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    Integration of barrier layer and seed layer
    13.
    发明授权
    Integration of barrier layer and seed layer 有权
    势垒层和种子层的整合

    公开(公告)号：US07352048B2

    公开(公告)日：2008-04-01

    申请号：US11064274

    申请日：2005-02-22

    申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/903 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention generally relates to filling of a feature by depositing a barrier layer, depositing a seed layer over the barrier layer, and depositing a conductive layer over the seed layer. In one embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer. For example, the copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. In another embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer and a second seed layer deposited over the copper alloy seed layer. The copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper. In still another embodiment, the seed layer comprises a first seed layer and a second seed layer. The first seed layer may comprise a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper.

    摘要翻译： 本发明一般涉及通过沉积阻挡层，在阻挡层上沉积种子层，以及在种子层上沉积导电层来填充特征。 在一个实施例中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金种子层。 例如，铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 在另一个实施方案中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金种子层和沉积在铜合金种子层上的第二籽晶层。 铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。 在另一个实施例中，种子层包括第一种子层和第二种子层。 第一种子层可以包括金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。

    Integration of barrier layer and seed layer
    14.
    发明申请
    Integration of barrier layer and seed layer 有权
    势垒层和种子层的整合

    公开(公告)号：US20050139948A1

    公开(公告)日：2005-06-30

    申请号：US11064274

    申请日：2005-02-22

    申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58 ,  H01L27/095

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/903 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention generally relates to filling of a feature by depositing a barrier layer, depositing a seed layer over the barrier layer, and depositing a conductive layer over the seed layer. In one embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer. For example, the copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. In another embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer and a second seed layer deposited over the copper alloy seed layer. The copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper. In still another embodiment, the seed layer comprises a first seed layer and a second seed layer. The first seed layer may comprise a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper.

    摘要翻译： 本发明一般涉及通过沉积阻挡层，在阻挡层上沉积种子层，以及在种子层上沉积导电层来填充特征。 在一个实施例中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金种子层。 例如，铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 在另一个实施方案中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金种子层和沉积在铜合金种子层上的第二籽晶层。 铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。 在另一个实施例中，种子层包括第一种子层和第二种子层。 第一种子层可以包括金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。

    Apparatus for integration of barrier layer and seed layer
    15.
    发明授权
    Apparatus for integration of barrier layer and seed layer 有权
    用于整合势垒层和种子层的装置

    公开(公告)号：US07494908B2

    公开(公告)日：2009-02-24

    申请号：US11749064

    申请日：2007-05-15

    申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/903 ,  H01L2924/00

    摘要： A system for processing a substrate is provided which includes at least one atomic layer deposition (ALD) chamber for depositing a barrier layer containing tantalum and at least one physical vapor deposition (PVD) metal seed chamber for depositing a metal seed layer on the barrier layer. The at least one ALD chamber may be in fluid communication with a first precursor source providing a tantalum-containing compound and a second precursor source. In one example, the tantalum-containing compound is an organometallic tantalum precursor, such as PDMAT. In another example, the second precursor source contains a nitrogen precursor, such as ammonia. The PDMAT may have a chlorine concentration of about 100 ppm or less, preferably, about 30 ppm or less, and more preferably, about 5 ppm or less. In some examples, the PVD metal seed chamber is used to deposit a copper-containing metal seed layer.

    摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的系统，其包括用于沉积包含钽的阻挡层的至少一个原子层沉积（ALD）室和用于在阻挡层上沉积金属籽晶层的至少一个物理气相沉积（PVD）金属种子室 。 所述至少一个ALD室可以与提供含钽化合物和第二前体源的第一前体源流体连通。 在一个实例中，含钽化合物是有机金属钽前体，例如PDMAT。 在另一个实例中，第二前体源含有氮前体，例如氨。 PDMAT的氯浓度可以为约100ppm以下，优选为约30ppm以下，更优选为约5ppm以下。 在一些实例中，PVD金属种子室用于沉积含铜金属种子层。

    Reduction of copper dewetting by transition metal deposition
    16.
    发明申请
    Reduction of copper dewetting by transition metal deposition 有权
    通过过渡金属沉积减少铜的去湿

    公开(公告)号：US20060199372A1

    公开(公告)日：2006-09-07

    申请号：US11069514

    申请日：2005-03-01

    申请人： Hua Chung ,  Seshadri Ganguli ,  Christophe Marcadal ,  Jick Yu

    发明人： Hua Chung ,  Seshadri Ganguli ,  Christophe Marcadal ,  Jick Yu

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

    摘要： A method and apparatus for forming layers on a substrate comprising depositing a metal seed layer on a substrate surface having apertures, depositing a transition metal layer over the copper seed layer, and depositing a bulk metal layer over the transition metal layer. Also a method and apparatus for forming a via through a dielectric to reveal metal at the base of the via, depositing a transition metal layer, and depositing a first metal layer on the transition metal layer. Additionally, a method and apparatus for depositing a transition metal layer on an exposed metal surface, and depositing a layer thereover selected from the group consisting of a capping layer and a low dielectric constant layer.

    摘要翻译： 一种用于在衬底上形成层的方法和装置，包括在具有孔的衬底表面上沉积金属籽晶层，在铜籽晶层上沉积过渡金属层，以及在过渡金属层上沉积体金属层。 还有一种用于通过电介质形成通孔以在通孔底部露出金属的方法和装置，沉积过渡金属层，以及在过渡金属层上沉积第一金属层。 另外，一种用于在暴露的金属表面上沉积过渡金属层并在其上沉积选自由封盖层和低介电常数层组成的层的方法和装置。

    Integration of barrier layer and seed layer
    17.
    发明授权
    Integration of barrier layer and seed layer 有权
    势垒层和种子层的整合

    公开(公告)号：US06936906B2

    公开(公告)日：2005-08-30

    申请号：US09965373

    申请日：2001-09-26

    申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58 ,  H01L27/095

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/903 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention generally relates to filling of a feature by depositing a barrier layer, depositing a seed layer over the barrier layer, and depositing a conductive layer over the seed layer. In one embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer. For example, the copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. In another embodiment, the seed layer comprises a copper allloy seed layer deposited over the barrier layer and a second seed layer deposited over the copper alloy seed layer. The copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper. In still another embodiment, the seed layer comprises a first seed layer and a second seed layer. The first seed layer may comprise a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper.

    摘要翻译： 本发明一般涉及通过沉积阻挡层，在阻挡层上沉积种子层，以及在种子层上沉积导电层来填充特征。 在一个实施例中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金种子层。 例如，铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 在另一个实施例中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金晶种层和沉积在铜合金晶种层上的第二晶种层。 铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。 在另一个实施例中，种子层包括第一种子层和第二种子层。 第一种子层可以包括金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。