-
公开(公告)号：US20150053909A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：US14385259
申请日：2012-04-25
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要： A nonlinear memristor includes a bottom electrode, a top electrode, and an insulator layer between the bottom electrode and the top electrode. The insulator layer comprises a metal oxide. The nonlinear memristor further includes a switching channel within the insulator layer, extending from the bottom electrode toward the top electrode, and a nano-cap layer of a metal-insulator-transition material between the switching channel and the top electrode. The top electrode comprises the same metal as the metal in the metal-insulator-transition material.
摘要翻译： 非线性忆阻器包括在底部电极和顶部电极之间的底部电极，顶部电极和绝缘体层。 绝缘体层包括金属氧化物。 所述非线性忆阻器还包括在所述绝缘体层内从所述底部电极朝向所述顶部电极延伸的开关通道，以及在所述开关沟道和所述顶部电极之间的金属 - 绝缘体 - 过渡材料的纳米帽层。 顶部电极包括与金属 - 绝缘体 - 过渡材料中的金属相同的金属。
-
公开(公告)号：US20130026434A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：US13383634
申请日：2010-01-29
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1253
摘要： A memristor with a controlled electrode grain size includes an adhesion layer, a first electrode having a first surface contacting the adhesion layer and a second surface opposite the first surface, in which the first electrode is formed of an alloy of a base material and at least one second material, and in which the alloy has a relatively smaller grain size than a grain size of the base material. The memristor also includes a switching layer positioned adjacent to the second surface of the first electrode and a second electrode positioned adjacent to the switching layer.
摘要翻译： 具有受控电极晶粒尺寸的忆阻器包括粘合层，具有接触粘附层的第一表面的第一电极和与第一表面相对的第二表面，其中第一电极由基材的合金和至少 一种第二材料，并且其中合金具有比基材的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。 忆阻器还包括邻近第一电极的第二表面定位的开关层和邻近开关层定位的第二电极。
-
公开(公告)号：US08525553B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US13459877
申请日：2012-04-30
申请人： Wei Yi , Jianhua Yang , Matthew D. Pickett , Minxian Max Zhang
发明人： Wei Yi , Jianhua Yang , Matthew D. Pickett , Minxian Max Zhang
IPC分类号： H03K19/02
CPC分类号： H03K3/313 , H01L27/0802 , H03K19/10
摘要： In one example, an oxide-based negative differential resistance comparator circuit includes a composite NDR device that includes a first electrode, a first thin film oxide-based negative differential resistance (NDR) layer in contact with the first electrode and a central conductive portion. The composite NDR device also includes a second thin film oxide-based NDR layer disposed adjacent to the first NDR layer and a second electrode. A resistor may be placed in series with the composite NDR device and an electrical energy source can apply applying a voltage across the first electrode and second electrode. The composite NDR device produces a threshold based comparator functionality in the comparator circuit.
摘要翻译： 在一个示例中，基于氧化物的负差分电阻比较器电路包括复合NDR器件，其包括第一电极，与第一电极接触的第一基于薄膜氧化物的负差分电阻（NDR）层和中心导电部分。 复合NDR器件还包括邻近第一NDR层设置的第二薄膜氧化物基NDR层和第二电极。 电阻器可以与复合NDR器件串联放置，并且电能源可施加跨越第一电极和第二电极的电压。 复合NDR器件在比较器电路中产生基于阈值的比较器功能。
-
公开(公告)号：US20120249252A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：US13078595
申请日：2011-04-01
申请人： Julien Borghetti , Matthew D. Pickett , Gilberto Medelros Ribeiro , Wei Yi , Jianhua Yang , Minxian Max Zhang
发明人： Julien Borghetti , Matthew D. Pickett , Gilberto Medelros Ribeiro , Wei Yi , Jianhua Yang , Minxian Max Zhang
IPC分类号： H03B7/00
CPC分类号： H03B7/00
摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.
摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。
-
公开(公告)号：US08885422B2
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：US13256242
申请日：2009-06-12
CPC分类号： G11C5/02 , G11C5/063 , G11C2213/71
摘要： A hierarchical on-chip memory (400) includes an area distributed CMOS layer (310) comprising input/output functionality and volatile memory and via array (325, 330), the area distributed CMOS layer (310) configured to selectively address the via array (325, 330). A crossbar memory (305) overlies the area distributed CMOS layer (310) and includes programmable crosspoint devices (315) which are uniquely accessed through the via array (325, 330). A method for utilizing hierarchical on-chip memory (400) includes storing frequently rewritten data in a volatile memory and storing data which is not frequently rewritten in a non-volatile memory (305), where the volatile memory is contained within an area distributed CMOS layer (310) and the non-volatile memory (305) is formed over and accessed through the area distributed CMOS layer (310).
