公开(公告)号：US09401355B2

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US13328371

申请日：2011-12-16

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/02 ,  H01L23/62 ,  H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L27/08 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

摘要： One embodiment of an integrated circuit includes a semiconductor body. In the semiconductor body a first trench region extends into the semiconductor body from a first surface. The integrated circuit further includes a diode including an anode region and a cathode region. One of the anode region and the cathode region is at least partly arranged in the first trench region. The other one of the anode region and the cathode region includes a first semiconductor region adjoining the one of the anode region and the cathode region from outside of the first trench region.

摘要翻译： 集成电路的一个实施例包括半导体本体。 在半导体本体中，第一沟槽区域从第一表面延伸到半导体本体中。 集成电路还包括包括阳极区域和阴极区域的二极管。 阳极区域和阴极区域中的一个至少部分地布置在第一沟槽区域中。 阳极区域和阴极区域中的另一个包括从第一沟槽区域的外部邻接阳极区域和阴极区域中的一个的第一半导体区域。

公开(公告)号：US20140027879A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13560626

申请日：2012-07-27

申请人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

发明人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with a semiconductor body with a top side and with a bottom side. A first coil that is monolithically integrated with the semiconductor body is arranged distant from the bottom side and comprises N first windings, wherein N≧1. The first coil has a first coil axis that extends in a direction different from a surface normal of the bottom side.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有顶侧和底侧的半导体本体的半导体部件。 与半导体本体一体地集成的第一线圈被布置成远离底侧并且包括N个第一绕组，其中N> = 1。 第一线圈具有沿与底侧的表面法线不同的方向延伸的第一线圈轴线。

公开(公告)号：US20100258801A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12421346

申请日：2009-04-09

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor component including a lateral transistor component is disclosed. One embodiment provides an electrically insulating carrier layer. On the carrier layer a first and a second semiconductor layer are arranged on above another and are separated from another by a dielectric layer and from which at least the first semiconductor layer includes a polycrystalline semiconductor material, an amorphous semiconductor material or an organic semiconductor material. In the first semiconductor layer: a source zone, a body zone, a drift zone and a drain zone are provided. In the second semiconductor layer; a drift control zone is arranged adjacent to the drift zone, including a control terminal at a first lateral end for applying a control potential, and is coupled to the drain zone via a rectifying element at a second lateral end. A gate electrode is arranged adjacent to the body zone and is dielectrically insulated from the body zone by a gate dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种包括横向晶体管元件的半导体元件。 一个实施例提供电绝缘载体层。 在载体层上，第一和第二半导体层被布置在另一个之上，并且通过电介质层与另一个隔离，并且至少第一半导体层至少包括多晶半导体材料，非晶半导体材料或有机半导体材料。 在第一半导体层中提供源极区，体区，漂移区和漏区。 在第二半导体层中; 漂移控制区被布置成与漂移区相邻，包括用于施加控制电位的第一横向端的控制端，并且在第二横向端通过整流元件耦合到排水区。 栅极电极被布置成与身体区域相邻并且通过栅极介电层与身体区域介电绝缘。

公开(公告)号：US09087707B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13429579

申请日：2012-03-26

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

IPC分类号： H01L29/78 ,  H03K3/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor arrangement includes a semiconductor body and a power transistor including a source region, a drain region, a body region and a drift region arranged in the semiconductor body, a gate electrode arranged adjacent to the body region and dielectrically insulated from the body region by a gate dielectric. The semiconductor arrangement further includes a high voltage device arranged within a well-like dielectric structure in the semiconductor body and comprising a further drift region.

