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    Active decoupling of MRI RF transmit coils
    21.
    发明授权
    Active decoupling of MRI RF transmit coils 有权
    MRI射频发射线圈的主动去耦

    公开(公告)号：US07336074B2

    公开(公告)日：2008-02-26

    申请号：US11418456

    申请日：2006-05-05

    申请人： Xiaoyu Yang ,  Hiroyuki Fujita ,  Tsinghua Zheng

    发明人： Xiaoyu Yang ,  Hiroyuki Fujita ,  Tsinghua Zheng

    IPC分类号： G01V3/00

    CPC分类号： G01R33/3415 ,  G01R33/365

    摘要： An MRI RF transmit system uses a plurality of RF transmit coils, each being driven with separately controllable RF magnitude and phase. The magnitude and phase of each coil drive are separately and independently controlled so that the RF transmit coils act as if they are decoupled from each other. The controlled magnitude and phase values may be based on empirically derived information relating to self and mutual coupling of RF transmit coils.

    摘要翻译： MRI RF发射系统使用多个RF发射线圈，每个射频发射线圈分别由可控的RF幅度和相位驱动。 每个线圈驱动器的幅度和相位被单独和独立地控制，使得RF发射线圈的作用就好像它们彼此解耦一样。 受控幅度和相位值可以基于与RF发射线圈的自耦合和相互耦合有关的经验导出的信息。

    Process for masking and removal of residue from complex shapes
    23.
    发明授权
    Process for masking and removal of residue from complex shapes 失效
    从复杂形状掩盖和去除残留物的方法

    公开(公告)号：US08518832B1

    公开(公告)日：2013-08-27

    申请号：US13169588

    申请日：2011-06-27

    申请人： Xiaoyu Yang ,  Xianzhong Zeng ,  Yan Chen ,  Yunhe Huang ,  Jinqiu Zhang ,  Yang Xiang ,  Ching-Huang Lu

    发明人： Xiaoyu Yang ,  Xianzhong Zeng ,  Yan Chen ,  Yunhe Huang ,  Jinqiu Zhang ,  Yang Xiang ,  Ching-Huang Lu

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/461

    CPC分类号： B81C1/00849 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0132 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31133

    摘要： A process is provided for etching a mask layer and removal of residue from a structure having an area sheltered from directional etching. The structure has a shape that forms a silhouette area obstructed from being etched by anisotropic bombardment originating from a first direction, and a mask formed over the mask layer over the structure; A first etch process removes at least a part of the mask layer and retains at least a part of mask layer in the sheltered area. A second etch process removes at least a part of the mask layer in the sheltered area by hydrogen based microwave plasma etching.

    摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻掩模层并从具有从定向蚀刻遮蔽的区域的结构中除去残余物的方法。 该结构具有形成通过来自第一方向的各向异性轰击而被阻挡而不被蚀刻的轮廓区域的形状，以及在该结构上形成在掩模层上的掩模; 第一蚀刻工艺去除掩模层的至少一部分并且将掩模层的至少一部分保留在遮蔽区域中。 第二蚀刻工艺通过基于氢的微波等离子体蚀刻去除遮蔽区域中的掩模层的至少一部分。

    MEMORY WITH HIGH DIELECTRIC CONSTANT ANTIFUSES ADAPTED FOR USE AT LOW VOLTAGE
    26.
    发明申请
    MEMORY WITH HIGH DIELECTRIC CONSTANT ANTIFUSES ADAPTED FOR USE AT LOW VOLTAGE 有权
    具有适用于低电压使用的高介电常数抗体的存储器

    公开(公告)号：US20090140299A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：US12367214

    申请日：2009-02-06

    申请人： Xiaoyu Yang ,  Roy E. Scheuerlein ,  Feng Li ,  Albert T. Meeks

    发明人： Xiaoyu Yang ,  Roy E. Scheuerlein ,  Feng Li ,  Albert T. Meeks

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L23/525

    CPC分类号： H01L45/12 ,  G11C17/00 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A memory array having memory cells comprising a diode and an antifuse can be made smaller and programmed at lower voltage by using an antifuse material having a higher dielectric constant and a higher acceleration factor than those of silicon dioxide, and by using a diode having a lower band gap than that of silicon. Such memory arrays can be made to have long operating lifetimes by using the high acceleration factor and lower band gap materials. Antifuse materials having dielectric constants between 5 and 27, for example, hafnium silicon oxynitride or hafnium silicon oxide, are particularly effective. Diode materials with band gaps lower than that of silicon, such as germanium or a silicon-germanium alloy, are particularly effective.

