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    METHOD OF AND APPARATUS FOR FORMING A METAL PATTERN
    15.
    发明申请
    METHOD OF AND APPARATUS FOR FORMING A METAL PATTERN 审中-公开
    用于形成金属图案的方法和装置

    公开(公告)号：US20120141665A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：US13309807

    申请日：2011-12-02

    申请人： Tae-Youb KIM ,  Kang-Jun Baeg ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Jae Bon Koo

    发明人： Tae-Youb KIM ,  Kang-Jun Baeg ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Jae Bon Koo

    IPC分类号： H05K3/02 ,  B05C5/00

    CPC分类号： B41F17/26 ,  B05C1/0808

    摘要： Provided are methods of and apparatuses for forming a metal pattern. In the method, an initiator and a metal pattern are sequentially combined on a previously-formed bonding agent pattern improving adhesion and/or junction properties between the substrate and the metal. The bonding agent pattern may be formed using a reverse offset printing method. The metal pattern may be formed using an electroless electrochemical plating method. The metal pattern can be formed with improved uniformity in thickness and planar area.

    摘要翻译： 提供了用于形成金属图案的方法和装置。 在该方法中，引发剂和金属图案依次组合在预先形成的粘合剂图案上，从而提高基材和金属之间的粘合性和/或结合性。 粘合剂图案可以使用反胶版印刷法形成。 金属图案可以使用无电镀电镀法形成。 可以形成具有改善的厚度均匀性和平坦面积的金属图案。

    Radio frequency identification tag
    16.
    发明授权
    Radio frequency identification tag 失效
    射频识别标签

    公开(公告)号：US08786441B2

    公开(公告)日：2014-07-22

    申请号：US13307023

    申请日：2011-11-30

    申请人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo

    发明人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo

    IPC分类号： G08B13/14 ,  G01R27/26 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  G06K17/00 ,  G08B13/24

    CPC分类号： G06K19/0723 ,  G06K17/0029 ,  G06K19/0725 ,  G06K19/07773 ,  G06K19/07788 ,  G08B13/2434

    摘要： Provided is a radio frequency identification (RFID) tag. The RFID tags includes: a conductive layer and a conductive line disposed above and below an insulation layer, respectively; an antenna connected to one end of the conductive line; a resistor connected to the other end of the conductive line; a first conductive plate connected to the conductive line and constituting a first capacitor in conjunction with the conductive layer and the insulation layer; and a first sensing device connected between the conductive line and the conductive layer and having an impedance changed according to a sensing of a first target material.

    摘要翻译： 提供了射频识别（RFID）标签。 RFID标签包括：分别设置在绝缘层上方和下方的导电层和导电线; 连接到导线的一端的天线; 连接到所述导线的另一端的电阻器; 连接到所述导电线并与所述导电层和所述绝缘层一起构成第一电容器的第一导电板; 以及连接在导电线和导电层之间并具有根据第一目标材料的感测而改变的阻抗的第一感测装置。

    Offset printer
    17.
    发明授权
    Offset printer 有权
    胶印机

    公开(公告)号：US08656836B2

    公开(公告)日：2014-02-25

    申请号：US13294201

    申请日：2011-11-11

    申请人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Taeyoub Kim

    发明人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Taeyoub Kim

    IPC分类号： B41F35/00

    CPC分类号： B41F3/36 ,  B41F3/46 ,  B41F3/52

    摘要： Provided is an offset printer configured to increase or maximize productivity and yield. The offset printer includes a printing roller, a coating unit configured to apply a printing substance to the printing roller, a patterning unit configured to pattern the printing substance applied to the printing roller from the coating unit, a printing unit configured to transfer the patterned printing substance to a printing medium, and a cleaning unit configured to clean the printing substance remaining on the printing roller by a dry cleaning method.