摘要翻译： 半导体装置包括半导体本体和功率晶体管，功率晶体管包括布置在半导体本体中的源区域，漏极区域，体区域和漂移区域，与主体区域相邻布置并与身体区域介电绝缘的栅电极， 栅极电介质。 半导体装置还包括布置在半导体本体内的类似阱介质结构内的高电压装置，并且包括另外的漂移区域。

公开(公告)号：US20120091457A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13332505

申请日：2011-12-21

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor arrangement is disclosed. One embodiment includes a first semiconductor layer including a first and second component zone that form a pn-junction or a Schottky-junction. A second semiconductor layer includes a drift control zone adjacent to the second component zone. A dielectric layer separates the first semiconductor layer from the second semiconductor layer. A rectifying element is coupled between the drift control zone and the second component zone.

摘要翻译： 公开了一种半导体装置。 一个实施例包括包括形成pn结或肖特基结的第一和第二组分区的第一半导体层。 第二半导体层包括与第二组分区相邻的漂移控制区。 电介质层将第一半导体层与第二半导体层分开。 整流元件耦合在漂移控制区和第二组分区之间。

公开(公告)号：US20130082768A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13250265

申请日：2011-09-30

申请人： Franz Hirler ,  Joachim Weyers

发明人： Franz Hirler ,  Joachim Weyers

IPC分类号： H01L29/739 ,  H03K3/335

CPC分类号： H01L29/866 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66113

摘要： Disclosed is a diode. An embodiment of the diode includes a semiconductor body, a first emitter region of a first conductivity type, a second emitter region of a second conductivity type, and a base region arranged between the first and second emitter regions and having a lower doping concentration than the first and second emitter regions. The diode further includes a first emitter electrode only electrically coupled to the first emitter region, a second emitter electrode in electrical contact with the second emitter region, and a control electrode arrangement including a first control electrode section, and a first dielectric layer arranged between the first control electrode section and the semiconductor body. At least one pn junction extends to the first dielectric layer or is arranged distant to the first dielectric layer by less than 250 nm.

摘要翻译： 公开了一种二极管。 二极管的实施例包括半导体本体，第一导电类型的第一发射极区域，第二导电类型的第二发射极区域和布置在第一和第二发射极区域之间的基极区域，并且具有比 第一和第二发射极区域。 二极管还包括仅电耦合到第一发射极区域的第一发射极电极，与第二发射极区域电接触的第二发射极电极，以及包括第一控制电极部分和布置在第二发射极区域之间的第一电介质层的控制电极装置 第一控制电极部分和半导体本体。 至少一个pn结延伸到第一介电层或者被布置成远离第一介电层小于250nm。

公开(公告)号：US09184255B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13250265

申请日：2011-09-30

申请人： Franz Hirler ,  Joachim Weyers

发明人： Franz Hirler ,  Joachim Weyers

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/66 ,  H01L29/40 ,  H01L29/866 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/866 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66113

摘要： Disclosed is a diode. An embodiment of the diode includes a semiconductor body, a first emitter region of a first conductivity type, a second emitter region of a second conductivity type, and a base region arranged between the first and second emitter regions and having a lower doping concentration than the first and second emitter regions. The diode further includes a first emitter electrode only electrically coupled to the first emitter region, a second emitter electrode in electrical contact with the second emitter region, and a control electrode arrangement including a first control electrode section, and a first dielectric layer arranged between the first control electrode section and the semiconductor body. At least one pn junction extends to the first dielectric layer or is arranged distant to the first dielectric layer by less than 250 nm.

摘要翻译： 公开了一种二极管。 二极管的实施例包括半导体本体，第一导电类型的第一发射极区域，第二导电类型的第二发射极区域和布置在第一和第二发射极区域之间的基极区域，并且具有比 第一和第二发射极区域。 二极管还包括仅电耦合到第一发射极区域的第一发射极电极，与第二发射极区域电接触的第二发射极电极，以及包括第一控制电极部分和布置在第二发射极区域之间的第一电介质层的控制电极装置 第一控制电极部分和半导体本体。 至少一个pn结延伸到第一介电层或者被布置成远离第一介电层小于250nm。

公开(公告)号：US07808067B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US12057944

