公开(公告)号：US20130249602A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429579

申请日：2012-03-26

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

IPC分类号： H03K3/00 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor arrangement includes a semiconductor body and a power transistor including a source region, a drain region, a body region and a drift region arranged in the semiconductor body, a gate electrode arranged adjacent to the body region and dielectrically insulated from the body region by a gate dielectric. The semiconductor arrangement further includes a high voltage device arranged within a well-like dielectric structure in the semiconductor body and comprising a further drift region.

摘要翻译： 半导体装置包括半导体本体和功率晶体管，功率晶体管包括布置在半导体本体中的源区域，漏极区域，体区域和漂移区域，与主体区域相邻布置并与身体区域介电绝缘的栅电极， 栅极电介质。 半导体装置还包括布置在半导体本体内的类似阱介质结构内的高电压装置，并且包括另外的漂移区域。

公开(公告)号：US09087707B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13429579

申请日：2012-03-26

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers ,  Uwe Wahl

IPC分类号： H01L29/78 ,  H03K3/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor arrangement includes a semiconductor body and a power transistor including a source region, a drain region, a body region and a drift region arranged in the semiconductor body, a gate electrode arranged adjacent to the body region and dielectrically insulated from the body region by a gate dielectric. The semiconductor arrangement further includes a high voltage device arranged within a well-like dielectric structure in the semiconductor body and comprising a further drift region.

摘要翻译： 半导体装置包括半导体本体和功率晶体管，功率晶体管包括布置在半导体本体中的源区域，漏极区域，体区域和漂移区域，与主体区域相邻布置并与身体区域介电绝缘的栅电极， 栅极电介质。 半导体装置还包括布置在半导体本体内的类似阱介质结构内的高电压装置，并且包括另外的漂移区域。

公开(公告)号：US20120018856A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12842488

申请日：2010-07-23

申请人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a method of forming a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type, and a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type.

摘要翻译： 公开了一种形成具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂型的补偿区的半导体器件的方法，以及具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂类型的补偿区的半导体器件。

公开(公告)号：US08487307B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13332505

申请日：2011-12-21

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor arrangement is disclosed. One embodiment includes a first semiconductor layer including a first and second component zone that form a pn-junction or a Schottky-junction. A second semiconductor layer includes a drift control zone adjacent to the second component zone. A dielectric layer separates the first semiconductor layer from the second semiconductor layer. A rectifying element is coupled between the drift control zone and the second component zone.

摘要翻译： 公开了一种半导体装置。 一个实施例包括包括形成pn结或肖特基结的第一和第二组分区的第一半导体层。 第二半导体层包括与第二组分区相邻的漂移控制区。 电介质层将第一半导体层与第二半导体层分开。 整流元件耦合在漂移控制区和第二组分区之间。

公开(公告)号：US20130153916A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13328371

申请日：2011-12-16

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

摘要： One embodiment of an integrated circuit includes a semiconductor body. In the semiconductor body a first trench region extends into the semiconductor body from a first surface. The integrated circuit further includes a diode including an anode region and a cathode region. One of the anode region and the cathode region is at least partly arranged in the first trench region. The other one of the anode region and the cathode region includes a first semiconductor region adjoining the one of the anode region and the cathode region from outside of the first trench region.

摘要翻译： 集成电路的一个实施例包括半导体本体。 在半导体本体中，第一沟槽区域从第一表面延伸到半导体本体中。 集成电路还包括包括阳极区域和阴极区域的二极管。 阳极区域和阴极区域中的一个至少部分地布置在第一沟槽区域中。 阳极区域和阴极区域中的另一个包括从第一沟槽区域的外部邻接阳极区域和阴极区域中的一个的第一半导体区域。

公开(公告)号：US20120049273A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US12868918

申请日：2010-08-26

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Joachim Weyers ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Joachim Weyers ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7828

摘要： A depletion transistor includes a source region and a drain region of a first conductivity type, a channel region of the first conductivity type arranged between the source region and the drain region and a first gate electrode arranged adjacent the channel region and dielectrically insulated from the channel region by a gate dielectric. The depletion transistor further includes a first discharge region of a second conductivity type arranged adjacent the gate dielectric and electrically coupled to a terminal for a reference potential. The depletion transistor can be included in a charging circuit.

