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公开(公告)号：US20150041751A1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：US14385544
申请日：2012-04-26
IPC分类号： H01L29/24 , H01L21/02 , H01L29/861 , H01L45/00 , H01L29/8605 , H01L29/92
CPC分类号： H01L29/24 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , H01L21/02425 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1021 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L29/0676 , H01L29/247 , H01L29/47 , H01L29/8605 , H01L29/861 , H01L29/8616 , H01L29/872 , H01L29/92 , H01L45/00 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： In one example, a customizable nonlinear electrical device includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a thin film metal-oxide layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer to form a first rectifying interface between the metal-oxide layer and the first conductive layer and a second rectifying interface between the metal-oxide layer and the second conductive layer. The metal-oxide layer includes an electrically conductive mixture of co-existing metal and metal oxides. A method forming a nonlinear electrical device is also provided.
摘要翻译： 在一个示例中，可定制的非线性电气装置包括第一导电层，第二导电层和夹在第一导电层和第二导电层之间的薄膜金属氧化物层，以在金属氧化物之间形成第一整流界面 层和第一导电层以及金属氧化物层和第二导电层之间的第二整流界面。 金属氧化物层包括共存的金属和金属氧化物的导电混合物。 还提供了形成非线性电气装置的方法。
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公开(公告)号：US20140027705A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：US13560935
申请日：2012-07-27
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675
摘要： A memristor array includes a lower layer of crossbars, upper layer of crossbars intersecting the lower layer of crossbars, memristor cells interposed between intersecting crossbars, and pores separating adjacent memristor cells. A method forming a memristor array is also provided.
摘要翻译： 忆阻器阵列包括下层交叉梁，与下部交叉梁交叉的上层交叉杆，夹在相交的横梁之间的忆阻单元以及分隔相邻的忆阻单元的孔。 还提供了一种形成忆阻器阵列的方法。
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公开(公告)号：US08921960B2
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：US13560935
申请日：2012-07-27
IPC分类号： H01L29/86
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675
摘要： A memristor array includes a lower layer of crossbars, upper layer of crossbars intersecting the lower layer of crossbars, memristor cells interposed between intersecting crossbars, and pores separating adjacent memristor cells. A method forming a memristor array is also provided.
摘要翻译： 忆阻器阵列包括下层交叉梁，与下部交叉梁交叉的上层交叉杆，夹在相交的横梁之间的忆阻单元以及分隔相邻的忆阻单元的孔。 还提供了一种形成忆阻器阵列的方法。
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公开(公告)号：US08767438B2
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：US13424034
申请日：2012-03-19
申请人： Jianhua Yang , Byungjoon Choi , Minxian Max Zhang , Gilberto Medeiros Ribeiro , R. Stanley Williams
发明人： Jianhua Yang , Byungjoon Choi , Minxian Max Zhang , Gilberto Medeiros Ribeiro , R. Stanley Williams
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/149
摘要： A memelectronic device may have a first and a second electrode spaced apart by a plurality of materials. A first material may have a memory characteristic exhibited by the first material maintaining a magnitude of an electrically controlled physical property after discontinuing an electrical stimulus on the first material. A second material may have an auxiliary characteristic.
摘要翻译： 电子器件可以具有由多个材料隔开的第一和第二电极。 第一材料可以具有在第一材料上停止电刺激之后第一材料表现出的存储特性，其维持电控物理性质的大小。 第二种材料可能具有辅助特性。
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公开(公告)号：US09224821B2
公开(公告)日：2015-12-29
申请号：US14385544
申请日：2012-04-26
IPC分类号： H01L45/00 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872 , B82Y10/00 , H01L27/102 , G11C13/00 , H01L27/24 , H01L21/02 , H01L29/8605 , H01L29/92 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/24 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , H01L21/02425 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1021 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L29/0676 , H01L29/247 , H01L29/47 , H01L29/8605 , H01L29/861 , H01L29/8616 , H01L29/872 , H01L29/92 , H01L45/00 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： In one example, a customizable nonlinear electrical device includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a thin film metal-oxide layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer to form a first rectifying interface between the metal-oxide layer and the first conductive layer and a second rectifying interface between the metal-oxide layer and the second conductive layer. The metal-oxide layer includes an electrically conductive mixture of co-existing metal and metal oxides. A method forming a nonlinear electrical device is also provided.