申请日：2008-03-28

申请人： Matthias Stecher ,  Joachim Weyers

发明人： Matthias Stecher ,  Joachim Weyers

IPC分类号： H01L31/058

CPC分类号： H01L25/16 ,  G01K13/00 ,  G01K2217/00 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7818 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A temperature sensor structure for a semiconductor device. One embodiment provides a semiconductor substrate including the semiconductor device. A dissipation region of the semiconductor device is adjacent to a main surface of the semiconductor substrate. A first layer arrangement is disposed on the main surface of the semiconductor substrate adjacent to the dissipation region of the semiconductor device. A second layer arrangement is disposed on the first layer arrangement with an insulation layer for galvanic separation therebetween. The first and second layer arrangements and the insulation layer form a layer structure on the main surface above the dissipation region. A circuit element is disposed in the second layer arrangement, the circuit element having a temperature-dependent characteristic and being coupled thermally to the dissipation region.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的温度传感器结构。 一个实施例提供了包括半导体器件的半导体衬底。 半导体器件的耗散区域与半导体衬底的主表面相邻。 第一层布置设置在与半导体器件的耗散区相邻的半导体衬底的主表面上。 第二层布置设置在第一层布置上，其间具有用于电隔离的绝缘层。 第一层和第二层布置和绝缘层在散热区上方的主表面上形成层结构。 电路元件设置在第二层布置中，电路元件具有温度依赖特性并且热耦合到耗散区。

公开(公告)号：US07943960B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12024741

申请日：2008-02-01

申请人： Joachim Weyers ,  Peter Nelle

发明人： Joachim Weyers ,  Peter Nelle

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/743 ,  H01L21/823481

摘要： An integrated circuit arrangement. In one embodiment, the arrangement includes at least one first semiconductor zone of a first conduction type which is doped more highly than the basic doping of a first semiconductor layer and which is arranged at a distance from a first component zone adjoining the first semiconductor layer. At least one connecting zone extends as far as the at least one first semiconductor zone proceeding from the first side. A second semiconductor zone of the second conduction type, is arranged in the first semiconductor layer and is electrically conductively connected to the at least one connecting zone.

摘要翻译： 集成电路装置。 在一个实施例中，该装置包括至少一个第一导电类型的第一半导体区，该第一半导体区的掺杂比第一半导体层的基本掺杂更高，并且被布置在与第一半导体层相邻的第一组分区一定距离处。 至少一个连接区域从至少一个第一半导体区域延伸到第一侧。 第二导电类型的第二半导体区被布置在第一半导体层中，并且电连接到至少一个连接区。

公开(公告)号：US20080237772A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12057944

申请日：2008-03-28

申请人： Matthias Stecher ,  Joachim Weyers

发明人： Matthias Stecher ,  Joachim Weyers

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L25/16 ,  G01K13/00 ,  G01K2217/00 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7818 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A temperature sensor structure for a semiconductor device. One embodiment provides a semiconductor substrate including the semiconductor device. A dissipation region of the semiconductor device is adjacent to a main surface of the semiconductor substrate. A first layer arrangement is disposed on the main surface of the semiconductor substrate adjacent to the dissipation region of the semiconductor device. A second layer arrangement is disposed on the first layer arrangement with an insulation layer for galvanic separation therebetween. The first and second layer arrangements and the insulation layer form a layer structure on the main surface above the dissipation region. A circuit element is disposed in the second layer arrangement, the circuit element having a temperature-dependent characteristic and being coupled thermally to the dissipation region.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的温度传感器结构。 一个实施例提供了包括半导体器件的半导体衬底。 半导体器件的耗散区域与半导体衬底的主表面相邻。 第一层布置设置在与半导体器件的耗散区相邻的半导体衬底的主表面上。 第二层布置设置在第一层布置上，其间具有用于电隔离的绝缘层。 第一层和第二层布置和绝缘层在散热区上方的主表面上形成层结构。 电路元件设置在第二层布置中，电路元件具有温度依赖特性并且热耦合到耗散区。