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    Magnetoresistive element
    11.
    发明授权
    Magnetoresistive element 有权
    磁阻元件

    公开(公告)号：US08995181B2

    公开(公告)日：2015-03-31

    申请号：US13963654

    申请日：2013-08-09

    申请人： Daisuke Watanabe ,  Youngmin Eeh ,  Kazuya Sawada ,  Koji Ueda ,  Toshihiko Nagase

    发明人： Daisuke Watanabe ,  Youngmin Eeh ,  Kazuya Sawada ,  Koji Ueda ,  Toshihiko Nagase

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/02

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a storage layer having perpendicular magnetic anisotropy with respect to a film plane and having a variable direction of magnetization, a reference layer having perpendicular magnetic anisotropy with respect to the film plane and having an invariable direction of magnetization, a tunnel barrier layer formed between the storage layer and the reference layer and containing O, and an underlayer formed on a side of the storage layer opposite to the tunnel barrier layer. The reference layer comprises a first reference layer formed on the tunnel barrier layer side and a second reference layer formed opposite the tunnel barrier layer. The second reference layer has a higher standard electrode potential than the underlayer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括相对于膜平面具有垂直磁各向异性且具有可变磁化方向的存储层，具有相对于膜平面具有垂直磁各向异性且具有不变的磁化方向的参考层 形成在存储层和参考层之间并且包含O的隧道势垒层，以及形成在与隧道势垒层相对的存储层侧的底层。 参考层包括形成在隧道势垒层侧的第一参考层和与隧道势垒层相对形成的第二参考层。 第二参考层具有比底层更高的标准电极电位。

    Magnetoresistive element and magnetic random access memory
    13.
    发明授权
    Magnetoresistive element and magnetic random access memory 有权
    磁阻元件和磁性随机存取存储器

    公开(公告)号：US09293695B2

    公开(公告)日：2016-03-22

    申请号：US14160166

    申请日：2014-01-21

    申请人： Koji Ueda ,  Toshihiko Nagase ,  Kazuya Sawada ,  Youngmin Eeh ,  Daisuke Watanabe ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Koji Ueda ,  Toshihiko Nagase ,  Kazuya Sawada ,  Youngmin Eeh ,  Daisuke Watanabe ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

    CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a first magnetic layer, a second magnetic layer, a first nonmagnetic layer, a second nonmagnetic layer, and a third magnetic layer. The first magnetic layer has a variable magnetization direction. The second magnetic layer has an invariable magnetization direction and includes a nonmagnetic material film and a magnetic material film. The first nonmagnetic layer is arranged between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The second nonmagnetic layer is arranged on a surface of the second magnetic layer. The third magnetic layer is arranged on a surface of the second nonmagnetic layer. The second nonmagnetic layer is in contact with the nonmagnetic material film included in the second magnetic layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一磁性层，第二磁性层，第一非磁性层，第二非磁性层和第三磁性层。 第一磁性层具有可变的磁化方向。 第二磁性层具有不变的磁化方向，并且包括非磁性材料膜和磁性材料膜。 第一非磁性层布置在第一磁性层和第二磁性层之间。 第二非磁性层布置在第二磁性层的表面上。 第三磁性层布置在第二非磁性层的表面上。 第二非磁性层与包含在第二磁性层中的非磁性材料膜接触。

    Tunneling magnetoresistive element having a high MR ratio
    15.
    发明授权
    Tunneling magnetoresistive element having a high MR ratio 有权
    具有高MR比的隧道磁阻元件

    公开(公告)号：US09142756B2

    公开(公告)日：2015-09-22

    申请号：US14157387

    申请日：2014-01-16

    申请人： Makoto Nagamine ,  Youngmin Eeh ,  Koji Ueda ,  Daisuke Watanabe ,  Kazuya Sawada ,  Toshihiko Nagase

    发明人： Makoto Nagamine ,  Youngmin Eeh ,  Koji Ueda ,  Daisuke Watanabe ,  Kazuya Sawada ,  Toshihiko Nagase

    IPC分类号： G11B5/39 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

    CPC分类号： H01L43/02 ,  G11B5/3909 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： A magnetoresistive element includes a first ferromagnetic layer formed on a base substrate, a tunnel barrier layer formed on the first ferromagnetic layer, and a second ferromagnetic layer containing B formed on the tunnel barrier layer. The second ferromagnetic layer includes at least one of H, F, Cl, Br, I, C, O, and N, and a concentration of molecules of the at least one of H, F, Cl, Br, I, C, O, and N included in the second ferromagnetic layer is higher in a central portion in a depth direction of the second ferromagnetic layer than in an upper surface and a lower surface thereof.

    摘要翻译： 磁阻元件包括形成在基底基板上的第一铁磁层，形成在第一铁磁层上的隧道势垒层和形成在隧道势垒层上的含有B的第二铁磁层。 第二铁磁层包括H，F，Cl，Br，I，C，O和N中的至少一种，H，F，Cl，Br，I，C，O中的至少一种的分子浓度 ，并且第二铁磁层中包含的N在第二铁磁层的深度方向上的中心部比在其上表面和下表面高。