摘要翻译： 在一个示例中，可定制的非线性电气装置包括第一导电层，第二导电层和夹在第一导电层和第二导电层之间的薄膜金属氧化物层，以在金属氧化物之间形成第一整流界面 层和第一导电层以及金属氧化物层和第二导电层之间的第二整流界面。 金属氧化物层包括共存的金属和金属氧化物的导电混合物。 还提供了形成非线性电气装置的方法。
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公开(公告)号：US20130242637A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：US13424034
申请日：2012-03-19
申请人： Jianhua Yang , Byungjoon Choi , Minxian Max Zhang , Gilberto Medeiros Ribeiro , R. Stanley Williams
发明人： Jianhua Yang , Byungjoon Choi , Minxian Max Zhang , Gilberto Medeiros Ribeiro , R. Stanley Williams
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/149
摘要： A memelectronic device may have a first and a second electrode spaced apart by a plurality of materials. A first material may have a memory characteristic exhibited by the first material maintaining a magnitude of an electrically controlled physical property after discontinuing an electrical stimulus on the first material. A second material may have an auxiliary characteristic.
摘要翻译： 电子器件可以具有由多个材料隔开的第一和第二电极。 第一材料可以具有在第一材料上停止电刺激之后第一材料表现出的存储特性，其维持电控物理性质的大小。 第二种材料可能具有辅助特性。
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公开(公告)号：US08324976B2
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：US13078595
申请日：2011-04-01
申请人： Julien Borghetti , Matthew D Pickett , Gilberto Medeiros Ribeiro , Wei Yi , Jianhua Yang , Minxian Max Zhang
发明人： Julien Borghetti , Matthew D Pickett , Gilberto Medeiros Ribeiro , Wei Yi , Jianhua Yang , Minxian Max Zhang
IPC分类号： H03B7/00
CPC分类号： H03B7/00
摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.
摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。
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公开(公告)号：US20120085985A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：US12899210
申请日：2010-10-06
CPC分类号： H01L29/8615 , B82Y10/00 , H01L27/10 , H01L29/2003 , H01L29/247 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： An electrically actuated device includes a reactive metal layer, a first electrode established in contact with the reactive metal layer, an insulating material layer established in contact with the first electrode or the reactive metal layer, an active region established on the insulating material layer, and a second electrode established on the active region. A conductive nano-channel is formed through a thickness of the insulating material layer.
摘要翻译： 电驱动装置包括反应性金属层，与反应性金属层接触建立的第一电极，与第一电极或反应性金属层接触建立的绝缘材料层，建立在绝缘材料层上的有源区，以及 在有源区上建立的第二电极。 通过绝缘材料层的厚度形成导电纳米通道。
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公开(公告)号：US08487289B2
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：US12899210
申请日：2010-10-06
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L29/8615 , B82Y10/00 , H01L27/10 , H01L29/2003 , H01L29/247 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： An electrically actuated device includes a reactive metal layer, a first electrode established in contact with the reactive metal layer, an insulating material layer established in contact with the first electrode or the reactive metal layer, an active region established on the insulating material layer, and a second electrode established on the active region. A conductive nano-channel is formed through a thickness of the insulating material layer.
摘要翻译： 电驱动装置包括反应性金属层，与反应性金属层接触建立的第一电极，与第一电极或反应性金属层接触建立的绝缘材料层，建立在绝缘材料层上的有源区，以及 在有源区上建立的第二电极。 通过绝缘材料层的厚度形成导电纳米通道。
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公开(公告)号：US20130106462A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：US13281438
申请日：2011-10-26
IPC分类号： H03K19/177
CPC分类号： H03K19/177
摘要： A field-programmable analog array (FPAA) includes a digital signal routing network, an analog signal routing network, switch elements to interconnect the digital signal routing network with the analog signal routing network, and a configurable analog block (CAB) connected to the analog signal routing network and having a programmable resistor array. The switch elements are implemented via digital memristors, the programmable resistor array is implemented via analog memristors, and/or antifuses within one or more of the digital signal routing network and the analog signal routing network are implemented via digital memristors.
摘要翻译： 现场可编程模拟阵列（FPAA）包括数字信号路由网络，模拟信号路由网络，将数字信号路由网络与模拟信号路由网络互连的开关元件，以及连接到模拟信号的可配置模拟块（CAB） 信号路由网络并具有可编程电阻器阵列。 开关元件通过数字忆阻器实现，可编程电阻器阵列通过模拟忆阻器实现，并且/或数字信号路由网络和模拟信号路由网络内的反熔丝通过数字忆阻器来实现。
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