公开(公告)号：US20130037775A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13567646

申请日：2012-08-06

申请人： Satoru Mitani ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

发明人： Satoru Mitani ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile memory element of the present invention comprises a first electrode (103), a second electrode (108); a resistance variable layer (107) which is interposed between the first electrode (103) and the second electrode (107) and is configured to switch a resistance value reversibly in response to an electric signal applied between the electrodes (103) and (108), and the resistance variable layer (107) has at least a multi-layer structure in which a first hafnium-containing layer having a composition expressed as HfOx (0.9≦x≦1.6), and a second hafnium-containing layer having a composition expressed as HfOy (1.8≦y≦2.0) are stacked together.

摘要翻译： 本发明的非易失性存储元件包括第一电极（103），第二电极（108） 介于第一电极（103）和第二电极（107）之间的电阻变化层（107），其被配置成响应于施加在电极（103）和（108）之间的电信号可逆地切换电阻值， ，并且电阻变化层（107）具有至少多层结构，其中具有表示为HfO x（0.9＆nlE; x＆nlE; 1.6）的组成的第一含铪层和具有组成的第二含铪层 表示为HfOy（1.8＆nlE; y＆nlE; 2.0）堆叠在一起。

公开(公告)号：US08022502B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12307211

申请日：2008-03-26

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： A nonvolatile memory element comprises a first electrode layer (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer (106) which is disposed between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (107), a resistance value of the resistance variable layer varying reversibly according to electric signals having different polarities which are applied between the electrodes (103), (107), wherein the resistance variable layer (106) has a first region comprising a first oxygen-deficient tantalum oxide having a composition represented by TaOx (0

摘要翻译： 非易失性存储元件包括设置在第一电极层（103）和第二电极层（107）之间的第一电极层（103），第二电极（107）和电阻变化层（106），电阻 电阻变化层的值根据施加在电极（103），（107）之间的具有不同极性的电信号而可逆地变化，其中电阻变化层（106）具有第一区域，该第一区域包括第一氧缺陷型氧化钽， 由TaOx（0

公开(公告)号：US08309946B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12935455

申请日：2009-07-22

申请人： Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Ryoko Miyanaga ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

发明人： Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Ryoko Miyanaga ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： A resistance variable element of the present invention comprises a first electrode (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer which is interposed between the first electrode (103) and the second electrode (107) to contact the first electrode (103) and the second electrode (107), the resistance variable layer being configured to change in response to electric signals with different polarities which are applied between the first electrode (103) and the second electrode (107), the resistance variable layer comprising an oxygen-deficient transition metal oxide layer, and the second electrode (107) comprising platinum having minute hillocks (108).

摘要翻译： 本发明的电阻可变元件包括第一电极（103），第二电极（107）和介于第一电极（103）和第二电极（107）之间的电阻变化层，以接触第一电极 （103）和第二电极（107），电阻变化层被配置为响应于施加在第一电极（103）和第二电极（107）之间的具有不同极性的电信号而改变，电阻变化层包括 氧缺乏的过渡金属氧化物层，以及包含具有分开的小丘（108）的铂的第二电极（107）。

公开(公告)号：US08553444B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12743472

申请日：2009-08-20

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Koji Katayama ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Koji Katayama ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A variable resistance nonvolatile storage device which includes (i) a semiconductor substrate (301), (ii) a variable resistance element (309) having: lower and upper electrodes (309a, 309c); and a variable resistance layer (309b) whose resistance value reversibly varies based on voltage signals each of which has a different polarity and is applied between the electrodes (309a, 309c), and (iii) a MOS transistor (317) formed on the substrate (301), wherein the variable resistance layer (309b) includes: oxygen-deficient transition metal oxide layers (309b-1, 309b-2) having compositions MOX and MOy (where x

摘要翻译： 一种可变电阻非易失性存储装置，包括：（i）半导体衬底（301），（ii）具有下电极和上电极（309a，309c）的可变电阻元件（309） 和可变电阻层（309b），其电阻值基于各自具有不同极性的电压信号而被可逆地变化并施加在电极（309a，309c）之间，以及（iii）形成在基板上的MOS晶体管 （301），其中所述可变电阻层（309b）包括：具有组成MOX和MOy（其中x

公开(公告)号：US20110002154A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12677404

申请日：2009-07-01

申请人： Satoru Mitani ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

发明人： Satoru Mitani ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile memory element of the present invention comprises a first electrode (103), a second electrode (108); a resistance variable layer (107) which is interposed between the first electrode (103) and the second electrode (107) and is configured to switch a resistance value reversibly in response to an electric signal applied between the electrodes (103) and (108), and the resistance variable layer (107) has at least a multi-layer structure in which a first hafnium-containing layer having a composition expressed as HfOx (0.9≦x≦1.6), and a second hafnium-containing layer having a composition expressed as HfOy (1.8

摘要翻译： 本发明的非易失性存储元件包括第一电极（103），第二电极（108） 介于第一电极（103）和第二电极（107）之间的电阻变化层（107），其被配置为响应于施加在电极（103）和（108）之间的电信号可逆地切换电阻值， ，并且电阻变化层（107）具有至少多层结构，其中具有表示为HfO x（0.9＆nlE; x＆nlE; 1.6）的组成的第一含铪层和具有组成的第二含铪层 表示为HfOy（1.8

公开(公告)号：US20090283736A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12307211

