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    Phase-change material layer and phase-change memory device including the phase-change material layer
    21.
    发明授权
    Phase-change material layer and phase-change memory device including the phase-change material layer 有权
    相变材料层和包括相变材料层的相变存储器件

    公开(公告)号：US07791932B2

    公开(公告)日：2010-09-07

    申请号：US11860975

    申请日：2007-09-25

    申请人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Hee-Ju Shin ,  Sang-Wook Lim

    发明人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Hee-Ju Shin ,  Sang-Wook Lim

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a substrate having a contact region, an insulating interlayer on the substrate, a lower electrode electrically connected to the contact region, a phase-change material layer pattern formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the phase-change material layer pattern. The phase-change material layer pattern includes a chalcogenide compound doped with carbon and at least one of nitrogen and metal. The phase-change memory device may have a considerably reduced driving current without increasing a set resistance thereof. Further, the phase-change material layer pattern may have an increased crystallization temperature so as to ensure improved data retention characteristics of the phase-change memory device.

    摘要翻译： 相变存储器件包括：具有接触区域的基板，基板上的绝缘中间层，与接触区域电连接的下部电极;形成在下部电极上的相变材料层图案;以及上部电极， 相变材料层图案。 相变材料层图案包括掺杂有碳和氮和金属中的至少一种的硫族化合物。 相变存储器件可以具有显着降低的驱动电流，而不增加其设定电阻。 此外，相变材料层图案可以具有增加的结晶温度，以确保相变存储器件的数据保持特性的改善。

    Method of forming a chalcogenide compound target
    22.
    发明授权
    Method of forming a chalcogenide compound target 有权
    形成硫属化物化合物靶的方法

    公开(公告)号：US07727458B2

    公开(公告)日：2010-06-01

    申请号：US11860931

    申请日：2007-09-25

    申请人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

    发明人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

    IPC分类号： C04B35/64

    CPC分类号： H01L45/06 ,  C04B35/56 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/428 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： In a method of forming a chalcogenide compound target, a first powder including germanium carbide or germanium is prepared, and a second powder including antimony carbide or antimony is prepared. A third powder including tellurium carbide or tellurium is prepared. A powder mixture is formed by mixing the first to the third powders. After a shaped is formed body by molding the powder mixture. The chalcogenide compound target is obtained by sintering the powder mixture. The chalcogenide compound target may include a chalcogenide compound that contains carbon and metal, or carbon, metal and nitrogen considering contents of carbon, metal and nitrogen, so that a phase-change material layer formed using the chalcogenide compound target may stable phase transition, enhanced crystallized temperature and increased resistance. A phase-change memory device including the phase-change material layer may have reduced set resistance and driving current while improving durability and sensing margin.

    摘要翻译： 在形成硫属化物化合物靶的方法中，制备包括碳化锗或锗的第一粉末，并制备包含锑或锑的第二粉末。 制备包括碲化镉或碲的第三种粉末。 通过混合第一至第三粉末形成粉末混合物。 通过模制粉末混合物形成成形体后。 通过烧结粉末混合物获得硫属化物化合物靶。 考虑碳，金属和氮的含量，硫属化物化合物靶可以包括含有碳和金属或碳，金属和氮的硫属化物化合物，使得使用硫属化物化合物靶形成的相变材料层可以稳定的相变，增强 结晶温度和阻力增加。 包括相变材料层的相变存储器件可以降低设定电阻和驱动电流，同时提高耐久性和感测裕度。

    METHOD OF FABRICATING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING SMALL CONTACT AND RELATED DEVICES
    30.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING SMALL CONTACT AND RELATED DEVICES 有权
    制造具有小型接触器和相关器件的非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US20130102150A1

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：US13494206

    申请日：2012-06-12

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

    摘要： A sacrificial pattern is formed to partially cover the pipe-shaped electrode. A sacrificial spacer is formed on a lateral surface of the sacrificial pattern. The sacrificial spacer extends across the pipe-shaped electrode. The sacrificial spacer has a first side and a second side opposite the first side. The sacrificial pattern is removed to expose the pipe-shaped electrode proximal to the first and second sides of the sacrificial spacer. The pipe-shaped electrode exposed on both sides of the sacrificial spacer may be primarily trimmed. The pipe-shaped electrode is retained under the sacrificial spacer to form a first portion, and a second portion facing the first portion. The second portion of the pipe-shaped electrode is secondarily trimmed. The sacrificial spacer is removed to expose the first portion of the pipe-shaped electrode. A data storage plug is formed on the first portion of the pipe-shaped electrode.

    摘要翻译： 形成牺牲图案以部分地覆盖管状电极。 在牺牲图案的侧表面上形成牺牲隔离物。 牺牲隔离物跨越管状电极延伸。 牺牲隔离物具有与第一侧相对的第一侧和第二侧。 消除牺牲图案以将管状电极暴露在牺牲间隔物的第一和第二侧附近。 暴露在牺牲隔离物两侧的管状电极可以主要被修整。 管状电极被保持在牺牲隔离物下方以形成第一部分，以及面向第一部分的第二部分。 管状电极的第二部分被二次修剪。 除去牺牲隔离物以露出管状电极的第一部分。 数据存储插头形成在管状电极的第一部分上。