公开(公告)号：US06703320B1

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：US10036898

申请日：2002-01-04

申请人： Shao-Yen Ku

发明人： Shao-Yen Ku

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/32131

摘要： A method for removing a polysilicon layer from a non-silicon layer comprising the following steps. A structure having a non-silicon layer formed thereover is provided. A first polysilicon layer is formed upon the non-silicon layer. The first polysilicon layer is removed from over the non-silicon layer to expose the non-silicon layer using a NH4OH:DIW dip solution process having a NH4OH:DIW ratio of from about 1:2 to 1:8. Whereby the non-silicon layer is substantially unaffected by the NH4OH:DIW dip solution process.

摘要翻译： 一种从非硅层去除多晶硅层的方法，包括以下步骤。 提供了一种其上形成有非硅层的结构。 在非硅层上形成第一多晶硅层。 使用具有约1:2至1:8的NH 4 OH:DIW比的NH 4 OH:DIW浸渍方法从非硅层上除去第一多晶硅层以暴露非硅层。 由此，非硅层基本上不受NH4OH：DIW浸渍溶液过程的影响。

公开(公告)号：US09263337B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US13414898

申请日：2012-03-08

申请人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Yun Tseng ,  Yu-Yen Hsu ,  Tsai-Pao Su ,  Hobin Chen ,  Sheng-Chi Shih

发明人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Yun Tseng ,  Yu-Yen Hsu ,  Tsai-Pao Su ,  Hobin Chen ,  Sheng-Chi Shih

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/823425 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A system and method for etching a substrate is provided. An embodiment comprises utilizing an inert carrier gas in order to introduce a liquid etchant to a substrate. The inert carrier gas may prevent undesirable chemical reactions from taking place during the etching process, thereby helping to reduce the number of defects that occur to the substrate and other structures during the etching process.

摘要翻译： 提供了蚀刻基板的系统和方法。 一个实施方案包括使用惰性载气以将液体蚀刻剂引入基底。 惰性载气可以防止在蚀刻过程期间发生不期望的化学反应，从而有助于减少在蚀刻过程期间对基底和其它结构发生的缺陷的数量。

公开(公告)号：US20120202156A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13022931

申请日：2011-02-08

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828

摘要： A method of making an integrated circuit is provided. The method includes providing a substrate having a photosensitive layer. The photosensitive layer is exposed to a radiation beam. The exposed photosensitive layer is developed in a first chamber. In the first chamber, a cleaning process is performed on the developed photosensitive layer. The cleaning process includes using a rinse solution including at least one of ozone, hydrogen peroxide, and oxalic acid.

摘要翻译： 提供一种制造集成电路的方法。 该方法包括提供具有感光层的基底。 感光层暴露于辐射束。 曝光的感光层在第一室中显影。 在第一室中，对显影的感光层进行清洁处理。 清洁方法包括使用包括臭氧，过氧化氢和草酸中的至少一种的冲洗溶液。

公开(公告)号：US20120051872A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US12869171

申请日：2010-08-26

申请人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chiang Ming-Tsao ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chiang Ming-Tsao ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67011 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67778 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/139

摘要： The present disclosure provides a system and method for processing a semiconductor substrate wherein a substrate is received at a load lock interface. The substrate is transferred from the load lock interface to a process module using a first module configured for unprocessed substrates. A manufacturing process is performed on the substrate within the process module. Thereafter, the substrate is transferred from the process module to the load lock interface using a second module configured for processed substrates.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于处理半导体衬底的系统和方法，其中在负载锁定接口处接收衬底。 使用配置为未处理基板的第一模块将基板从加载锁定接口传送到处理模块。 在处理模块内的基板上进行制造工艺。 此后，使用配置成处理的基板的第二模块将基板从处理模块传送到加载锁定接口。

公开(公告)号：US07776757B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US12354394

申请日：2009-01-15

申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device. The method includes providing a semiconductor substrate having a first region and a second region, forming a high-k dielectric layer over the semiconductor substrate, forming a first metal layer and a first silicon layer by an in-situ deposition process, patterning the first silicon layer to remove a portion overlying the second region, patterning the first metal layer using the patterned first silicon layer as a mask, and removing the patterned first silicon layer including applying a solution. The solution includes a first component having an [F-] concentration greater than 0.01M, a second component configured to adjust a pH of the solution from about 4.3 to about 6.7, and a third component configured to adjust a potential of the solution to be greater than −1.4 volts.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法。 该方法包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在半导体衬底上形成高k电介质层，通过原位沉积工艺形成第一金属层和第一硅层，图案化第一硅 以去除覆盖在第二区域上的部分，使用图案化的第一硅层作为掩模来图案化第一金属层，以及去除图案化的第一硅层，包括施加溶液。 该溶液包括具有大于0.01M的[F-]浓度的第一组分，构成为将溶液的pH调节至约4.3至约6.7的第二组分，以及构成为将溶液的电位调节为 大于-1.4伏。