摘要翻译： 耗尽型晶体管包括源区和漏区，第一导电类型，第一导电类型的沟道区域布置在源区和漏区之间，第一栅电极邻近沟道区设置并与沟道介电绝缘 区域。 耗尽晶体管还包括第二导电类型的第一放电区域，其布置成邻近栅极电介质并电耦合到用于参考电位的端子。 耗尽晶体管可以包括在充电电路中。

公开(公告)号：US08097880B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12421346

申请日：2009-04-09

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor component including a lateral transistor component is disclosed. One embodiment provides an electrically insulating carrier layer. A first and a second semiconductor layer are arranged on above another and are separated from another by a dielectric layer. The first semiconductor layer includes a polycrystalline semiconductor material, an amorphous semiconductor material or an organic semiconductor material. In the first semiconductor layer: a source zone, a body zone, a drift zone and a drain zone are provided. In the second semiconductor layer; a drift control zone is arranged adjacent to the drift zone, including a control terminal at a first lateral end for applying a control potential, and is coupled to the drain zone via a rectifying element at a second lateral end. A gate electrode is arranged adjacent to the body zone and is dielectrically insulated from the body zone by a gate dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种包括横向晶体管元件的半导体元件。 一个实施例提供电绝缘载体层。 第一和第二半导体层被布置在另一个之上并且通过电介质层与另一个半导体层分开。 第一半导体层包括多晶半导体材料，非晶半导体材料或有机半导体材料。 在第一半导体层中提供源极区，体区，漂移区和漏区。 在第二半导体层中; 漂移控制区被布置成与漂移区相邻，包括用于施加控制电位的第一横向端的控制端，并且在第二横向端通过整流元件耦合到排水区。 栅极电极被布置成与身体区域相邻并且通过栅极介电层与身体区域介电绝缘。

公开(公告)号：US08742539B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13560626

申请日：2012-07-27

申请人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

发明人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L29/86

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with a semiconductor body with a top side and with a bottom side. A first coil that is monolithically integrated with the semiconductor body is arranged distant from the bottom side and comprises N first windings, wherein N≧1. The first coil has a first coil axis that extends in a direction different from a surface normal of the bottom side.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有顶侧和底侧的半导体本体的半导体部件。 与半导体本体整体地集成的第一线圈布置成远离底侧，并且包括N个第一绕组，其中N≥1。 第一线圈具有沿与底侧的表面法线不同的方向延伸的第一线圈轴线。

公开(公告)号：US08482029B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13117908

申请日：2011-05-27

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Joachim Weyers

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7831 ,  H03K2217/0036

摘要： A semiconductor device includes a source metallization and a semiconductor body. The semiconductor body includes a first field-effect structure including a source region of a first conductivity type electrically coupled to the source metallization. The semiconductor body also includes a second field-effect structure including a source region of the first conductivity type electrically coupled to the source metallization. A voltage tap including a semiconductor region within the semiconductor body is electrically coupled to a first gate electrode of the first field-effect structure by an intermediate inverter structure.

摘要翻译： 半导体器件包括源极金属化和半导体本体。 半导体本体包括第一场效应结构，其包括与源极金属化电耦合的第一导电类型的源极区域。 半导体本体还包括第二场效应结构，其包括与源极金属化电耦合的第一导电类型的源极区域。 包括半导体本体内的半导体区域的电压抽头通过中间逆变器结构电耦合到第一场效应结构的第一栅电极。

公开(公告)号：US08247874B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12868918

申请日：2010-08-26

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Joachim Weyers ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Joachim Weyers ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7828

摘要： A depletion transistor includes a source region and a drain region of a first conductivity type, a channel region of the first conductivity type arranged between the source region and the drain region and a first gate electrode arranged adjacent the channel region and dielectrically insulated from the channel region by a gate dielectric. The depletion transistor further includes a first discharge region of a second conductivity type arranged adjacent the gate dielectric and electrically coupled to a terminal for a reference potential. The depletion transistor can be included in a charging circuit.

摘要翻译： 耗尽型晶体管包括源区和漏区，第一导电类型，第一导电类型的沟道区域布置在源区和漏区之间，第一栅电极邻近沟道区设置并与沟道介电绝缘 区域。 耗尽晶体管还包括第二导电类型的第一放电区域，其布置成邻近栅极电介质并且电耦合到用于参考电位的端子。 耗尽晶体管可以包括在充电电路中。