公开(公告)号：US20110272661A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12915495

申请日：2010-10-29

申请人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung ,  Kang Dae Kim ,  Yong-Young Noh

发明人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung ,  Kang Dae Kim ,  Yong-Young Noh

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

摘要： Provided are a resistive memory device and a method of fabricating the same. The resistive memory device comprises an electron channel layer formed by means of a swelling process and an annealing process. Thus, conductive nanoparticles are uniformly dispersed in the electron channel layer to improve reliability of the resistive memory device. According to the method, an electron channel layer is formed by means of a printing process, a swelling process, and an annealing process. Thus, fabrication time is reduced.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件及其制造方法。 电阻式存储器件包括通过膨胀工艺和退火工艺形成的电子通道层。 因此，导电纳米粒子均匀分散在电子通道层中，以提高电阻式存储器件的可靠性。 根据该方法，通过印刷工艺，溶胀工艺和退火工艺形成电子通道层。 因此，制造时间缩短。

公开(公告)号：US08516689B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12684097

申请日：2010-01-07

申请人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong-Young Noh

发明人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong-Young Noh

IPC分类号： H05K3/36

CPC分类号： H01L21/4814 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0277 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/09 ,  H05K3/105 ,  H05K3/125 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/125 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a multi-layer interconnection structure and a manufacturing method thereof. The multi-layer interconnection structure includes a substrate; a first wiring on the substrate; an interlayer insulation layer on the first wiring; a second wiring on the interlayer insulation layer; and a via contact including at least one conductive filament penetrating through the interlayer insulation layer between the second wiring and the first wiring to be electrically connected to the first wiring and the second wiring.

摘要翻译： 提供一种多层互连结构及其制造方法。 多层互连结构包括基板; 在基板上的第一布线; 第一布线上的层间绝缘层; 层间绝缘层上的第二布线; 以及通孔接触，其包括穿过所述第二布线和所述第一布线之间的所述层间绝缘层的至少一个导电丝，以电连接到所述第一布线和所述第二布线。

公开(公告)号：US08278138B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12915495

申请日：2010-10-29

申请人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung ,  Kang Dae Kim ,  Yong-Young Noh

发明人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung ,  Kang Dae Kim ,  Yong-Young Noh

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

摘要： Provided are a resistive memory device and a method of fabricating the same. The resistive memory device comprises an electron channel layer formed by means of a swelling process and an annealing process. Thus, conductive nanoparticles are uniformly dispersed in the electron channel layer to improve reliability of the resistive memory device. According to the method, an electron channel layer is formed by means of a printing process, a swelling process, and an annealing process. Thus, fabrication time is reduced.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件及其制造方法。 电阻式存储器件包括通过膨胀工艺和退火工艺形成的电子通道层。 因此，导电纳米粒子均匀分散在电子通道层中，以提高电阻式存储器件的可靠性。 根据该方法，通过印刷工艺，溶胀工艺和退火工艺形成电子通道层。 因此，制造时间缩短。

公开(公告)号：US20110094774A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12684097

申请日：2010-01-07

申请人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong-Young Noh

发明人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong-Young Noh

IPC分类号： H05K1/00 ,  H05K1/11 ,  H05K1/09 ,  H05K3/12 ,  H05K3/42

CPC分类号： H01L21/4814 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0277 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/09 ,  H05K3/105 ,  H05K3/125 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/125 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a multi-layer interconnection structure and a manufacturing method thereof. The multi-layer interconnection structure includes a substrate; a first wiring on the substrate; an interlayer insulation layer on the first wiring; a second wiring on the interlayer insulation layer; and a via contact including at least one conductive filament penetrating through the interlayer insulation layer between the second wiring and the first wiring to be electrically connected to the first wiring and the second wiring.

摘要翻译： 提供一种多层互连结构及其制造方法。 多层互连结构包括基板; 在基板上的第一布线; 第一布线上的层间绝缘层; 层间绝缘层上的第二布线; 以及通孔接触，其包括穿过所述第二布线和所述第一布线之间的所述层间绝缘层的至少一个导电丝，以电连接到所述第一布线和所述第二布线。

公开(公告)号：US08362467B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12769316

申请日：2010-04-28

申请人： Yong-Young Noh ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung

发明人： Yong-Young Noh ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08F220/14 ,  C08F222/40 ,  C08F2220/1891 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/3415 ,  C08L33/10 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F220/30

摘要： A composition for an organic dielectric, includes a compound represented by Formula 1 below; and a cross-linking agent, wherein, in Formula 1, R1 is any one of hydrogen, hydroxyl group, ester group, amide group, or alkyl group or alkoxy group of a carbon number of 1 to 12, R2 is selected from electrolytic functional groups, each of a and b is a positive integer, and the ratio of b to a (b/a) is larger than 0 and smaller than 99,

摘要翻译： 一种有机电介质组合物，包括由下式1表示的化合物; 和交联剂，其中，在式1中，R 1为碳数为1至12的氢，羟基，酯基，酰胺基或烷基或烷氧基中的任一个，R 2选自电解功能 a，b分别为正整数，b与a（b / a）的比例大于0且小于99，

公开(公告)号：US07960724B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12542226

申请日：2009-08-17

申请人： Yong-Young Noh ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg ,  Dong-Yu Kim

发明人： Yong-Young Noh ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg ,  Dong-Yu Kim

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0558 ,  C08F8/30 ,  C08F2810/20 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F220/30 ,  C08F220/14

摘要： Provided are a composition for organic thin film transistors including a material including an anthracenyl group and a cross-linker including a maleimide group, an organic thin film transistor formed by using the composition, and a method for manufacturing the same.

