公开(公告)号：US08536645B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13031505

申请日：2011-02-21

申请人： Timothy D. Henson ,  Ling Ma ,  Hugo Burke ,  David P. Jones ,  Martin Carroll

发明人： Timothy D. Henson ,  Ling Ma ,  Hugo Burke ,  David P. Jones ,  Martin Carroll

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： According to an exemplary embodiment, a trench field-effect transistor (trench FET) includes a trench formed in a semiconductor substrate, the trench including a gate dielectric disposed therein. A source region is disposed adjacent the trench. The trench FET also has a gate electrode including a lower portion disposed in the trench and a proud portion extending laterally over the source region. A silicide source contact can extend vertically along a sidewall of the source region. Also, a portion of the gate dielectric can extend laterally over the semiconductor substrate. The trench FET can further include a silicide gate contact formed over the proud portion of the gate electrode.

摘要翻译： 根据示例性实施例，沟槽场效应晶体管（沟槽FET）包括形成在半导体衬底中的沟槽，沟槽包括设置在其中的栅极电介质。 源极区域邻近沟槽设置。 沟槽FET还具有包括设置在沟槽中的下部的栅电极和在源极区域上横向延伸的骄傲部分。 硅化物源接触件可以沿着源极区域的侧壁垂直延伸。 此外，栅极电介质的一部分可以在半导体衬底上横向延伸。 沟槽FET还可以包括形成在栅电极的骄傲部分上的硅化物栅极接触。

公开(公告)号：US20120211825A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13031505

申请日：2011-02-21

申请人： Timothy D. Henson ,  Ling Ma ,  Hugo Burke ,  David P. Jones ,  Martin Carroll

发明人： Timothy D. Henson ,  Ling Ma ,  Hugo Burke ,  David P. Jones ,  Martin Carroll

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： According to an exemplary embodiment, a trench field-effect transistor (trench FET) includes a trench formed in a semiconductor substrate, the trench including a gate dielectric disposed therein. A source region is disposed adjacent the trench. The trench FET also has a gate electrode including a lower portion disposed in the trench and a proud portion extending laterally over the source region. A silicide source contact can extend vertically along a sidewall of the source region. Also, a portion of the gate dielectric can extend laterally over the semiconductor substrate. The trench FET can further include a silicide gate contact formed over the proud portion of the gate electrode.

摘要翻译： 根据示例性实施例，沟槽场效应晶体管（沟槽FET）包括形成在半导体衬底中的沟槽，沟槽包括设置在其中的栅极电介质。 源极区域邻近沟槽设置。 沟槽FET还具有包括设置在沟槽中的下部的栅电极和在源极区域上横向延伸的骄傲部分。 硅化物源接触件可以沿着源极区域的侧壁垂直延伸。 此外，栅极电介质的一部分可以在半导体衬底上横向延伸。 沟槽FET还可以包括形成在栅电极的骄傲部分上的硅化物栅极接触。

公开(公告)号：US08154105B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US11524178

申请日：2006-09-20

申请人： Ling Ma

发明人： Ling Ma

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7809 ,  H01L21/76898 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/13091

摘要： A semiconductor die and method of making it are provided. The die includes a first via extending through the entire thickness of the die and a first via electrode disposed inside the via electrically connecting an electrode at a top surface of the die with another electrode disposed at a bottom surface of the die.

摘要翻译： 提供半导体管芯及其制造方法。 芯片包括延伸穿过芯片的整个厚度的第一通孔和布置在通孔内部的第一通孔电极，电极将模具的顶表面处的电极与设置在管芯的底表面处的另一个电极连接。

公开(公告)号：US20110163373A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12655668

申请日：2010-01-04

申请人： Aram Arzumanyan ,  Timothy D. Henson ,  Ling Ma

发明人： Aram Arzumanyan ,  Timothy D. Henson ,  Ling Ma

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： According to one embodiment, a semiconductor device including a voltage controlled termination structure comprises an active area including a base region of a first conductivity type formed in a semiconductor body of a second conductivity type formed over a first major surface of a substrate of the second conductivity type, a termination region formed in the semiconductor body adjacent the active area and including the voltage controlled termination structure. The voltage controlled termination structure includes an electrode electrically connected to a terminal of the semiconductor device. In one embodiment, the electrode of the voltage controlled termination structure is electrically connected to a gate terminal of the semiconductor device. In one embodiment, the electrode of the voltage controlled termination structure is electrically connected to a source terminal of the semiconductor device.

摘要翻译： 根据一个实施例，包括电压控制终端结构的半导体器件包括有源区，该有源区包括形成在第二导电类型的半导体本体中的第一导电类型的基极区，形成在第二导电性的衬底的第一主表面上 类型，形成在与有源区相邻的半导体本体中并且包括电压控制的端接结构的端接区。 电压控制终端结构包括电连接到半导体器件的端子的电极。 在一个实施例中，电压控制终端结构的电极电连接到半导体器件的栅极端子。 在一个实施例中，电压控制终端结构的电极电连接到半导体器件的源极端子。

公开(公告)号：US07549212B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11685429

申请日：2007-03-13

申请人： Youping Mei ,  Jun Mou ,  Dale E. Egbert ,  Ling Ma

发明人： Youping Mei ,  Jun Mou ,  Dale E. Egbert ,  Ling Ma

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3136 ,  G11B5/102 ,  G11B5/40 ,  G11B5/455 ,  G11B5/607 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49025 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49798

摘要： A method and apparatus are provided for adjusting recession of an element, such as a pole tip, in a transducer structure formed in a plurality of thin film layers on an edge of a slider. A pre-stressed structure is formed as part of the plurality of thin film layers on the edge of the slider. The pre-stressed structure has a level of material stress. The recession is measured relative to a bearing surface of the slider, and then the level of material stress is adjusted as a function of the measured to effect a corresponding change in the recession.

