公开(公告)号：US20080105909A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11976658

申请日：2007-10-26

申请人： Seog-Heon Ham ,  Bo-Kyung Kim ,  Young-Cheol Chae ,  Gun-Hee Han

发明人： Seog-Heon Ham ,  Bo-Kyung Kim ,  Young-Cheol Chae ,  Gun-Hee Han

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/374

摘要： Example embodiments relate to a pixel structure of a CMOS image sensor, and associated methods. The pixel structure may include a substrate of a first-conductivity, a photodiode region of a second conductivity in the first-conductivity substrate, and a capacitor electrode on the second-conductivity photodiode region.

摘要翻译： 示例实施例涉及CMOS图像传感器的像素结构以及相关方法。 像素结构可以包括第一导电性基板的第一导电性基板，第二导电性的光电二极管区域和第二导电性光电二极管区域上的电容器电极。

公开(公告)号：US5903420A

公开(公告)日：1999-05-11

申请号：US963238

申请日：1997-11-03

申请人： Seog-Heon Ham

发明人： Seog-Heon Ham

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0259 ,  H01L27/0251

摘要： An electrostatic discharge (ESD) protecting circuit for effectively discharging an overcurrent applied to a semiconductor circuit device, by providing a plurality of current paths. The ESD protecting circuit comprises a first discharging current path for discharging an overcurrent from the I/O pad to a first power supply, a second discharging current path for discharging the overcurrent from the I/O pad to a second power supply providing power for the internal circuit and a third discharging current path formed between the first power supply and the second power supply.

摘要翻译： 一种静电放电（ESD）保护电路，用于通过提供多个电流路径来有效地放电施加到半导体电路器件的过电流。 ESD保护电路包括用于将来自I / O焊盘的过电流放电到第一电源的第一放电电流路径，用于将来自I / O焊盘的过电流放电到第二电源的第二放电电流路径， 内部电路和形成在第一电源和第二电源之间的第三放电电流路径。

公开(公告)号：US07985993B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US11874404

申请日：2007-10-18

申请人： Dong-Myung Lee ,  Dong-Soo Kim ,  Gun-Hee Han ,  Seog-Heon Ham

发明人： Dong-Myung Lee ,  Dong-Soo Kim ,  Gun-Hee Han ,  Seog-Heon Ham

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H04N5/378 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3535

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor includes a photodiode, a switch and a comparator. The switch transfers a sensing signal to a sensing node from the photodiode. The comparator, which is directly connected to the sensing node, compares the sensing signal of the sensing node with a reference signal. The comparator outputs a signal corresponding to a voltage difference between the sensing signal and the reference signal.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器包括光电二极管，开关和比较器。 开关将感测信号从光电二极管传送到感测节点。 直接连接到感测节点的比较器将感测节点的感测信号与参考信号进行比较。 比较器输出对应于感测信号和参考信号之间的电压差的信号。

公开(公告)号：US20080116966A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11986345

申请日：2007-11-21

申请人： Youngcheol Chae ,  Gunhee Han ,  Seog-Heon Ham

发明人： Youngcheol Chae ,  Gunhee Han ,  Seog-Heon Ham

IPC分类号： H03K5/00

CPC分类号： H03H19/004 ,  H03M3/356 ,  H03M3/43 ,  H03M3/456

摘要： A switched capacitor circuit includes an amplifier, a charging unit, an offset unit, and an integrating unit. The charging unit is coupled between an input node and a first node, and is for accumulating charge corresponding to an input signal during a sampling mode. The offset unit is coupled between the first node and an input of the amplifier, and is for maintaining the first node to be a virtual ground during an integrating mode. The integrating unit is coupled between the first node and an output of the amplifier, and is for receiving charge from the charging unit during the integrating mode.

