利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

34 条记录 (耗时 0.035 秒)

    ONO fabrication process for reducing oxygen vacancy content in bottom oxide layer in flash memory devices
    12.
    发明授权
    ONO fabrication process for reducing oxygen vacancy content in bottom oxide layer in flash memory devices 有权
    ONO制造工艺，用于降低闪存器件底部氧化层中的氧空位

    公开(公告)号：US06803275B1

    公开(公告)日：2004-10-12

    申请号：US10308518

    申请日：2002-12-03

    申请人： Jaeyong Park ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Arvind Halliyal ,  Jean Y. Yang ,  Inkuk Kang ,  Tazrien Kamal ,  Amir H. Jafarpour

    发明人： Jaeyong Park ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Arvind Halliyal ,  Jean Y. Yang ,  Inkuk Kang ,  Tazrien Kamal ,  Amir H. Jafarpour

    IPC分类号： H01L21336

    CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3144

    摘要： Process for fabricating a SONOS flash memory device, including in one embodiment, forming a bottom oxide layer of an ONO structure on a semiconductor substrate, wherein the bottom oxide layer has a first oxygen vacancy content; treating the bottom oxide layer to decrease the first oxygen vacancy content to a second oxygen vacancy content; and depositing a dielectric charge-storage layer on the bottom oxide layer. In another embodiment, a process for fabricating a SONOS flash memory device includes forming a bottom oxide layer of an ONO structure on the semiconductor substrate under strongly oxidizing conditions, wherein the bottom oxide layer has a super-stoichiometric oxygen content and an oxygen vacancy content reduced relative to a bottom oxide layer formed by a conventional process; and depositing a dielectric charge-storage layer on the bottom oxide layer.

    摘要翻译： 在一个实施例中，包括在半导体衬底上形成ONO结构的底部氧化物层的SONOS闪速存储器件的制造方法，其中底部氧化物层具有第一氧空位含量; 处理底部氧化物层以将第一氧空位含量降低至第二氧空位含量; 以及在底部氧化物层上沉积介电电荷存储层。 在另一个实施例中，制造SONOS闪速存储器件的工艺包括在强氧化条件下在半导体衬底上形成ONO结构的底部氧化物层，其中底部氧化物层具有超化学计量的氧含量和氧空位含量降低 相对于通过常规方法形成的底部氧化物层; 以及在底部氧化物层上沉积介电电荷存储层。

    Bitline hard mask spacer flow for memory cell scaling
    13.
    发明授权
    Bitline hard mask spacer flow for memory cell scaling 有权
    位线硬掩模间隔流程用于存储单元缩放

    公开(公告)号：US06927145B1

    公开(公告)日：2005-08-09

    申请号：US10770673

    申请日：2004-02-02

    申请人： Jean Y. Yang ,  Mark T. Ramsbey ,  Jaeyong Park ,  Tazrien Kamal ,  Emmanuil H. Lingunis

    发明人： Jean Y. Yang ,  Mark T. Ramsbey ,  Jaeyong Park ,  Tazrien Kamal ,  Emmanuil H. Lingunis

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115

    CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/115

    摘要： The invention is a semiconductor device and a method of forming the semiconductor device. The semiconductor device comprises a substrate; buried bitlines formed in the substrate narrower than achievable at a resolution limit of lithography; a doped region formed adjacent at least one of the buried bitlines; a charge trapping layer disposed over the substrate; and a conductive layer disposed over the charge trapping layer, wherein the doped region adjacent the least one of the buried bitlines inhibits a leakage current between the buried bitlines.

    摘要翻译： 本发明是半导体器件和形成半导体器件的方法。 半导体器件包括衬底; 在衬底中形成的掩埋位线比在光刻的分辨率极限下可实现的更窄; 与所述掩埋位线中的至少一个相邻地形成的掺杂区域; 设置在所述基板上的电荷捕获层; 以及设置在所述电荷俘获层上的导电层，其中与所述掩埋位线中的至少一个相邻的所述掺杂区域抑制所述掩埋位线之间的漏电流。

    Integrated ONO processing for semiconductor devices using in-situ steam generation (ISSG) process
    17.
    发明授权
    Integrated ONO processing for semiconductor devices using in-situ steam generation (ISSG) process 有权
    使用现场蒸汽发生（ISSG）工艺的半导体器件的综合ONO处理

    公开(公告)号：US07115469B1

    公开(公告)日：2006-10-03

    申请号：US10754948

    申请日：2004-01-08

    申请人： Arvind Halliyal ,  Mark T. Ramsbey ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Jean Y. Yang

    发明人： Arvind Halliyal ,  Mark T. Ramsbey ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Jean Y. Yang

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145

    摘要： A process for fabrication of a semiconductor device including an ONO structure as a component of a flash memory device, comprising forming the ONO structure by providing a semiconductor substrate having a silicon surface; forming a first oxide layer on the silicon surface; depositing a silicon nitride layer on the first oxide layer; and forming a top oxide layer on the silicon nitride layer, wherein the top oxide layer is formed by an in-situ steam generation oxidation of a surface of the silicon nitride layer. The semiconductor device may be, e.g., a SONOS two-bit EEPROM device or a floating gate FLASH memory device including an ONO structure.

    摘要翻译： 一种制造包括ONO结构作为闪速存储器件的组件的半导体器件的工艺，包括通过提供具有硅表面的半导体衬底来形成ONO结构; 在硅表面上形成第一氧化物层; 在第一氧化物层上沉积氮化硅层; 以及在所述氮化硅层上形成顶部氧化物层，其中所述顶部氧化物层通过所述氮化硅层的表面的原位蒸汽发生氧化而形成。 半导体器件可以是例如SONOS两位EEPROM器件或包括ONO结构的浮动栅极FLASH存储器件。