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    Memristors with asymmetric electrodes
    92.
    发明授权
    Memristors with asymmetric electrodes 有权
    带不对称电极的忆阻器

    公开(公告)号：US09171613B2

    公开(公告)日：2015-10-27

    申请号：US13322291

    申请日：2009-07-28

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Jianhua Yang ,  Shih-Yuan Wang ,  Michael Stuke

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Jianhua Yang ,  Shih-Yuan Wang ,  Michael Stuke

    IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L47/00 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/1273 ,  G11C13/0007 ,  G11C16/02 ,  G11C2213/19 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

    摘要： Embodiments of the present invention are directed to nanoscale memristor devices that provide nonvolatile memristive switching. In one embodiment, a memristor device includes an active region, a first electrode disposed on a first surface of the active region, and a second electrode disposed on a second surface of the active region, the second surface opposite the first surface. The first electrode is configured with a smaller width than the active region in a first direction, and the second electrode is configured with a larger width than the active region in a second direction. Application of a voltage to at least one of the electrodes produces an electric field across a sub-region within the active region between the first electrode and the second electrode.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及提供非易失性忆阻转换的纳米级忆阻器装置。 在一个实施例中，忆阻器件包括有源区域，设置在有源区域的第一表面上的第一电极和设置在有源区域的第二表面上的第二电极，第二表面与第一表面相对。 第一电极被配置为在第一方向上具有比有源区域更小的宽度，并且第二电极被配置为在第二方向上具有比有源区域更大的宽度。 向至少一个电极施加电压产生穿过第一电极和第二电极之间的有源区域内的子区域的电场。

    Abutment devices and methods for natural teeth
    93.
    发明授权
    Abutment devices and methods for natural teeth 有权
    天然牙齿的基台装置和方法

    公开(公告)号：US09168111B2

    公开(公告)日：2015-10-27

    申请号：US13021616

    申请日：2011-02-04

    申请人： Young Seo ,  Jianhua Yang ,  Victor Chechelski ,  Jong Gil Park

    发明人： Young Seo ,  Jianhua Yang ,  Victor Chechelski ,  Jong Gil Park

    IPC分类号： A61C13/12 ,  A61C8/00 ,  A61C5/08 ,  A61C13/265 ,  A61C13/30 ,  A61C19/06 ,  A61C3/16

    CPC分类号： A61C8/0065 ,  A61C3/16 ,  A61C5/30 ,  A61C5/70 ,  A61C8/0025 ,  A61C8/0048 ,  A61C8/005 ,  A61C8/0053 ,  A61C8/0056 ,  A61C8/0059 ,  A61C8/0062 ,  A61C8/0068 ,  A61C8/0071 ,  A61C8/0081 ,  A61C8/0089 ,  A61C13/2656 ,  A61C13/30 ,  A61C19/06 ,  A61C2201/007 ,  A61F2210/0038

    摘要： Root canal abutment devices and methods which facilitate the adjustment or removal of an oral appliance, e.g., a crown or bridge, from a reconfigurable abutment assembly are described. The adjustable abutment assembly may be secured within a pulp chamber of a pre-existing tooth. The abutment assembly has a projecting abutment portion with one or more shape memory alloy sleeves or plates or elements extending along the abutment. Each of the sleeves has a length with at least one curved or arcuate portion. Energy may be applied to the elements such that the arcuate portion flattens to allow for the oral appliance to be placed thereupon while removal of the energy allows the elements to reconfigure into its curved configuration thereby locking the oral appliance to the abutment. Removal of the oral appliance may be effected by reapplication of energy to the elements.

    摘要翻译： 描述了便于从可重新配置的邻接组件调节或去除口腔器具（例如牙冠或桥）的根管邻接装置和方法。 可调节的邻接组件可以固定在预先存在的牙齿的纸浆室内。 邻接组件具有突出的邻接部分，其具有一个或多个形状记忆合金套管或沿着邻接部延伸的板或元件。 每个套筒具有至少一个弯曲或弓形部分的长度。 可以将能量施加到元件上，使得弓形部分平坦化以允许口腔器具放置在其上，同时移除能量允许元件重新配置成其弯曲构型，从而将口腔器具锁定到邻接处。 可以通过将能量重新应用于元件来实现口腔器具的移除。

    NONLINEAR MEMRISTORS
    95.
    发明申请
    NONLINEAR MEMRISTORS 审中-公开
    非线性仪器

    公开(公告)号：US20150053909A1

    公开(公告)日：2015-02-26

    申请号：US14385259

    申请日：2012-04-25

    申请人： Jianhua Yang ,  Max Zhang ,  Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams

    发明人： Jianhua Yang ,  Max Zhang ,  Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

    摘要： A nonlinear memristor includes a bottom electrode, a top electrode, and an insulator layer between the bottom electrode and the top electrode. The insulator layer comprises a metal oxide. The nonlinear memristor further includes a switching channel within the insulator layer, extending from the bottom electrode toward the top electrode, and a nano-cap layer of a metal-insulator-transition material between the switching channel and the top electrode. The top electrode comprises the same metal as the metal in the metal-insulator-transition material.