申请日：2008-03-26

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhlko Shimakawa

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhlko Shimakawa

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/16 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： A nonvolatile memory element comprises a first electrode layer (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer (106) which is disposed between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (107), a resistance value of the resistance variable layer varying reversibly according to electric signals having different polarities which are applied between the electrodes (103), (107), wherein the resistance variable layer (106) has a first region comprising a first oxygen-deficient tantalum oxide having a composition represented by TaOx (0

摘要翻译： 非易失性存储元件包括设置在第一电极层（103）和第二电极层（107）之间的第一电极层（103），第二电极（107）和电阻变化层（106），电阻 电阻变化层的值根据施加在电极（103），（107）之间的具有不同极性的电信号而可逆地变化，其中电阻变化层（106）具有第一区域，该第一区域包括第一氧缺陷型氧化钽， 由TaOx（0

公开(公告)号：US08445319B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13205408

申请日：2011-08-08

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： A nonvolatile memory element comprises a first electrode layer (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer (106) which is disposed between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (107), a resistance value of the resistance variable layer varying reversibly according to electric signals having different polarities which are applied between the electrodes (103), (107), wherein the resistance variable layer (106) has a first region comprising a first oxygen-deficient tantalum oxide having a composition represented by TaOx (0

摘要翻译： 非易失性存储元件包括设置在第一电极层（103）和第二电极层（107）之间的第一电极层（103），第二电极（107）和电阻变化层（106），电阻 电阻变化层的值根据施加在电极（103），（107）之间的具有不同极性的电信号而可逆地变化，其中电阻变化层（106）具有第一区域，该第一区域包括第一氧缺陷型氧化钽， 由TaOx（0

公开(公告)号：US20110044088A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12743472

申请日：2009-08-20

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Koji Katayama ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Koji Katayama ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C11/34 ,  H01L27/105 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A variable resistance nonvolatile storage device which includes (i) a semiconductor substrate (301), (ii) a variable resistance element (309) having: lower and upper electrodes (309a, 309c); and a variable resistance layer (309b) whose resistance value reversibly varies based on voltage signals each of which has a different polarity and is applied between the electrodes (309a, 309c), and (iii) a MOS transistor (317) formed on the substrate (301), wherein the variable resistance layer (309b) includes: oxygen-deficient transition metal oxide layers (309b-1, 309b-2) having compositions MOx and MOy (where x

摘要翻译： 一种可变电阻非易失性存储装置，包括：（i）半导体衬底（301），（ii）具有下电极和上电极（309a，309c）的可变电阻元件（309） 和可变电阻层（309b），其电阻值基于各自具有不同极性的电压信号而被可逆地变化并施加在电极（309a，309c）之间，以及（iii）形成在基板上的MOS晶体管 （301），其中所述可变电阻层（309b）包括：具有组成MOx和MOy（其中x

公开(公告)号：US20110031465A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12935455

申请日：2009-07-22

申请人： Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Ryoko Miyanaga ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takaji

发明人： Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Ryoko Miyanaga ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takaji

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： A resistance variable element of the present invention comprises a first electrode (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer which is interposed between the first electrode (103) and the second electrode (107) to contact the first electrode (103) and the second electrode (107), the resistance variable layer being configured to change in response to electric signals with different polarities which are applied between the first electrode (103) and the second electrode (107), the resistance variable layer comprising an oxygen-deficient transition metal oxide layer, and the second electrode (107) comprising platinum having minute hillocks (108).

摘要翻译： 本发明的电阻可变元件包括第一电极（103），第二电极（107）和介于第一电极（103）和第二电极（107）之间的电阻变化层，以接触第一电极 （103）和第二电极（107），电阻变化层被配置为响应于施加在第一电极（103）和第二电极（107）之间的具有不同极性的电信号而改变，电阻变化层包括 氧缺乏的过渡金属氧化物层，以及包含具有分开的小丘（108）的铂的第二电极（107）。

公开(公告)号：US20130112936A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13810708

申请日：2012-01-18

申请人： Zhiqiang WEI ,  Takeshi Takagi ,  Satoru Mitani ,  Yoshio Kawashima ,  Ichirou Takahashi

发明人： Zhiqiang WEI ,  Takeshi Takagi ,  Satoru Mitani ,  Yoshio Kawashima ,  Ichirou Takahashi

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A variable resistance element including: a first electrode; a second electrode; and a variable resistance layer having a resistance value which reversibly changes according to electrical signals applied, wherein the variable resistance layer includes a first variable resistance layer comprising a first oxygen-deficient transition metal oxide, and a second variable resistance layer comprising a second transition metal oxide having a degree of oxygen deficiency lower than a degree of oxygen deficiency of the first transition metal oxide layer, the second electrode has a single needle-shaped part at the interface with the second variable resistance layer, and the second variable resistance layer is interposed between the first variable resistance layer and the second electrode, is in contact with the first variable resistance layer and the second electrode, and covers the needle-shaped part.

摘要翻译： 一种可变电阻元件，包括：第一电极; 第二电极; 以及可变电阻层，其具有根据施加的电信号可逆地改变的电阻值，其中所述可变电阻层包括包含第一氧缺乏过渡金属氧化物的第一可变电阻层和包含第二过渡金属的第二可变电阻层 具有低于第一过渡金属氧化物层的氧缺乏程度的氧缺乏的氧化物，第二电极在与第二可变电阻层的界面处具有单个针状部分，并且插入第二可变电阻层 在第一可变电阻层和第二电极之间，与第一可变电阻层和第二电极接触并覆盖针状部分。