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    Attenuated phase shift mask comprising phase shifting layer with parabolically shaped sidewalls
    1.
    发明授权
    Attenuated phase shift mask comprising phase shifting layer with parabolically shaped sidewalls 失效
    衰减的相移掩模包括具有抛物线形侧壁的相移层

    公开(公告)号：US5601954A

    公开(公告)日：1997-02-11

    申请号：US469148

    申请日：1995-06-05

    申请人： Zoran Krivokapic ,  Christopher A. Spence

    发明人： Zoran Krivokapic ,  Christopher A. Spence

    IPC分类号： G03F1/32 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/32

    摘要： An attenuated phase shift mask comprises a first layer having a thickness to provide a transmission in the range of about 3 to 10% formed on a transparent substrate and a second layer comprising a transparent material having a thickness to provide a desired phase shift, formed on said first layer. For a phase shift of 180.degree. and i-line wavelength (365 nm), where chromium is used as the first layer, then a thickness within the range of about 25 to 75 run is employed; where silicon dioxide is used as the second layer, then a thickness of about 400 to 450 nm is employed. While the oxide may be dry-etched, an isotropic wet etch provides superior aerial images.

    摘要翻译： 衰减相移掩模包括第一层，其具有提供在透明衬底上形成的大约3至10％范围内的透射率的厚度，以及包括具有提供期望相移的厚度的透明材料的第二层，形成在 说第一层。 对于使用铬作为第一层的180度和i线波长（365nm）的相移，则使用在约25至75nm范围内的厚度; 其中使用二氧化硅作为第二层，然后使用约400至450nm的厚度。 虽然氧化物可以被干蚀刻，但是各向同性的湿蚀刻提供了优异的航空图像。

    Attenuated phase shift mask
    2.
    发明授权
    Attenuated phase shift mask 失效
    衰减相移掩模

    公开(公告)号：US5928813A

    公开(公告)日：1999-07-27

    申请号：US684506

    申请日：1996-07-19

    申请人： Zoran Krivokapic ,  Christopher A. Spence

    发明人： Zoran Krivokapic ,  Christopher A. Spence

    IPC分类号： G03F1/32 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/32

    摘要： An attenuated phase shift mask comprises a first layer having a thickness to provide a transmission in the range of about 3 to 10% formed on a transparent substrate and a second layer comprising a transparent material having a thickness to provide a desired phase shift, formed on said first layer. For a phase shift of 180.degree. and i-line wavelength (365 nm) where chromium is used as the first layer, then a thickness within the range of about 25 to 75 nm is employed; where silicon dioxide is used as the second layer; then a thickness of about 400 to 450 nm is employed. While the oxide may be dry-etched, an isotropic wet etch provides superior aerial images.

    摘要翻译： 衰减相移掩模包括第一层，其具有提供在透明衬底上形成的大约3至10％范围内的透射率的厚度，以及包括具有提供期望相移的厚度的透明材料的第二层，形成在 说第一层。 对于使用铬作为第一层的180°和i线波长（365nm）的相移，则使用在约25nm至75nm范围内的厚度; 其中使用二氧化硅作为第二层; 然后使用约400至450nm的厚度。 虽然氧化物可以被干蚀刻，但是各向同性的湿蚀刻提供了优异的航空图像。

    Method and apparatus for compensating for critical dimension variations in the production of a semiconductor wafer
    4.
    发明授权
    Method and apparatus for compensating for critical dimension variations in the production of a semiconductor wafer 失效
    用于补偿半导体晶片生产中的临界尺寸变化的方法和装置

    公开(公告)号：US06255125B1

    公开(公告)日：2001-07-03

    申请号：US09277093

    申请日：1999-03-26

    申请人： Regina T. Schmidt ,  Christopher A. Spence ,  Anna M. Minvielle ,  Marina V. Plat ,  Khanh B. Nguyen

    发明人： Regina T. Schmidt ,  Christopher A. Spence ,  Anna M. Minvielle ,  Marina V. Plat ,  Khanh B. Nguyen

    IPC分类号： H01L2166

    CPC分类号： H01L22/34

    摘要： Prior to entering into manufacturing of a final production wafer, a series of test wafers are produced to analyze and test various structures. Each of the test wafers include a substrate, an insulating layer overlying the substrate, and a semi-conductive film layer formed over the insulating layer. The film layer is comprised of, for example, poly-silicon and has a predetermined thickness which substantially corresponds to the thickness of a film layer deposited on the final production wafer. The film layer is etched to form a desired pattern of structures and implanted with a dopant to diffuse dopant atoms thoughout. Thereafter, critical dimension measurements of the structures are taken preferably using electrical line width measurements techniques. Variations in critical dimension measurements taken from the test wafer as compared to desired predetermined line width measurements are compensated for prior to manufacturing the final production wafer so as to provide circuits with the desired electrical parameters.