    摘要翻译： 提供了配置成增加或最大化生产率和产量的胶版印刷机。 胶版印刷机包括印刷辊，被配置为将印刷物质施加到印刷辊的涂布单元，配置成从涂布单元对施加到印刷辊上的印刷物质进行图案化的图案形成单元;被配置为将图案印刷 物质到打印介质，以及清洁单元，其构造成通过干洗方法清洁残留在印刷辊上的印刷物质。

    Method of manufacturing thin film transistor and thin film transistor substrate
    18.
    发明授权
    Method of manufacturing thin film transistor and thin film transistor substrate 有权
    制造薄膜晶体管和薄膜晶体管基板的方法

    公开(公告)号：US08378421B2

    公开(公告)日：2013-02-19

    申请号：US13350037

    申请日：2012-01-13

    申请人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

    发明人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

    IPC分类号： H01L27/12

    CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

    摘要： A thin film transistor substrate. The thin film transistor substrate includes a substrate, an adhesive layer on the substrate, and a semiconductor layer having a first doped region, a second doped region and a channel region on the adhesive layer. The thin film transistor substrate further includes a first dielectric layer on the semiconductor layer, a gate electrode overlapping the channel region, a second dielectric layer on the first dielectric layer and the gate electrode, a source electrode disposed on the second insulating layer, and a drain electrode spaced apart from the source electrode on the source electrode. The channel region is disposed between the first doped region and the second doped region, and has a transmittance higher than those of the first doped region and the second doped region.

    摘要翻译： 薄膜晶体管基板。 薄膜晶体管衬底包括衬底，衬底上的粘合剂层，以及在粘合剂层上具有第一掺杂区域，第二掺杂区域和沟道区域的半导体层。 薄膜晶体管基板还包括半导体层上的第一介电层，与沟道区重叠的栅极电极，第一介电层上的第二电介质层和栅极电极，设置在第二绝缘层上的源电极和 漏电极与源电极上的源电极间隔开。 沟道区域设置在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间，并且具有高于第一掺杂区域和第二掺杂区域的透射率的透射率。

    ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME
    19.
    发明申请
    ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
    有机薄膜晶体管及其形成方法

    公开(公告)号：US20110204334A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：US12858868

    申请日：2010-08-18

    申请人： Kang Dae KIM ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong Suk Yang ,  Seung Youl Kang

    发明人： Kang Dae KIM ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong Suk Yang ,  Seung Youl Kang

    IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/105

    摘要： Provided are an organic thin film transistor and a method of forming the same. The method comprises forming a gate electrode on a substrate, forming a gate dielectric, which covers the gate electrode and includes a recess region at an upper portion, on the substrate, forming a source electrode and a drain electrode in the recess region, and forming an organic semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode in the recess region.

    摘要翻译： 提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法。 该方法包括在衬底上形成栅电极，形成覆盖栅电极并在衬底上包括上部的凹陷区的栅极电介质，在凹陷区域中形成源电极和漏电极，并形成 在凹陷区域中的源电极和漏电极之间的有机半导体层。

    Organic thin film transistor and method of forming the same
    20.
    发明授权
    Organic thin film transistor and method of forming the same 有权
    有机薄膜晶体管及其形成方法

    公开(公告)号：US08344366B2

    公开(公告)日：2013-01-01

    申请号：US12858868

    申请日：2010-08-18

    申请人： Kang Dae Kim ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong Suk Yang ,  Seung Youl Kang

    发明人： Kang Dae Kim ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong Suk Yang ,  Seung Youl Kang

    IPC分类号： H01L51/10

    CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/105

    摘要： Provided are an organic thin film transistor and a method of forming the same. The method comprises forming a gate electrode on a substrate, forming a gate dielectric, which covers the gate electrode and includes a recess region at an upper portion, on the substrate, forming a source electrode and a drain electrode in the recess region, and forming an organic semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode in the recess region.

    摘要翻译： 提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法。 该方法包括在衬底上形成栅电极，形成覆盖栅电极并在衬底上包括上部的凹陷区的栅极电介质，在凹陷区域中形成源电极和漏电极，并形成 在凹陷区域中的源电极和漏电极之间的有机半导体层。