公开(公告)号：US08445903B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13125577

申请日：2009-10-19

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742

摘要： A thin film transistor including a gate electrode, a gate-insulating film, an oxide semiconductor film in contact with the gate-insulating film, and source and drain electrodes which connect to the oxide semiconductor film and are separated with a channel part therebetween, wherein the oxide semiconductor film comprises a crystalline indium oxide which includes hydrogen element, and the content of the hydrogen element contained in the oxide semiconductor film is 0.1 at % to 5 at % relative to all elements which form the oxide semiconductor film.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括栅电极，栅极绝缘膜，与栅极绝缘膜接触的氧化物半导体膜，以及连接到氧化物半导体膜并与其间的沟道部分分离的源极和漏极，其中 氧化物半导体膜包括包含氢元素的结晶铟氧化物，并且氧化物半导体膜中包含的氢元素的含量相对于形成氧化物半导体膜的所有元素为0.1at％至5at％。

公开(公告)号：US08647537B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13119838

申请日：2009-09-14

申请人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

发明人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

摘要： An oxide sintered body includes indium oxide and gallium solid-solved therein, the oxide sintered body having an atomic ratio “Ga/(Ga+In)” of 0.001 to 0.12, containing indium and gallium in an amount of 80 atom % or more based on total metal atoms, and having an In2O3 bixbyite structure.

摘要翻译： 氧化物烧结体包括固溶于其中的氧化铟和镓，所述氧化物烧结体的原子比“Ga /（Ga + In）”为0.001〜0.12，含有基于80原子％以上的量的铟和镓 总金属原子，并具有In2O3二氧化硅结构。

公开(公告)号：US08642402B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12526304

申请日：2008-02-06

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036 ,  H01L31/00 ,  H01L29/76 ,  H01L31/112

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： To provide a method for producing a thin film transistor improved in stability, uniformity, reproducibility, heat resistance, durability or the like, a thin film transistor, a thin film transistor substrate, an image display apparatus, an image display apparatus and a semiconductor device.In the semiconductor device, a crystalline oxide is used as an N-type transistor and the electron carrier concentration of the crystalline oxide is less than 2×1017/cm3. Furthermore, the crystalline oxide is a polycrystalline oxide containing In and one or more positive divalent elements selected from Zn, Mg, Cu, Ni, Co and Ca, and the atomic ratio In [In] and the positive divalent element [X][X]/([X]+[In]) is 0.0001 to 0.13.

摘要翻译： 为了提供一种提高稳定性，均匀性，再现性，耐热性，耐久性等的薄膜晶体管的制造方法，薄膜晶体管，薄膜晶体管基板，图像显示装置，图像显示装置和半导体装置 。 在半导体装置中，结晶性氧化物用作N型晶体管，结晶性氧化物的电子载流子浓度小于2×1017 / cm3。 此外，结晶性氧化物是含有In的一种或多种选自Zn，Mg，Cu，Ni，Co和Ca中的一种或多种正的二价元素的多晶氧化物，并且原子比In [In]和正的二价元素[X] [X ] /（[X] + [In]）为0.0001〜0.13。

公开(公告)号：US20110243835A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13139563

申请日：2009-06-01

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

IPC分类号： C01B13/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C09K3/00 ,  C04B35/01 ,  B22F3/10

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

摘要： A sintered body includes an indium oxide crystal, and an oxide solid-dissolved in the indium oxide crystal, the oxide being oxide of one or more metals selected from the group consisting of aluminum and scandium, the sintered body having an atomic ratio “(total of the one or more metals)/(total of the one or more metals and indium)×100)” of 0.001% or more and less than 45%.

摘要翻译： 烧结体包括氧化铟晶体和固体溶解在氧化铟晶体中的氧化物，氧化物是选自铝和钪中的一种或多种金属的氧化物，烧结体的原子比“（总计） 的一种或多种金属）/（一种或多种金属和铟的总和）×100）“为0.001％以上且小于45％。

公开(公告)号：US20110180763A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13119838

申请日：2009-09-14

申请人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

发明人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

IPC分类号： H01B1/02 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

摘要： An oxide sintered body includes indium oxide and gallium solid-solved therein, the oxide sintered body having an atomic ratio “Ga/(Ga+In)” of 0.001 to 0.12, containing indium and gallium in an amount of 80 atom % or more based on total metal atoms, and having an In2O3 bixbyite structure.