    摘要翻译： 非线性忆阻器包括在底部电极和顶部电极之间的底部电极，顶部电极和绝缘体层。 绝缘体层包括金属氧化物。 所述非线性忆阻器还包括在所述绝缘体层内从所述底部电极朝向所述顶部电极延伸的开关通道，以及在所述开关沟道和所述顶部电极之间的金属 - 绝缘体 - 过渡材料的纳米帽层。 顶部电极包括与金属 - 绝缘体 - 过渡材料中的金属相同的金属。

    Switchable two-terminal devices with diffusion/drift species
    97.
    发明授权
    Switchable two-terminal devices with diffusion/drift species 有权
    具有扩散/漂移物种的可切换双端子器件

    公开(公告)号：US08879300B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US13384853

    申请日：2010-04-22

    申请人： Jianhua Yang ,  Wei Wu ,  Qiangfei Xia

    发明人： Jianhua Yang ,  Wei Wu ,  Qiangfei Xia

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/102

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L27/1021 ,  H01L45/08

    摘要： Various embodiments of the present invention are directed to nanoscale electronic devices that provide nonvolatile memristive switching. In one aspect, a two-terminal device (600) comprises a first electrode (602), a second electrode (604), and an active region (606) disposed between the first electrode and the second electrode. The active region includes a mobile dopant (608), and a fast drift ionic species (610). The fast drift ionic species drifts into a diode-like electrode/active region interface temporarily increasing conductance across the interface when a write voltage is applied to the two-terminal device to switch the device conductance.

    摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及提供非易失性忆阻切换的纳米级电子器件。 在一个方面，双端器件（600）包括第一电极（602），第二电极（604）和设置在第一电极和第二电极之间的有源区（606）。 有源区包括移动掺杂剂（608）和快速漂移的离子物质（610）。 当向双端器件施加写入电压以切换器件电导时，快速漂移的离子物质漂移到二极管状电极/有源区接口中，暂时增加跨接口的电导。

    RECOMBINANT T CELL LIGANDS AND ANTIBODIES THAT BIND B CELLS FOR THE TREATMENT OF AUTOIMMUNE DISEASES
    100.
    发明申请
    RECOMBINANT T CELL LIGANDS AND ANTIBODIES THAT BIND B CELLS FOR THE TREATMENT OF AUTOIMMUNE DISEASES 审中-公开
    B细胞用于治疗自身免疫性疾病的重组T细胞配体和抗体

    公开(公告)号：US20130309229A1

    公开(公告)日：2013-11-21

    申请号：US13981888

    申请日：2012-01-26

    申请人： Jianhua Yang ,  Jianya Huan ,  Arthur A. Vandenbark

    发明人： Jianhua Yang ,  Jianya Huan ,  Arthur A. Vandenbark

    IPC分类号： A61K39/00 ,  A61K45/06 ,  A61K39/395

    CPC分类号： A61K39/0008 ,  A61K39/3955 ,  A61K45/06 ,  A61K2039/505 ,  A61K2039/605 ,  C07K16/2887 ,  A61K2300/00

    摘要： Methods are disclosed for treating or inhibiting an autoimmune disease in a subject. In some embodiments, the disclosed methods include administering to the subject a therapeutically effective amount of one or more Major Histocompatibility Complex (MHC) molecules including covalently linked first, second and third domains; wherein the first domain is an MHC class II β1 domain and the second domain is an MHC class II α1 domain, wherein the amino terminus of the α1 domain is covalently linked to the carboxy terminus of the β1 domain; or wherein the first domain is an MHC class I α1 domain and the second domain is an MHC class I α2 domain, wherein the amino terminus of the α2 domain is covalently linked to the carboxy terminus of the α1 domain; and wherein the third domain is covalently linked to the first domain and comprises an antigen associated with the autoimmune disorder. The method also includes administering a therapeutically effective amount of one or more antibodies that bind to B cells, for example an antibody that specifically binds CD20. In specific non-limiting examples, the autoimmune disease is multiple sclerosis or rheumatoid arthritis.

    摘要翻译： 公开了用于治疗或抑制受试者中的自身免疫疾病的方法。 在一些实施方案中，所公开的方法包括向受试者施用治疗有效量的一种或多种主要组织相容性复合物（MHC）分子，包括共价连接的第一，第二和第三结构域; 其中第一结构域是MHC II类β1结构域，第二结构域是MHC II类α1结构域，其中α1结构域的氨基末端共价连接到β1结构域的羧基末端; 或其中第一结构域是MHC I型α1结构域，而第二结构域是MHC I类α2结构域，其中α2结构域的氨基末端共价连接到α1结构域的羧基末端; 并且其中所述第三结构域共价连接到所述第一结构域并且包含与所述自身免疫病症相关的抗原。 该方法还包括施用治疗有效量的一种或多种结合B细胞的抗体，例如特异性结合CD20的抗体。 在具体的非限制性实例中，自身免疫性疾病是多发性硬化或类风湿性关节炎。