公开(公告)号：US06214749B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US08949283

申请日：1997-10-21

申请人： Hiroyuki Watanabe ,  Hideki Mizuhara ,  Kaori Misawa ,  Masaki Hirase ,  Hiroyuki Aoe

发明人： Hiroyuki Watanabe ,  Hideki Mizuhara ,  Kaori Misawa ,  Masaki Hirase ,  Hiroyuki Aoe

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877

摘要： A semiconductor producing method includes the steps of: forming an SOG pre-film on a semimanufactured semiconductor device by means of spin-on-glass (SOG) process; and forming a modified SOG film by doping the SOG pre-film with at least one impurity ion selected from: inert gas ions; simple ions of Groups IIIb, IVb, Vb, VIb, VIIb, IVa and Va elements; and ions of compounds containing any one of Groups IIIb, IVb, Vb, VIb, VIIb, IVa and Va elements.

摘要翻译： 半导体制造方法包括以下步骤：通过旋涂玻璃（SOG）工艺在半制造的半导体器件上形成SOG预膜; 并通过用选自惰性气体离子的至少一种杂质离子掺杂SOG预膜来形成改性SOG膜; IIIb，IVb，Vb，VIb，VIIb，IVa和Va族元素的简单离子; 和含有IIIb，IVb，Vb，VIb，VIIb，IVa和Va族元素中的任何一种的化合物的离子。

公开(公告)号：US6150725A

公开(公告)日：2000-11-21

申请号：US030560

申请日：1998-02-25

申请人： Kaori Misawa ,  Hiroyasu Ishihara ,  Hideki Mizuhara

发明人： Kaori Misawa ,  Hiroyasu Ishihara ,  Hideki Mizuhara

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/85201 ,  H01L24/45 ,  H01L24/50 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

摘要： An enclosure is formed on a substrate of a semiconductor device surrounding a bonding pad, such that a groove is formed between the enclosure and the bonding pad. An insulating film is formed over the substrate, including the enclosure and the groove. The groove and the film prevent moisture and contaminants from seeping into the semiconductor device.

摘要翻译： 在围绕焊盘的半导体器件的基板上形成外壳，使得在外壳和接合焊盘之间形成凹槽。 绝缘膜形成在基板上，包括外壳和凹槽。 槽和膜防止水分和污染物渗入半导体器件。