公开(公告)号：US08616821B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12869171

申请日：2010-08-26

申请人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67011 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67778 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/139

摘要： The present disclosure provides a system and method for processing a semiconductor substrate wherein a substrate is received at a load lock interface. The substrate is transferred from the load lock interface to a process module using a first module configured for unprocessed substrates. A manufacturing process is performed on the substrate within the process module. Thereafter, the substrate is transferred from the process module to the load lock interface using a second module configured for processed substrates.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于处理半导体衬底的系统和方法，其中在负载锁定接口处接收衬底。 使用配置为未处理基板的第一模块将基板从加载锁定接口传送到处理模块。 在处理模块内的基板上进行制造工艺。 此后，使用配置成处理的基板的第二模块将基板从处理模块传送到加载锁定接口。

公开(公告)号：US20130288436A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13459379

申请日：2012-04-30

申请人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Pei-Hung Chen ,  Jui-Ping Chuang

发明人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Pei-Hung Chen ,  Jui-Ping Chuang

IPC分类号： H01L21/336 ,  C11D3/28

CPC分类号： H01L27/088 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

摘要： Some embodiments relate to a manufacturing method for a semiconductor device. In this method, a semiconductor workpiece, which includes a metal gate electrode thereon, is provided. An opening is formed in the semiconductor workpiece to expose a surface of the metal gate. Formation of the opening leaves a polymeric residue on the workpiece. To remove the polymeric residue from the workpiece, a cleaning solution that includes an organic alkali component is used.

摘要翻译： 一些实施例涉及半导体器件的制造方法。 在该方法中，提供了包括其上的金属栅电极的半导体工件。 在半导体工件中形成开口以暴露金属栅极的表面。 开口的形成在工件上留下聚合物残留物。 为了从工件中除去聚合物残渣，使用包含有机碱组分的清洁溶液。

公开(公告)号：US20130142594A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13309283

申请日：2011-12-01

申请人： Shao-Yen Ku ,  Ming-Jung Chen ,  Tsu-Yang Chung ,  Chi-Yun Tseng ,  Jui-Ping Chuang

发明人： Shao-Yen Ku ,  Ming-Jung Chen ,  Tsu-Yang Chung ,  Chi-Yun Tseng ,  Jui-Ping Chuang

IPC分类号： H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67201

摘要： An apparatus comprises a process chamber, and a loadlock connected to the process chamber. The loadlock is configured to have a wafer holder disposed therein. The wafer holder is configured to store a plurality of wafers, and is configured to transport the plurality of wafers away from the loadlock.

摘要翻译： 一种装置包括处理室和连接到处理室的负载锁。 负载锁被配置为具有设置在其中的晶片保持架。 晶片保持器被配置为存储多个晶片，并且被配置为将多个晶片远离装载锁传送。

公开(公告)号：US08105851B1

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12889167

申请日：2010-09-23

申请人： Shao-Yen Ku ,  Chung-Ru Yang ,  Chi-Ming Yang

发明人： Shao-Yen Ku ,  Chung-Ru Yang ,  Chi-Ming Yang

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67253

摘要： Provided is a method of removing a nitride material from a semiconductor wafer. The method includes monitoring a silicon concentration level in a chemical solution. The chemical solution may include a phosphoric acid. The method includes adjusting the silicon concentration level in response to the monitoring. The method includes heating the chemical solution. The method includes applying the heated chemical solution to a wafer surface in a manner so that a temperature of the heated chemical solution is within a predefined temperature range throughout the wafer surface. The method includes etching a nitride material of the wafer using the heated chemical solution.

摘要翻译： 提供从半导体晶片去除氮化物材料的方法。 该方法包括监测化学溶液中的硅浓度水平。 化学溶液可以包括磷酸。 该方法包括响应于监测调整硅浓度水平。 该方法包括加热化学溶液。 该方法包括将加热的化学溶液以使得加热的化学溶液的温度在整个晶片表面的预定温度范围内的方式施加到晶片表面。 该方法包括使用加热的化学溶液蚀刻晶片的氮化物材料。