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    METHOD OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
    1.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE 有权
    形成相变材料层图案的方法和制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20130017663A1

    公开(公告)日：2013-01-17

    申请号：US13543905

    申请日：2012-07-09

    申请人： JEONG-HEE PARK ,  SOON-OH PARK ,  JUNG-HWAN PARK ,  JIN-HO OH

    发明人： JEONG-HEE PARK ,  SOON-OH PARK ,  JUNG-HWAN PARK ,  JIN-HO OH

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming a phase change material layer pattern includes forming a phase change material layer partially filling an opening through an insulating interlayer. A plasma treatment process is performed on the phase change material layer to remove an oxide layer on a surface of the phase change material layer. A heat treatment process is performed on the phase change material layer to remove a void or a seam in the phase change material layer, sufficiently filling the opening.

    摘要翻译： 形成相变材料层图案的方法包括：通过绝缘中间层形成部分填充开口的相变材料层。 在相变材料层上进行等离子体处理工艺以去除相变材料层的表面上的氧化物层。 在相变材料层上进行热处理工艺以去除相变材料层中的空隙或接缝，充分填充开口。

    Magnetic tunnel junction structures and methods of fabrication
    5.
    发明授权
    Magnetic tunnel junction structures and methods of fabrication 有权
    磁隧道结结构和制造方法

    公开(公告)号：US07504266B2

    公开(公告)日：2009-03-17

    申请号：US11141057

    申请日：2005-06-01

    申请人： Kyu-Mann Lee ,  Hyun-Jo Kim ,  Jeong-Hee Park ,  Tae-Wan Kim ,  I-Hun Song ,  Seok-Jae Chung

    发明人： Kyu-Mann Lee ,  Hyun-Jo Kim ,  Jeong-Hee Park ,  Tae-Wan Kim ,  I-Hun Song ,  Seok-Jae Chung

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/08

    摘要： A method for forming an MTJ structure suitable for use in a MRAM device having a bottom electrode including a layer of platinum, ruthenium, iridium, rhodium, osmium, palladium or their oxides and having reduced surface roughness to improve the hysteresis loop characteristics of the resulting MTJ structure. The bottom electrode layer may also combine the functions of both the seeding layer and bottom electrode of the conventional two-layer structure, thereby simplifying the manufacturing process.

    摘要翻译： 一种适用于具有包括铂，钌，铱，铑，锇，钯或其氧化物层的底部电极的MRAM器件的MTJ结构的方法，并且具有降低的表面粗糙度以改善所得到的磁滞回线特性 MTJ结构。 底部电极层也可以组合常规双层结构的接合层和底部电极的功能，从而简化了制造过程。

    METHODS OF FABRICATING MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES
    8.
    发明申请
    METHODS OF FABRICATING MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES 有权
    制造多层相变记忆体装置的方法

    公开(公告)号：US20090004773A1

    公开(公告)日：2009-01-01

    申请号：US12189477

    申请日：2008-08-11

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。