公开(公告)号：US08586978B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12216529

申请日：2008-07-07

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C11/36 ,  G11C11/14 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/1021

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a cross-point memory array including the same which have a diode characteristic enabling the non-volatile memory device and the cross-point memory array including the same to operate in a simple structure, without requiring a switching device separately formed so as to embody a high density non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a first electrode; a diode-storage node formed on the first electrode; and a second electrode formed on the diode-storage node.

公开(公告)号：US20100308297A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L45/00 ,  H01L21/34 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。

公开(公告)号：US08227872B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。

公开(公告)号：US20100224849A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12588826

申请日：2009-10-29

申请人： Bo-soo Kang

发明人： Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/24 ,  H01L27/24 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

摘要： Provided are an oxide diode, a method of fabricating the oxide diode, and an electronic device including the oxide diode. The oxide diode may include an n-type oxide layer treated with plasma, and a p-type oxide layer on the n-type oxide layer. The plasma may include nitrogen.

摘要翻译： 提供了一种氧化物二极管，一种制造该氧化二
极管的方法和一种包括氧化物二极管的电子器件。 氧化二极管可以包括用等离子体处理的n型氧化物层和n型氧化物层上的p型氧化物层。 等离子体可以包括氮气。

公开(公告)号：US20060261388A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11491103

申请日：2006-07-24

申请人： Sang-min Shin ,  Yong-Kyun Lee ,  Bo-soo Kang ,  Tae-won Noh ,  Jong-gul Yoon

发明人： Sang-min Shin ,  Yong-Kyun Lee ,  Bo-soo Kang ,  Tae-won Noh ,  Jong-gul Yoon

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L28/65

摘要： A ferroelectric capacitor and a method for manufacturing the same includes a lower electrode, a dielectric layer, and an upper electrode layer, which are sequentially stacked, wherein the dielectric layer has a multi-layer structure including a plurality of sequentially stacked ferroelectric films, and wherein two adjacent ferroelectric films have either different compositions or different composition ratios. Use of a ferroelectric capacitor according to an embodiment of the present invention, it is possible to hold stable polarization states of ferroelectric domains for a long retention time, and thus data written in the ferroelectric capacitor a long time ago can be accurately written, thereby improving the reliability of a ferroelectric random access memory (FRAM).

摘要翻译： 铁电电容器及其制造方法包括依次层叠的下电极，电介质层和上电极层，其中介电层具有包括多个顺序层叠的强电介质膜的多层结构，以及 其中两个相邻的铁电体膜具有不同的组成或不同的组成比。 根据本发明的实施方式的铁电电容器的使用，能够在长时间保持铁电畴的稳定的极化状态，能够精确地写入写入强电介质电容器的数据，从而提高 铁电随机存取存储器（FRAM）的可靠性。

公开(公告)号：US07148530B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10770471

申请日：2004-02-04

申请人： Sang-min Shin ,  Yong-kyun Lee ,  Bo-soo Kang ,  Tae-won Noh ,  Jong-gul Yoon

发明人： Sang-min Shin ,  Yong-kyun Lee ,  Bo-soo Kang ,  Tae-won Noh ,  Jong-gul Yoon

IPC分类号： H01L27/112

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L28/65

摘要： A ferroelectric capacitor and a method for manufacturing the same includes a lower electrode, a dielectric layer, and an upper electrode layer, which are sequentially stacked, wherein the dielectric layer has a multi-layer structure including a plurality of sequentially stacked ferroelectric films, and wherein two adjacent ferroelectric films have either different compositions or different composition ratios. Use of a ferroelectric capacitor according to an embodiment of the present invention, it is possible to hold stable polarization states of ferroelectric domains for a long retention time, and thus data written in the ferroelectric capacitor a long time ago can be accurately written, thereby improving the reliability of a ferroelectric random access memory (FRAM).

摘要翻译： 铁电电容器及其制造方法包括依次层叠的下电极，电介质层和上电极层，其中介电层具有包括多个顺序层叠的强电介质膜的多层结构，以及 其中两个相邻的铁电体膜具有不同的组成或不同的组成比。 根据本发明的实施方式的铁电电容器的使用，能够在长时间保持铁电畴的稳定的极化状态，能够精确地写入写入强电介质电容器的数据，从而提高 铁电随机存取存储器（FRAM）的可靠性。