    摘要翻译： 通过使用具有比二氧化硅更高的介电常数和更高的加速因子的反熔丝材料，并且通过使用具有较低的二极管的二极管，可以使具有包括二极管和反熔丝的存储单元的存储器阵列更小并以较低的电压编程 带隙比硅。 这样的存储器阵列可以通过使用高加速因子和较低带隙材料而具有长的工作寿命。 具有介于5和27之间的介电常数的防腐材料，例如铪硅氮氧化物或氧化铪铪是特别有效的。 带隙低于硅的二极管材料如锗或硅 - 锗合金是特别有效的。

    Memory cell with voltage modulated sidewall poly resistor
    27.
    发明申请
    Memory cell with voltage modulated sidewall poly resistor 审中-公开
    具有电压调制侧壁聚电阻的存储单元

    公开(公告)号：US20090003083A1

    公开(公告)日：2009-01-01

    申请号：US11819562

    申请日：2007-06-28

    申请人： Albert Meeks ,  Xiaoyu Yang ,  Kim Le

    发明人： Albert Meeks ,  Xiaoyu Yang ,  Kim Le

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： H01L27/10 ,  G11C11/5671 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/115 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/685

    摘要： A two terminal nonvolatile memory cell includes a first electrode, a second electrode, a charge storage medium, and a resistive element. The charge storage medium and the resistive element are connected in parallel between the first and the second electrodes. A presence or absence of charge being stored in the charge storage medium affects a resistivity of the resistive element.

    摘要翻译： 双端非易失性存储单元包括第一电极，第二电极，电荷存储介质和电阻元件。 电荷存储介质和电阻元件在第一和第二电极之间并联连接。 存储在电荷存储介质中的电荷的存在或不存在影响电阻元件的电阻率。

    PROCESS FOR PREPARING A NANOSIZED ZEOLITIC MATERIAL
    28.
    发明申请
    PROCESS FOR PREPARING A NANOSIZED ZEOLITIC MATERIAL 有权
    制备纳米化合物的方法

    公开(公告)号：US20070154388A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11685519

    申请日：2007-03-13

    申请人： Ulrich Muller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

    发明人： Ulrich Muller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

    IPC分类号： C01B39/00 ,  C01B39/02

    CPC分类号： C01B37/005 ,  C01B39/04 ,  C01B39/40 ,  C01B39/48 ,  Y10S423/22 ,  Y10S423/27

    摘要： A process for preparing a zeolitic material, comprising (i) preparing a mixture comprising the at least one silicon containing precursor compound from which the zeolitic framework is formed, at least one pore forming agent, and at least one polymer which has an essentially spheroidal geometry in the mixture; (ii) crystallizing the zeolitic material from the mixture obtained in (i) to obtain the crystallized zeolitic material in its mother liquor.

    摘要翻译： 一种制备沸石材料的方法，包括（i）制备包含所述至少一种含硅的前体化合物的混合物，所述至少一种含有硅沸石骨架的前体化合物由其形成，至少一种成孔剂和至少一种具有基本上球形几何形状的聚合物 在混合物中 （ii）从（i）中获得的混合物中结晶沸石材料，得到其母液中的结晶沸石材料。

    Process for preparing a nanosized zeolitic material
    29.
    发明授权
    Process for preparing a nanosized zeolitic material 有权
    制备纳米沸石材料的方法

    公开(公告)号：US07211239B2

    公开(公告)日：2007-05-01

    申请号：US11111871

    申请日：2005-04-22

    申请人： Ulrich Müller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

    发明人： Ulrich Müller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

    IPC分类号： C01B39/02

    CPC分类号： C01B37/005 ,  C01B39/04 ,  C01B39/40 ,  C01B39/48 ,  Y10S423/22 ,  Y10S423/27

    摘要： A process for preparing a zeolitic material, comprising (i) preparing a mixture comprising the at least one silicon containing precursor compound from which the zeolitic framework is formed, at least one pore forming agent, and at least one polymer which has an essentially spheroidal geometry in the mixture; (ii) crystallizing the zeolitic material from the mixture obtained in (i) to obtain the crystallized zeolitic material in its mother liquor.

    摘要翻译： 一种制备沸石材料的方法，包括（i）制备包含所述至少一种含硅的前体化合物的混合物，所述至少一种含有硅沸石骨架的前体化合物由其形成，至少一种成孔剂和至少一种具有基本上球形几何形状的聚合物 在混合物中 （ii）从（i）中获得的混合物中结晶沸石材料，得到其母液中的结晶沸石材料。