摘要翻译： 提供了一种有机薄膜晶体管的组合物及其制造方法，该组合物包括含有蒽基的材料和包含马来酰亚胺基团的交联剂，使用该组合物形成的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20100108996A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12542226

申请日：2009-08-17

申请人： Yong-Young NOH ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg ,  Dong-Yu Kim

发明人： Yong-Young NOH ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg ,  Dong-Yu Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/47 ,  H01L29/786 ,  H01B1/12

CPC分类号： H01L51/0558 ,  C08F8/30 ,  C08F2810/20 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F220/30 ,  C08F220/14

摘要： Provided are a composition for organic thin film transistors including a material including an anthracenyl group and a cross-linker including a maleimide group, an organic thin film transistor formed by using the composition, and a method for manufacturing the same.

摘要翻译： 提供了一种有机薄膜晶体管的组合物及其制造方法，该组合物包括含有蒽基的材料和包含马来酰亚胺基团的交联剂，使用该组合物形成的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20130005079A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13616668

申请日：2012-09-14

申请人： Yong-Young NOH ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo

发明人： Yong-Young NOH ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Provided is an organic thin film transistor, method of forming the same, and a memory device employing the same. The organic thin film transistor includes a substrate, a source electrode and a drain electrode on the substrate, an active layer on the substrate between the source electrode and the drain electrode, a gate electrode controlling the active layer, and an organic dielectric layer between the active layer and the gate electrode. The organic dielectric layer includes nanoparticles, a hydrophilic polymer surrounding the nanoparticles, and a hydrophobic polymer.

摘要翻译： 提供了一种有机薄膜晶体管，其形成方法和使用其的存储器件。 有机薄膜晶体管包括在基板上的基板，源电极和漏电极，源电极和漏电极之间的基板上的有源层，控制有源层的栅极电极和位于 有源层和栅电极。 有机介电层包括纳米颗粒，围绕纳米颗粒的亲水性聚合物和疏水聚合物。

公开(公告)号：US20110018061A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12769316

申请日：2010-04-28

申请人： Yong-Young NOH ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung

发明人： Yong-Young NOH ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung

IPC分类号： H01L29/786 ,  C08F222/40

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08F220/14 ,  C08F222/40 ,  C08F2220/1891 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/3415 ,  C08L33/10 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F220/30

摘要： Provided is a composition for an organic dielectric and an organic thin film transistor including an organic dielectric thereby formed. The composition for an organic dielectric includes a compound represented by the following Formula, wherein R1 is any one of hydrogen, hydroxyl group, ester group, amide group, or alkyl group or alkoxy group of a carbon number of 1 to 12, R2 includes any one selected from electrolytic functional groups, each of a and b is a positive integer, and the ratio of b to a (b/a) is larger than 0 and smaller than 99.

摘要翻译： 提供了一种有机电介质的组合物和包括由此形成的有机电介质的有机薄膜晶体管。 作为有机电介质的组合物，可列举下式所示的化合物，其中，R 1为氢，羟基，酯基，酰胺基，碳原子数1〜12的烷基或烷氧基中的任一个， 一个选自电解官能团，a和b各自为正整数，b与a（b / a）的比例大于0且小于99。

公开(公告)号：US20100140596A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12498910

申请日：2009-07-07

申请人： Yong-Young Noh ,  Seok-Ju Kang ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg

发明人： Yong-Young Noh ,  Seok-Ju Kang ,  Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Kang-Jun Baeg

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Provided is an organic thin film transistor and method of forming the same. The organic thin film transistor can decrease threshold voltage and driving voltage by forming a thin organic dielectric layer in a lamella structure using a diblock copolymer including a hydrophilic polymer with high permittivity and a hydrophobic polymer with low permittivity together. Also, the method can simplify the manufacturing process by forming an organic dielectric layer including polymers having two different physical properties through one spin coating.

摘要翻译： 提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法。 有机薄膜晶体管可以通过使用包含具有高介电常数的亲水性聚合物的二嵌段共聚物和具有低介电常数的疏水性聚合物在一起的层状结构中形成薄的有机介电层来降低阈值电压和驱动电压。 此外，该方法可以通过一种旋涂形成包含具有两种不同物理性质的聚合物的有机介电层来简化制造过程。