摘要翻译： 分层片上存储器（400）包括包括输入/输出功能的区域分布式CMOS层（310）和易失性存储器和通孔阵列（325,330），所述区域分布式CMOS层（310）被配置为选择性地寻址通孔阵列 （325,330）。 交叉开关存储器（305）覆盖区域分布式CMOS层（310），并且包括通过通孔阵列（325,330）唯一访问的可编程交叉点设备（315）。 一种用于利用分层片上存储器（400）的方法包括：将经常重写的数据存储在易失性存储器中，并将非频繁重写的数据存储在非易失性存储器（305）中，其中易失性存储器包含在区域分布式CMOS 层（310）和非易失性存储器（305）形成在区域分布式CMOS层（310）上并通过区域分布式CMOS层（310）访问。
-
公开(公告)号：US20140304467A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：US14349352
申请日：2011-10-27
CPC分类号： G06F5/08 , G11C7/1012 , G11C7/1036 , G11C19/00 , G11C19/28 , G11C21/00
摘要： Shiftable memory employs ring registers to shift a contiguous subset of data words stored in the ring registers within the shiftable memory. A shiftable memory includes a memory having built-in word-level shifting capability. The memory includes a plurality of ring registers to store data words. A contiguous subset of data words is shiftable between sets of the ring registers of the plurality from a first location to a second location within the memory. The contiguous subset of data words has a size that is smaller than a total size of the memory. The memory shifts only data words stored inside the contiguous subset when the contiguous subset is shifted.
摘要翻译： 可移动存储器使用振铃寄存器来移位存储在可移位存储器内的环形寄存器中的数据字的连续子集。 可移位存储器包括具有内置字级移位能力的存储器。 存储器包括多个用于存储数据字的环形寄存器。 数据字的连续子集可在存储器内的第一位置到第二位置的多个环形寄存器的集合之间移位。 数据字的连续子集具有小于存储器总大小的大小。 当连续子集移位时，存储器仅移动存储在连续子集内的数据字。
-
公开(公告)号：US20130249879A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：US13424776
申请日：2012-03-20
IPC分类号： G06F3/038
CPC分类号： G09G3/3648 , G09G3/20
摘要： A display matrix may have a resistance switch and a display element formed on a common display substrate. The resistance switch may have a metal insulator transition (MIT) material that has a negative differential resistance (NDR) characteristic that exhibits a discontinuous resistance.
摘要翻译： 显示矩阵可以具有形成在公共显示基板上的电阻开关和显示元件。 电阻开关可以具有呈现不连续电阻的具有负差分电阻（NDR）特性的金属绝缘体转变（MIT）材料。
-
公开(公告)号：US20130207069A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：US13880269
申请日：2010-10-21
申请人： Matthew D. Pickett , Philip J. Kuekes , R. Stanley Williams , Frederick Perner , Wei Wu , Alexandre M. Bratkovski
发明人： Matthew D. Pickett , Philip J. Kuekes , R. Stanley Williams , Frederick Perner , Wei Wu , Alexandre M. Bratkovski
CPC分类号： H01L47/02 , H01L47/005 , H01L49/003
摘要： A metal-insulator transition switching device includes a first electrode and a second electrode. A channel region which includes a bulk metal-insulator transition material separates the first electrode and the second electrode. A method for forming a metal-insulator transition switching device includes depositing a layer of bulk metal-insulator transition material in between a first electrode and a second electrode to form a channel region and forming a gate electrode operatively connected to the channel region.
摘要翻译： 金属 - 绝缘体转变开关器件包括第一电极和第二电极。 包括体金属 - 绝缘体转移材料的沟道区域分离第一电极和第二电极。 一种用于形成金属 - 绝缘体转变开关器件的方法包括在第一电极和第二电极之间沉积体金属 - 绝缘体转变材料层以形成沟道区并形成可操作地连接到沟道区的栅电极。
-
9.发明申请公开(公告)号：US20130099187A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：US13281186
申请日：2011-10-25
CPC分类号： H01L47/00 , H01L27/26 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , Y10T428/197 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
摘要： A multilayer structure is disclosed that includes a conductive layer, a layer of a negative differential resistance (NDR) material disposed above the conductive layer, a layer M2 disposed above the NDR material, a second layer of NDR material disposed above layer M2, and a conductive layer disposed above the second NDR layer. Layer M2 can include a conductive material interspersed with regions of a dielectric material or a layer of the dielectric material and regions of the conductive material disposed above and below the dielectric material.
摘要翻译： 公开了一种多层结构，其包括导电层，设置在导电层上方的负差动电阻（NDR）材料层，设置在NDR材料上方的层M2，设置在层M2上方的NDR材料的第二层，以及 导电层设置在第二NDR层之上。 层M2可以包括散布有电介质材料的区域或电介质材料层的导电材料和设置在电介质材料上方和下方的导电材料的区域。
-
10.发明授权公开(公告)号：US08729518B2
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：US13281186
申请日：2011-10-25
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L47/00 , H01L27/26 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , Y10T428/197 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
摘要： A multilayer structure is disclosed that includes a conductive layer, a layer of a negative differential resistance (NDR) material disposed above the conductive layer, a layer M2 disposed above the NDR material, a second layer of NDR material disposed above layer M2, and a conductive layer disposed above the second NDR layer. Layer M2 can include a conductive material interspersed with regions of a dielectric material or a layer of the dielectric material and regions of the conductive material disposed above and below the dielectric material.
摘要翻译： 公开了一种多层结构，其包括导电层，设置在导电层上方的负差动电阻（NDR）材料层，设置在NDR材料上方的层M2，设置在层M2上方的NDR材料的第二层，以及 导电层设置在第二NDR层之上。 层M2可以包括散布有电介质材料的区域或电介质材料层的导电材料和设置在电介质材料上方和下方的导电材料的区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
77 条记录 (耗时 0.029 秒)
