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    Method of forming a phase change material layer pattern and method of manufacturing a phase change memory device
    11.
    发明授权
    Method of forming a phase change material layer pattern and method of manufacturing a phase change memory device 有权
    形成相变材料层图案的方法和制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08865558B2

    公开(公告)日：2014-10-21

    申请号：US13543905

    申请日：2012-07-09

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Soon-Oh Park ,  Jung-Hwan Park ,  Jin-Ho Oh

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Soon-Oh Park ,  Jung-Hwan Park ,  Jin-Ho Oh

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a phase change material layer pattern includes forming a phase change material layer partially filling an opening through an insulating interlayer. A plasma treatment process is performed on the phase change material layer to remove an oxide layer on a surface of the phase change material layer. A heat treatment process is performed on the phase change material layer to remove a void or a seam in the phase change material layer, sufficiently filling the opening.

    摘要翻译： 形成相变材料层图案的方法包括：通过绝缘中间层形成部分填充开口的相变材料层。 在相变材料层上进行等离子体处理工艺以去除相变材料层的表面上的氧化物层。 在相变材料层上进行热处理工艺以去除相变材料层中的空隙或接缝，充分填充开口。

    METHOD FABRICATING PHASE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    12.
    发明申请
    METHOD FABRICATING PHASE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    方法制备相变半导体存储器件

    公开(公告)号：US20110300684A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：US13084654

    申请日：2011-04-12

    申请人： Byoung-Deog CHOI ,  Byoung-Jae BAE ,  Jeong-Hee PARK

    发明人： Byoung-Deog CHOI ,  Byoung-Jae BAE ,  Jeong-Hee PARK

    IPC分类号： H01L21/8239

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of fabricating a phase change memory having a unit memory cell is described. The unit memory cell includes a phase change element connected to a corresponding vertical cell diode. The phase change element is formed from a phase change material layer formed on an interlayer dielectric layer including a via hole, and etched using a plasma formed from a plasma gas having a molecular weight of 17 or less to form a respective phase change material pattern in the via hole.

    摘要翻译： 描述制造具有单元存储单元的相变存储器的方法。 单元存储单元包括连接到对应的垂直单元二极管的相变元件。 相变元件由形成在包括通孔的层间电介质层上的相变材料层形成，并使用由分子量为17以下的等离子体气体形成的等离子体进行蚀刻，形成各自的相变材料图案 通孔。

    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
    13.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE 审中-公开
    相变存储器件

    公开(公告)号：US20110031461A1

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：US12910672

    申请日：2010-10-22

    申请人： Myung-Jin KANG ,  Yong-Ho HA ,  Doo-Hwan PARK ,  Jeong-Hee PARK ,  Hee-Ju SHIN

    发明人： Myung-Jin KANG ,  Yong-Ho HA ,  Doo-Hwan PARK ,  Jeong-Hee PARK ,  Hee-Ju SHIN

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/24273

    摘要： A method of fabricating a phase change memory device includes forming an opening in a first layer, forming a phase change material in the opening and on the first layer, heating the phase change material to a first temperature that is sufficient to reflow the phase change material in the opening, wherein the first temperature is less than a melting point of the phase change material, and, after heating the phase change material to the first temperature, patterning the phase change material to define a phase change element in the opening.

    摘要翻译： 一种制造相变存储器件的方法包括在第一层中形成开口，在开口和第一层上形成相变材料，将相变材料加热至足以使相变材料回流的第一温度 在所述开口中，其中所述第一温度小于所述相变材料的熔点，并且在将所述相变材料加热到所述第一温度之后，对所述相变材料进行图案化以在所述开口中限定相变元件。

    Phase change memory cell employing a GeBiTe layer as a phase change material layer, phase change memory device including the same, electronic system including the same and method of fabricating the same
    14.
    发明授权
    Phase change memory cell employing a GeBiTe layer as a phase change material layer, phase change memory device including the same, electronic system including the same and method of fabricating the same 有权
    使用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元，包括该相变材料层的相变存储器件，包括该GeBiTe层的相变材料层的电子系统及其制造方法

    公开(公告)号：US07817464B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US11747395

    申请日：2007-05-11

    申请人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Jeong-Hee Park ,  Han-Bong Ko

    发明人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Jeong-Hee Park ,  Han-Bong Ko

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1625

    摘要： A phase change memory cell includes an interlayer insulating layer formed on a semiconductor substrate, and a first electrode and a second electrode disposed in the interlayer insulating layer. A phase change material layer is disposed between the first and second electrodes. The phase change material layer may be an undoped GeBiTe layer, a doped GeBiTe layer containing an impurity or a doped GeTe layer containing an impurity. The undoped GeBiTe layer has a composition ratio within a range surrounded by four points (A1(Ge21.43, Bi16.67, Te61.9), A2(Ge44.51, Bi0.35, Te55.14), A3(Ge59.33, Bi0.5, Te40.17) and A4(Ge38.71, Bi16.13, Te45.16)) represented by coordinates on a triangular composition diagram having vertices of germanium (Ge), bismuth (Bi) and tellurium (Te). The doped GeBiTe layer contains an impurity and has a composition ratio within a range surrounded by four points (D1(Ge10, Bi20, Te70), D2(Ge30, Bi0, Te70), D3(Ge70, Bi0, Te30) and D4(Ge50, Bi20, Te30)) represented by coordinates on the triangular composition diagram.