摘要翻译： 开关电容电路包括放大器，充电单元，偏移单元和积分单元。 充电单元耦合在输入节点和第一节点之间，并且用于在采样模式期间累加对应于输入信号的电荷。 偏移单元耦合在第一节点和放大器的输入之间，并且用于在积分模式期间将第一节点维持为虚拟地面。 积分单元耦合在第一节点和放大器的输出端之间，用于在积分模式期间从充电单元接收电荷。

公开(公告)号：US5773349A

公开(公告)日：1998-06-30

申请号：US664861

申请日：1996-06-17

申请人： Seog-Heon Ham

发明人： Seog-Heon Ham

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/70 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7322

摘要： An ultrahigh speed bipolar transistor has a base region which is formed from a P.sup.+ base polysilicon sidewall using a self-alignment method, and a base junction window which is formed in order to minimize the collector-base junction capacity. In the method for fabricating this transistor, an insulation layer of oxide silicon or nitrogen silicon is formed under the base polysilicon layer. Accordingly, impurities from the base polysilicon layer do not diffuse into the epitaxial layer during the diffusion process. Instead, the extrinsic base region is formed by the diffusion of impurities from the polysilicon sidewall which is connected to the base polysilicon layer. Therefore the length of the entire base region is shortened. Furthermore, the junction area between the collector region is also lowered. Thus, the collector-base junction capacity is decreased and a higher operating speed is obtained.

摘要翻译： 超高速双极晶体管具有使用自对准方法由P +基底多晶硅侧壁形成的基极区域和形成为使集电极 - 基极结电容最小化的基极结窗口。 在制造该晶体管的方法中，在基底多晶硅层下方形成氧化硅或氮硅的绝缘层。 因此，在扩散过程中，来自基底多晶硅层的杂质不扩散到外延层中。 相反，外部基极区域通过杂质从连接到基底多晶硅层的多晶硅侧壁扩散而形成。 因此，整个基区的长度缩短。 此外，集电区域之间的接合面积也降低。 因此，集电极 - 基极结的容量降低并且获得更高的工作速度。

公开(公告)号：US20150189198A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：US14540450

申请日：2014-11-13

申请人： Byung-Chul Park ,  Won-Baek Lee ,  Byung-Jo Kim ,  Jin-Ho Seo ,  Seog-Heon Ham

发明人： Byung-Chul Park ,  Won-Baek Lee ,  Byung-Jo Kim ,  Jin-Ho Seo ,  Seog-Heon Ham

IPC分类号： H04N5/347 ,  H04N5/378

CPC分类号： H04N5/347

摘要： A method of binning pixels in an image sensor including: dividing a pixel array into a plurality of binning areas, wherein each binning area includes (2n)*(2n) pixels, wherein n is an integer equal to or greater than two; and generating binning pixel data in each of the binning areas, wherein the locations of the binning pixel data of each binning area are evenly distributed within the binning area.

摘要翻译： 一种对图像传感器中的像素进行合并的方法，包括：将像素阵列划分成多个合并区域，其中每个合并区域包括（2n）*（2n）个像素，其中n是等于或大于2的整数; 以及在每个合并区域中生成合并像素数据，其中每个合并区域的合并像素数据的位置均匀分布在合并区域内。

公开(公告)号：US07978237B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12073625

申请日：2008-03-07

申请人： Myoung-Su Lee ,  Su-Hun Lim ,  Jin-Kyeong Heo ,  Tae-Chan Kim ,  Seog-Heon Ham ,  Yong-In Han

发明人： Myoung-Su Lee ,  Su-Hun Lim ,  Jin-Kyeong Heo ,  Tae-Chan Kim ,  Seog-Heon Ham ,  Yong-In Han

IPC分类号： H04N5/217

CPC分类号： H04N5/378 ,  H04N5/3658 ,  H04N5/374

摘要： An apparatus for canceling a fixed pattern noise in a CMOS image sensor includes a storage device, a fixed pattern noise operation circuit, and a fixed pattern noise canceling circuit. The storage device stores first reference fixed pattern noises operated in a vertical blank section of an (n−1)th frame. The fixed pattern noise operation circuit calculates second reference fixed pattern noises based on the first reference fixed pattern noises stored in the storage device and blank fixed pattern noises output in a vertical blank section of an n-th frame and outputs the second reference fixed pattern noises to the storage device to update the first reference fixed pattern noises to the second reference fixed pattern noises. The fixed pattern noise canceling circuit cancels active fixed pattern noises in combination signals based on the combination signals output in an active section of an (n+1)th frame and including the active fixed pattern noises and pixel signals and the second reference fixed pattern noises output from the storage device.