摘要翻译： 提供一种方法和装置，用于调节在滑块的边缘上形成在多个薄膜层中的换能器结构中的元件（例如极尖）的凹陷。 在滑块的边缘上形成预应力结构作为多个薄膜层的一部分。 预应力结构具有材料应力水平。 相对于滑块的支承表面测量凹陷，然后根据所测量的材料应力的水平来调节以实现经济衰退的相应变化。

公开(公告)号：US20070023829A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11491743

申请日：2006-07-24

申请人： Hugo Burke ,  David Jones ,  Ling Ma ,  Robert Montgomery

发明人： Hugo Burke ,  David Jones ,  Ling Ma ,  Robert Montgomery

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734

摘要： A power semiconductor device which includes gate liners extending along gate insulation liners and an insulation block spacing the two gate liners.

摘要翻译： 一种功率半导体器件，其包括沿栅极绝缘衬垫延伸的栅极衬垫和间隔两个栅极衬垫的绝缘块。

公开(公告)号：US20140118032A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US13666854

申请日：2012-11-01

申请人： Ling Ma ,  Andrew N. Sawle ,  David Paul Jones ,  Timothy D. Henson ,  Niraj Ranjan ,  Vijay Viswanathan ,  Omar Hassen

发明人： Ling Ma ,  Andrew N. Sawle ,  David Paul Jones ,  Timothy D. Henson ,  Niraj Ranjan ,  Vijay Viswanathan ,  Omar Hassen

IPC分类号： H02M3/155

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16251 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00

摘要： One exemplary disclosed embodiment comprises a semiconductor package including a vertical conduction control transistor and a vertical conduction sync transistor. The vertical conduction control transistor may include a control source, a control gate, and a control drain that are all accessible from a bottom surface, thereby enabling electrical and direct surface mounting to a support surface. The vertical conduction sync transistor may include a sync drain on a top surface, which may be connected to a conductive clip that is coupled to the support surface. The conductive clip may also be thermally coupled to the control transistor. Accordingly, all terminals of the transistors are readily accessible through the support surface, and a power circuit, such as a buck converter power phase, may be implemented through traces of the support surface. Optionally, a driver IC may be integrated into the package, and a heatsink may be attached to the conductive clip.

摘要翻译： 一个示例性的公开的实施例包括包括垂直导通控制晶体管和垂直导通同步晶体管的半导体封装。 垂直传导控制晶体管可以包括控制源，控制栅极和控制漏极，其都可从底表面接近，从而使电和直接表面安装到支撑表面。 垂直导通同步晶体管可以包括顶表面上的同步漏极，其可连接到耦合到支撑表面的导电夹子。 导电夹子也可以热耦合到控制晶体管。 因此，晶体管的所有端子容易通过支撑表面接近，并且诸如降压转换器电源相的功率电路可以通过支撑表面的迹线来实现。 可选地，驱动器IC可以集成到封装中，并且散热器可以附接到导电夹子。

公开(公告)号：US08131986B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US11529900

申请日：2006-09-29

申请人： Mark C. Davis ,  Scott E. Kelso ,  Ling Ma ,  Nathan J. Peterson ,  Rod D. Waltermann

发明人： Mark C. Davis ,  Scott E. Kelso ,  Ling Ma ,  Nathan J. Peterson ,  Rod D. Waltermann

IPC分类号： G06F9/00 ,  G06F9/24 ,  G06F15/177 ,  G06F9/455 ,  G06F21/00

CPC分类号： G06F9/4401 ,  G06F9/45533 ,  G06F2009/45583

摘要： A system and method for loading programs during a system boot using stored configuration data in a predetermined file system from a prior session and providing the stored configuration data to a guest operating system capable of communication with a host operating system, during start-up, within a computing environment having a hypervisor, in a predetermined manner.

摘要翻译： 一种用于在系统引导期间使用来自先前会话的预定文件系统中的存储配置数据加载程序的系统和方法，并且将所存储的配置数据提供给能够在启动期间在主机操作系统内与客户操作系统通信的客户操作系统 具有管理程序的计算环境，以预定的方式。

公开(公告)号：US20110161354A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12937664

申请日：2008-04-25

申请人： Ling Ma

发明人： Ling Ma

IPC分类号： G06F17/30 ,  G06F3/048

CPC分类号： G06F16/9038

摘要： Apparatus, systems, and methods may operate to present a plurality of searched items by a plurality of points in a matrix view, which includes a first axis and a second axis, respectively representing a price attribute and one of other attributes of the plurality of items. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.

摘要翻译： 装置，系统和方法可以操作以通过矩阵视图中的多个点呈现多个搜索项目，该矩阵视图包括分别表示价格属性和多个项目的其他属性之一的第一轴和第二轴 。 公开了附加装置，系统和方法。

公开(公告)号：US07943990B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11504751

申请日：2006-08-14

申请人： Ling Ma ,  Adam I. Amali ,  Russell Turner

发明人： Ling Ma ,  Adam I. Amali ,  Russell Turner

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

摘要： A power semiconductor device which includes a plurality of gate trenches and a perimeter trench intersecting the gate trenches.

摘要翻译： 一种功率半导体器件，其包括多个栅极沟槽和与栅极沟槽相交的周边沟槽。