    摘要翻译： 相变存储单元包括形成在半导体衬底上的层间绝缘层和设置在层间绝缘层中的第一电极和第二电极。 相变材料层设置在第一和第二电极之间。 相变材料层可以是未掺杂的GeBiTe层，包含杂质的掺杂GeBiTe层或含有杂质的掺杂GeTe层。 未掺杂的GeBiTe层的组成比在四个点（A1（Ge21.43，Bi16.67，Te61.9），A2（Ge44.51，Bi0.35，Te55.14），A3（Ge59）， 33，Bi0.5，Te40.17）和A4（Ge38.71，Bi16.13，Te45.16）），由具有锗（Ge），铋（Bi）和碲（Te ）。 掺杂的GeBiTe层包含杂质，其组成比在四个点（D1（Ge10，Bi20，Te70），D2（Ge30，Bi0，Te70），D3（Ge70，Bi0，Te30）和D4（Ge50 ，Bi20，Te30））。

    Methods of fabricating multi-layer phase-changeable memory devices
    15.
    发明授权
    Methods of fabricating multi-layer phase-changeable memory devices 有权
    制造多层可相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07615401B2

    公开(公告)日：2009-11-10

    申请号：US12189477

    申请日：2008-08-11

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。

    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
    16.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE 审中-公开
    相变存储器件

    公开(公告)号：US20090250682A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：US12406344

    申请日：2009-03-18

    申请人： Doo-Hwan Park ,  Yong-Ho Ha ,  Myung-Jin Kang ,  Jeong-Hee Park ,  Hyun-Suk Kwon

    发明人： Doo-Hwan Park ,  Yong-Ho Ha ,  Myung-Jin Kang ,  Jeong-Hee Park ,  Hyun-Suk Kwon

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/143 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided is a phase change memory device. The phase change memory device includes a first electrode and a second electrode. A phase change material pattern is interposed between the first and second electrodes. A phase change auxiliary pattern is in contact with at least one side of the phase change material pattern. The phase change auxiliary pattern includes a compound having a chemical formula expressed as DaMb[GxTy]c(0≦a/(a+b+c)≦0.2, 0≦b/(a+b+c)≦0.1, 0.3≦x/(x+y)≦0.7), where D comprises: at least one of C, N, and O; M comprises at least one of a transition metal, Al, Ga, and In; G comprises Ge; and T comprises Te.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件。 相变存储器件包括第一电极和第二电极。 相变材料图案插入在第一和第二电极之间。 相变辅助图案与相变材料图案的至少一侧接触。 相变辅助图案包括化学式表示为DaMb [GxTy] c（0 <= a /（a + b + c）<= 0.2,0 <= b /（a + b + c） 0.1，0.3 <= x /（x + y）≤= 0.7），其中D包括：C，N和O中的至少一个; M包括过渡金属Al，Ga和In中的至少一种; G包括Ge; T包括Te。

    Phase change memory device and method of fabricating the same
    17.
    发明申请
    Phase change memory device and method of fabricating the same 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080237566A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：US11905244

    申请日：2007-09-28

    申请人： Hyeong-Geun AN ,  Hideki HORII ,  Jong-Chan SHIN ,  Dong-Ho AHN ,  Jun-Soo BAE ,  Jeong-Hee PARK

    发明人： Hyeong-Geun AN ,  Hideki HORII ,  Jong-Chan SHIN ,  Dong-Ho AHN ,  Jun-Soo BAE ,  Jeong-Hee PARK

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase change memory device and method of manufacturing the same is provided. A first electrode having a first surface is provided on a substrate. A second electrode having a second surface at a different level from the first surface is on the substrate. The second electrode may be spaced apart from the first electrode. A third electrode may be formed corresponding to the first electrode. A fourth electrode may be formed corresponding to the second electrode. A first phase change pattern may be interposed between the first surface and the third electrode. A second phase change pattern may be interposed between the second surface and the fourth electrode. Upper surfaces of the first and second phase change patterns may be on the same plane

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件及其制造方法。 具有第一表面的第一电极设置在基板上。 具有与第一表面不同的第二表面的第二电极在基板上。 第二电极可以与第一电极间隔开。 可以对应于第一电极形成第三电极。 可以对应于第二电极形成第四电极。 可以在第一表面和第三电极之间插入第一相变图案。 可以在第二表面和第四电极之间插入第二相变图案。 第一和第二相变图案的上表面可以在同一平面上

    Multi-layer phase-changeable memory devices
    18.
    发明授权
    Multi-layer phase-changeable memory devices 有权
    多层可相变存储器件

    公开(公告)号：US07425735B2

    公开(公告)日：2008-09-16

    申请号：US11627775

    申请日：2007-01-26

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L29/768 ,  H01L27/10 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。