摘要翻译： 氧化物烧结体包括固溶于其中的氧化铟和镓，所述氧化物烧结体的原子比“Ga /（Ga + In）”为0.001〜0.12，含有基于80原子％以上的量的铟和镓 总金属原子，并具有In2O3二氧化硅结构。

公开(公告)号：US20110168994A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12996598

申请日：2009-06-05

申请人： Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue

发明人： Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/42 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/64 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

摘要： Disclosed is a sputtering target that can suppress the occurrence of anomalous discharge in the formation of an oxide semiconductor film by sputtering method and can continuously and stably form a film. Also disclosed is an oxide for a sputtering target that has a rare earth oxide C-type crystal structure and has a surface free from white spots (a poor appearance such as concaves and convexes formed on the surface of the sputtering target). Further disclosed is an oxide sintered compact that has a bixbyite structure and contains indium oxide, gallium oxide, and zinc oxide. The composition amounts (atomic %) of indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) fall within a composition range satisfying the following formula: In/(In+Ga+Zn)

摘要翻译： 公开了一种溅射靶，其可以通过溅射法抑制氧化物半导体膜形成中的异常放电的发生，并且可以连续且稳定地形成膜。 还公开了具有稀土氧化物C型晶体结构并具有没有白点的表面（在溅射靶的表面上形成的凹凸等差的外观）的溅射靶的氧化物。 进一步公开了具有双相结构并含有氧化铟，氧化镓和氧化锌的氧化物烧结体。 铟（In），镓（Ga）和锌（Zn）的组成量（原子％）落在满足下式的组成范围内：In /（In + Ga + Zn）<0.75

公开(公告)号：US20110050733A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12526304

申请日：2008-02-06

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami

IPC分类号： G09G5/10

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： To provide a method for producing a thin film transistor improved in stability, uniformity, reproducibility, heat resistance, durability or the like, a thin film transistor, a thin film transistor substrate, an image display apparatus, an image display apparatus and a semiconductor device.In the semiconductor device, a crystalline oxide is used as an N-type transistor and the electron carrier concentration of the crystalline oxide is less than 2×1017/cm3. Furthermore, the crystalline oxide is a polycrystalline oxide containing In and one or more positive divalent elements selected from Zn, Mg, Cu, Ni, Co and Ca, and the atomic ratio In [In] and the positive divalent element [X][X]/([X]+[In]) is 0.0001 to 0.13.

摘要翻译： 为了提供一种提高稳定性，均匀性，再现性，耐热性，耐久性等的薄膜晶体管的制造方法，薄膜晶体管，薄膜晶体管基板，图像显示装置，图像显示装置和半导体装置 。 在半导体装置中，结晶性氧化物用作N型晶体管，结晶性氧化物的电子载流子浓度小于2×1017 / cm3。 此外，结晶性氧化物是含有In的一种或多种选自Zn，Mg，Cu，Ni，Co和Ca中的一种或多种正的二价元素的多晶氧化物，并且原子比In [In]和正的二价元素[X] [X ] /（[X] + [In]）为0.0001〜0.13。

公开(公告)号：US08664136B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13139563

申请日：2009-06-01

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

IPC分类号： C04B35/00

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

摘要： A sintered body includes an indium oxide crystal, and an oxide solid-dissolved in the indium oxide crystal, the oxide being oxide of one or more metals selected from the group consisting of aluminum and scandium, the sintered body having an atomic ratio “(total of the one or more metals)/(total of the one or more metals and indium)×100)” of 0.001% or more and less than 45%.

摘要翻译： 烧结体包括氧化铟晶体和固体溶解在氧化铟晶体中的氧化物，氧化物是选自铝和钪中的一种或多种金属的氧化物，烧结体的原子比“（总计） 的一种或多种金属）/（一种或多种金属和铟的总和）×100）“为0.001％以上且小于45％。

公开(公告)号：US20110198586A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13125577

申请日：2009-10-19

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742

摘要： A thin film transistor including a gate electrode, a gate-insulating film, an oxide semiconductor film in contact with the gate-insulating film, and source and drain electrodes which connect to the oxide semiconductor film and are separated with a channel part therebetween, wherein the oxide semiconductor film comprises a crystalline indium oxide which includes hydrogen element, and the content of the hydrogen element contained in the oxide semiconductor film is 0.1 at % to 5 at % relative to all elements which form the oxide semiconductor film.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括栅电极，栅极绝缘膜，与栅极绝缘膜接触的氧化物半导体膜，以及连接到氧化物半导体膜并与其间的沟道部分分离的源极和漏极，其中 氧化物半导体膜包括包含氢元素的结晶铟氧化物，并且氧化物半导体膜中包含的氢元素的含量相对于形成氧化物半导体膜的所有元素为0.1at％至5at％。

公开(公告)号：US20100065835A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12212688

申请日：2008-09-18

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： To provide a thin film transistor having an indium oxide-based semiconductor film which allows only a thin metal film on the semiconductor film to be selectively etched. A thin film transistor having a crystalline indium oxide semiconductor film which is composed mainly of indium oxide and contains a positive trivalent metal oxide.

摘要翻译： 为了提供一种薄膜晶体管，其具有仅允许选择性地蚀刻半导体膜上的薄金属膜的氧化铟基半导体膜。 一种薄膜晶体管，其具有主要由氧化铟组成并含有正三价金属氧化物的结晶铟氧化物半导体膜。