摘要翻译： 一种用于消除CMOS图像传感器中的固定图案噪声的装置，包括存储装置，固定图案噪声运算电路和固定图案噪声消除电路。 存储装置存储在第（n-1）帧的垂直空白部分中操作的第一参考固定模式噪声。 固定模式噪声运算电路基于存储在存储装置中的第一参考固定模式噪声和在第n帧的垂直空白部分中输出的空白固定模式噪声来计算第二参考固定模式噪声，并输出第二参考固定模式噪声 到存储装置，以将第一参考固定模式噪声更新为第二参考固定模式噪声。 固定图案噪声消除电路基于在第（n + 1）帧的有效部分中输出的组合信号消除组合信号中的有源固定模式噪声，并且包括有源固定模式噪声和像素信号以及第二参考固定模式噪声 从存储设备输出。

公开(公告)号：US07800427B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11986345

申请日：2007-11-21

申请人： Youngcheol Chae ,  Gunhee Han ,  Seog-Heon Ham

发明人： Youngcheol Chae ,  Gunhee Han ,  Seog-Heon Ham

IPC分类号： G06G7/184 ,  H03M3/02

CPC分类号： H03H19/004 ,  H03M3/356 ,  H03M3/43 ,  H03M3/456

摘要： A switched capacitor circuit includes an amplifier, a charging unit, an offset unit, and an integrating unit. The charging unit is coupled between an input node and a first node, and is for accumulating charge corresponding to an input signal during a sampling mode. The offset unit is coupled between the first node and an input of the amplifier, and is for maintaining the first node to be a virtual ground during an integrating mode. The integrating unit is coupled between the first node and an output of the amplifier, and is for receiving charge from the charging unit during the integrating mode.

摘要翻译： 开关电容电路包括放大器，充电单元，偏移单元和积分单元。 充电单元耦合在输入节点和第一节点之间，并且用于在采样模式期间累加对应于输入信号的电荷。 偏移单元耦合在第一节点和放大器的输入之间，并且用于在积分模式期间将第一节点维持为虚拟地面。 积分单元耦合在第一节点和放大器的输出端之间，用于在积分模式期间从充电单元接收电荷。

公开(公告)号：US07629838B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11975018

申请日：2007-10-17

申请人： Seung-Hyun Lim ,  Jeong-Hwan Lee ,  Gun-Hee Han ,  Seog-Heon Ham

发明人： Seung-Hyun Lim ,  Jeong-Hwan Lee ,  Gun-Hee Han ,  Seog-Heon Ham

IPC分类号： H03F1/02

CPC分类号： H03F3/005 ,  H03F3/45475 ,  H03F2203/45514 ,  H03F2203/45551

摘要： A ratio-independent switched capacitor amplifier includes a first sampling circuit configured to sample a first input voltage as a first sampling voltage and to double a level of the first sampling voltage during an interval in which the first input voltage is cut off; a second sampling circuit configured to sample a second input voltage as a second sampling voltage and to double a level of the second sampling voltage during an interval in which the second input voltage is cut off; and a differential amplifier circuit configured to output a difference between the first sampling voltage and the second sampling voltage.

摘要翻译： 比率无关的开关电容放大器包括：第一采样电路，被配置为将第一输入电压作为第一采样电压进行采样，并在第一输入电压被切断的间隔期间使第一采样电压的电平加倍; 第二采样电路，被配置为将第二输入电压作为第二采样电压进行采样，并且在所述第二输入电压被切断的间隔期间将所述第二采样电压的电平加倍; 以及差分放大电路，被配置为输出第一采样电压和第二采样电压之间的差。

公开(公告)号：US20080111906A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11985012

申请日：2007-11-13

申请人： Dong-Soo Kim ,  Gun-Hee Han ,  Seog-Heon Ham

发明人： Dong-Soo Kim ,  Gun-Hee Han ,  Seog-Heon Ham

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14645 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/35554 ,  H04N5/37452 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a pixel circuit in a CMOS image sensor, a structure thereof, and a method of operating the same. The pixel includes: a photodiode; a floating diffusion node connected to the photodiode through a first switch; a source follower responsive to a voltage of the floating diffusion node. The voltage of the floating diffusion node is applied to the source follower through capacitance coupling.

摘要翻译： 提供了一种CMOS图像传感器中的像素电路及其结构及其操作方法。 像素包括：光电二极管; 通过第一开关连接到所述光电二极管的浮动扩散节点; 响应于浮动扩散节点的电压的源极跟随器。 通过电容耦合将浮动扩散节点的电压施加到源极跟随器。