公开(公告)号：US08012257B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US11731790

申请日：2007-03-30

申请人： Kenneth E. Morgan ,  Leo J. Schowalter ,  Glen A. Slack

发明人： Kenneth E. Morgan ,  Leo J. Schowalter ,  Glen A. Slack

IPC分类号： C30B23/00

CPC分类号： C04B35/581 ,  C01B21/0722 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/79 ,  C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  C30B33/02

摘要： Fabrication of doped and undoped stoichiometric polycrystalline AlN ceramics with high purity is accomplished by, for example, reacting Al pellets with nitrogen gas. Such polycrystalline AlN ceramics may be utilized in the fabrication of high purity AlN single crystals, which may be annealed to enhance a conductivity thereof.

摘要翻译： 通过例如使Al颗粒与氮气反应来实现具有高纯度的掺杂和未掺杂化学计量的多晶AlN陶瓷的制备。 这种多晶AlN陶瓷可以用于制造高纯度AlN单晶，其可以退火以增强其导电性。

公开(公告)号：US07641735B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US11633667

申请日：2006-12-04

申请人： Glen A. Slack ,  Leo J. Schowalter

发明人： Glen A. Slack ,  Leo J. Schowalter

IPC分类号： C30B7/02

CPC分类号： H01L29/207 ,  C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/325

摘要： Fabrication of doped AlN crystals and/or AlGaN epitaxial layers with high conductivity and mobility is accomplished by, for example, forming mixed crystals including a plurality of impurity species and electrically activating at least a portion of the crystal.

摘要翻译： 具有高导电性和迁移率的掺杂AlN晶体和/或AlGaN外延层的制造通过例如形成包括多个杂质物质的混合晶体并电激活至少一部分晶体来实现。

公开(公告)号：US20090283028A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US11503660

申请日：2006-08-14

申请人： Leo J. Schowalter ,  Joseph A. Smart ,  Shiwen Liu ,  Kenneth E. Morgan ,  Robert T. Bondokov ,  Timothy J. Bettles ,  Glen A. Slack

发明人： Leo J. Schowalter ,  Joseph A. Smart ,  Shiwen Liu ,  Kenneth E. Morgan ,  Robert T. Bondokov ,  Timothy J. Bettles ,  Glen A. Slack

IPC分类号： C30B1/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor structures and devices based thereon include an aluminum nitride single-crystal substrate and at least one layer epitaxially grown thereover. The epitaxial layer may comprise at least one of AlN, GaN, InN, or any binary or tertiary alloy combination thereof, and have an average dislocation density within the semiconductor heterostructure is less than about 106 cm−2.

摘要翻译： 基于其的半导体结构和器件包括氮化铝单晶衬底和在其上外延生长的至少一层。 外延层可以包括AlN，GaN，InN或其任何二元或三元合金组合中的至少一种，并且半导体异质结构内的平均位错密度小于约106cm -2。

公开(公告)号：US07211146B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US10822336

申请日：2004-04-12

申请人： Leo J. Schowalter ,  Glen A. Slack

发明人： Leo J. Schowalter ,  Glen A. Slack

IPC分类号： C30B11/06

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B11/002 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1084

摘要： A crucible for growing III-nitride (e.g., aluminum nitride) single crystals is provided. The crucible includes an elongated wall structure defining an interior crystal growth cavity. Embodiments include a plurality of grains and a wall thickness of at least about 1.5 times the average grain size. In particular embodiments, the crucible includes first and second layers of grains the first layer including grains forming an inside surface thereof and the second layer being superposed with the first layer. The crucible may be fabricated from tungsten-rhenium (W—Re) alloys; rhenium (Re); tantalum monocarbide (TaC); tantalum nitride (Ta2N); hafnium nitride (HfN); a mixture of tungsten and tantalum (W—Ta); tungsten (W); and combinations thereof.

摘要翻译： 提供了用于生长III族氮化物（例如氮化铝）单晶的坩埚。 坩埚包括限定内部晶体生长腔的细长壁结构。 实施例包括多个晶粒和至少约平均晶粒尺寸的1.5倍的壁厚。 在具体实施方案中，坩埚包括第一和第二颗粒层，第一层包括形成内表面的颗粒，第二层与第一层重叠。 坩埚可以由钨 - 铼（W-Re）合金制成; 铼（Re）; 钽单体碱（TaC）; 氮化钽（Ta 2 N）; 氮化铪（HfN）; 钨和钽的混合物（W-Ta）; 钨（W）; 及其组合。

公开(公告)号：US07037838B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10300481

申请日：2002-11-20

申请人： Leo J. Schowalter ,  Javier Martinez Lopez ,  Juan Carlos Rojo ,  Kenneth Morgan

发明人： Leo J. Schowalter ,  Javier Martinez Lopez ,  Juan Carlos Rojo ,  Kenneth Morgan

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  B24B49/006 ,  H01L21/02052

摘要： According to one aspect of the invention, an improved process for preparing a surface of substrate is provided wherein the surface of the substrate is prepared for a chemical mechanical polishing (CMP) process, the CMP process is performed on the surface of the substrate, and the surface of the substrate is finished to clear the substrate surface of any active ingredients from the CMP process. Also, an improved substrate produced by the method is provided. According to one aspect of the invention, particular polishing materials and procedures may be used that allow for increased quality of AlN substrate surfaces.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面，提供了一种用于制备衬底表面的改进方法，其中衬底的表面准备用于化学机械抛光（CMP）工艺，在衬底的表面上进行CMP工艺，以及 完成基材的表面以从CMP工艺中清除任何活性成分的基材表面。 此外，提供了通过该方法制备的改进的基板。 根据本发明的一个方面，可以使用允许增加AlN衬底表面质量的特定抛光材料和程序。

公开(公告)号：US06719843B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10251106

申请日：2002-09-20

申请人： Leo J. Schowalter ,  Glen A. Slack

发明人： Leo J. Schowalter ,  Glen A. Slack

IPC分类号： C30B1114

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B11/002 ,  C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1084 ,  Y10T117/1088

摘要： A crucible for growing III-nitride (e.g., aluminum nitride) single crystals is provided. The crucible includes an elongated wall structure defining an interior crystal growth cavity. The crucible includes a plurality of tungsten grains and a wall thickness of at least about 1.5 times the average tungsten grain size. In particular embodiments, the crucible includes first and second layers of tungsten grains the first layer including grains forming an inside surface thereof and the second layer being superposed with the first layer. The crucible may be machined from a bar, plate, or billet of powder metallurgy tungsten.

摘要翻译： 提供了用于生长III族氮化物（例如氮化铝）单晶的坩埚。 坩埚包括限定内部晶体生长腔的细长壁结构。 坩埚包括多个钨颗粒和至少约1.5倍平均钨粒度的壁厚。 在具体实施方案中，坩埚包括第一和第二层钨颗粒，第一层包括形成内表面的颗粒，第二层与第一层重叠。 坩埚可以从棒，板或粉末冶金钨的坯料加工。