    摘要翻译： 在制造最终生产晶片之前，制造了一系列测试晶片来分析和测试各种结构。 每个测试晶片包括衬底，覆盖衬底的绝缘层和形成在绝缘层上的半导电膜层。 膜层由例如多晶硅构成，并且具有基本对应于沉积在最终生产晶片上的膜层的厚度的预定厚度。 蚀刻膜层以形成期望的结构图案，并注入掺杂剂以扩散掺杂剂原子。 此后，优选使用电线宽度测量技术来获得结构的临界尺寸测量。 在制造最终生产晶片之前补偿与期望的预定线宽测量值相比，从测试晶片获取的临界尺寸测量值的变化，以便为电路提供所需的电参数。

    Predefined critical spaces in IC patterning to reduce line end pull back
    9.
    发明授权
    Predefined critical spaces in IC patterning to reduce line end pull back 有权
    IC图案化中预定的关键空间，以减少线端拉回

    公开(公告)号：US07071085B1

    公开(公告)日：2006-07-04

    申请号：US10852876

    申请日：2004-05-25

    申请人： Todd P. Lukanc ,  Luigi Capodieci ,  Christopher A. Spence ,  Joerg Reiss ,  Sarah N. McGowan

    发明人： Todd P. Lukanc ,  Luigi Capodieci ,  Christopher A. Spence ,  Joerg Reiss ,  Sarah N. McGowan

    IPC分类号： H01L21/475

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  Y10S438/947

    摘要： The invention includes an apparatus and a method of manufacturing such apparatus including the steps of: forming a layer to be patterned, forming a photosensitive layer over the layer to be patterned, patterning the photosensitive layer to form a pattern including a horizontal line and a vertical line without a space therebetween, transferring the pattern to the layer to be patterned, forming a second photosensitive layer over the pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern including a space aligned between the horizontal line and the vertical line, and transferring the second pattern to the layer to be patterned to form a third pattern including a horizontal line and a vertical line with a space therebetween, the space including a width dimension achievable at a resolution limit of lithography.

    摘要翻译： 本发明包括一种制造这种设备的装置和方法，包括以下步骤：形成待图案化的层，在待图案化的层上形成感光层，使光敏层形成图案，形成包括水平线和垂直线 将图案转移到待图案化的层上，在图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成包括在水平线和垂直线之间对准的空间的第二图案，并且转印 第二图案到要被图案化的层以形成包括水平线和在其间具有空间的垂直线的第三图案，该空间包括在光刻的分辨率极限下可实现的宽度尺寸。

    Method of enhancing clear field phase shift masks with chrome border around phase 180 regions
    10.
    发明授权
    Method of enhancing clear field phase shift masks with chrome border around phase 180 regions 有权
    在相位180区域附近用镀铬边框增强清除场相移掩模的方法

    公开(公告)号：US06749971B2

    公开(公告)日：2004-06-15

    申请号：US10016710

    申请日：2001-12-11

    申请人： Todd P. Lukanc ,  Christopher A. Spence

    发明人： Todd P. Lukanc ,  Christopher A. Spence

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/30 ,  G03F1/70

    摘要： A mask generation method can enhance clear field phase shift masks using a chrome border around phase 180 regions. An exemplary method involves identifying edges of a 180 degree phase pattern, expanding these edges, and merging the expansions with chrome. An alternative method involves oversizing and undersizing phase 180 data, taking the difference, and merging the difference with chrome. The chrome region on the phase mask can improve mask generation by allowing the chrome on the mask to fully define the quartz etch.

    摘要翻译： 掩模生成方法可以使用围绕相位180区域的镀铬边框增强清晰的场相移掩模。 一个示例性的方法包括识别180度相位图案的边缘，展开这些边缘，以及使用chrome合并展开。 另一种方法是超过180度的数据，并将其与铬相结合。 相位掩模上的铬区域可以通过使掩模上的铬完全限定石英蚀刻来改善掩模生成。