申请日：2010-05-10
申请人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
发明人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01L21/02194 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01G4/10 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/3141 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.
摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。
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公开(公告)号：US09169557B2
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：US12777022
申请日：2010-05-10
申请人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
发明人： Timo Hatanpaa , Marko Vehkamaki , Mikko Ritala , Markku Leskela
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01G4/10 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L49/02
CPC分类号： H01L21/02194 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01G4/10 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/3141 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.
摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。
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公开(公告)号：US20080072819A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：US11864677
申请日：2007-09-28
申请人： Antti Rahtu , Raija Matero , Markku Leskela , Mikko Ritala , Timo Hatanpaa , Timo Hanninen , Marko Vehkamaki
发明人： Antti Rahtu , Raija Matero , Markku Leskela , Mikko Ritala , Timo Hatanpaa , Timo Hanninen , Marko Vehkamaki
CPC分类号： C23C16/45553 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/45531 , C30B25/02 , C30B29/32
摘要： Atomic layer deposition (ALD) type processes for producing titanium containing oxide thin films comprise feeding into a reaction space vapour phase pulses of titanium alkoxide as a titanium source material and at least one oxygen source material, such as ozone, capable of forming an oxide with the titanium source material. In preferred embodiments the titanium alkoxide is titanium methoxide.
摘要翻译： 用于生产含钛氧化物薄膜的原子层沉积（ALD）型方法包括将作为钛源材料的钛醇盐的脉冲和至少一种能够形成氧化物的氧源材料 钛源材料。 在优选的实施方案中，钛醇盐是甲醇钛。
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公开(公告)号：US20060219157A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：US11317656
申请日：2005-12-22
申请人： Antti Rahtu , Raija Matero , Markku Leskela , Mikko Ritala , Timo Hatanpaa , Timo Hanninen , Marko Vehkamaki
发明人： Antti Rahtu , Raija Matero , Markku Leskela , Mikko Ritala , Timo Hatanpaa , Timo Hanninen , Marko Vehkamaki
CPC分类号： C23C16/45553 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/45531 , C30B25/02 , C30B29/32
摘要： Atomic layer deposition (ALD) type processes for producing titanium containing oxide thin films comprise feeding into a reaction space vapour phase pulses of titanium alkoxide as a titanium source material and at least one oxygen source material, such as ozone, capable of forming an oxide with the titanium source material. In preferred embodiments the titanium alkoxide is titanium methoxide.
摘要翻译： 用于生产含钛氧化物薄膜的原子层沉积（ALD）型方法包括将作为钛源材料的钛醇盐的脉冲和至少一种能够形成氧化物的氧源材料 钛源材料。 在优选的实施方案中，钛醇盐是甲醇钛。
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