公开(公告)号：US07135400B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10709278

申请日：2004-04-26

申请人： Wen-Liang Lien ,  Charlie C J Lee ,  Chih-Ning Wu ,  Jain-Hon Chen

发明人： Wen-Liang Lien ,  Charlie C J Lee ,  Chih-Ning Wu ,  Jain-Hon Chen

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/76813

摘要： A method for avoiding resist poisoning during a damascene process is disclosed. A semiconductor substrate is provided with a low-k dielectric layer (k≦2.9) thereon, a SiC layer over the low-k dielectric layer, and a blocking layer over the SiC layer. The blocking layer is used to prevent unpolymerized precursors diffused out from the low-k dielectric layer from contacting an overlying resist. A bottom anti-reflection coating (BARC) layer is formed on the blocking layer. A resist layer is formed on the BARC layer, the resist layer having an opening to expose a portion of the BARC layer. A damascene structure is formed in the low-k dielectric layer by etching the BARC layer, the blocking layer, the SiC layer, and the low-k dielectric layer through the opening.

摘要翻译： 公开了一种在大马士革过程中避免抗蚀剂中毒的方法。 在半导体衬底上设置有低k电介质层（k <= 2.9），在低k电介质层上的SiC层和在SiC层上的阻挡层。 阻挡层用于防止从低k电介质层扩散的未聚合的前体与上覆抗蚀剂接触。 在阻挡层上形成底部防反射涂层（BARC）层。 在BARC层上形成抗蚀剂层，抗蚀剂层具有露出BARC层的一部分的开口。 通过开口蚀刻BARC层，阻挡层，SiC层和低k电介质层，在低k电介质层中形成镶嵌结构。

公开(公告)号：US20060134921A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11295680

申请日：2005-12-05

申请人： Chih-Ning Wu ,  Wen-Sheng Chien

发明人： Chih-Ning Wu ,  Wen-Sheng Chien

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

摘要： A plasma etching process is described. A substrate having a low-k material layer and a metal hard mask layer sequentially formed thereon is provided, wherein the metal hard mask layer exposes a portion of the low-k material layer. The low-k material layer is then etched with plasma of a gas mixture of helium (He) and at least one fluorinated hydrocarbon by using the metal hard mask layer as a mask.

摘要翻译： 描述等离子体蚀刻工艺。 提供了在其上顺序地形成有低k材料层和金属硬掩模层的基板，其中金属硬掩模层暴露低k材料层的一部分。 然后通过使用金属硬掩模层作为掩模，用等离子体氦（He）和至少一种氟化烃的气体混合物的等离子体蚀刻低k材料层。

公开(公告)号：US20060134899A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US10905185

申请日：2004-12-21

申请人： Chih-Ning Wu ,  Charlie CJ Lee ,  Kuan-Yang Liao

发明人： Chih-Ning Wu ,  Charlie CJ Lee ,  Kuan-Yang Liao

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of removing spacers after forming a MOS transistor on a wafer. The MOS transistor comprises a gate disposed on the substrate, spacers disposed on the sidewalls of the gate and a source and a drain region in the substrate beside the spacers. The spacers are removed by performing a wet etching process in the dark such that during the spacer removal process, the source and the drain region in a MOS transistor can be prevented from damages.

摘要翻译： 在晶片上形成MOS晶体管之后去除间隔物的方法。 MOS晶体管包括设置在衬底上的栅极，设置在栅极的侧壁上的间隔物以及衬垫旁边的源极和漏极区域。 通过在黑暗中执行湿式蚀刻工艺来去除间隔物，使得在间隔物去除工艺期间，可以防止MOS晶体管中的源极和漏极区域损坏。

公开(公告)号：US06440873B1

公开(公告)日：2002-08-27

申请号：US09792952

申请日：2001-02-26

申请人： Chih-Ning Wu ,  Chan-Lon Yang

发明人： Chih-Ning Wu ,  Chan-Lon Yang

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C23G5/028

摘要： A post metal etch cleaning method which begins by providing a wafer with an etched metal layer formed thereon, wherein the etched metal layer is covered with a polymer residue. A fluorine based organic acid solvent is used to clean the metal layer, followed by removing the solvent by a physical method. Next, a de-ionized water is applied to flush the metal layer before performing a drying step on the wafer to dry the metal layer.

摘要翻译： 一种后金属蚀刻清洁方法，其通过为晶片上形成有蚀刻的金属层开始，其中蚀刻的金属层被聚合物残余物覆盖。 使用氟类有机酸溶剂清洗金属层，然后用物理方法除去溶剂。 接下来，在对晶片进行干燥步骤之前，施加去离子水以冲洗金属层以干燥金属层。

公开(公告)号：US6060415A

公开(公告)日：2000-05-09

申请号：US796470

申请日：1997-02-10

申请人： Kuei-Jung Chao ,  Chih-Ning Wu ,  Han-Chang Shih ,  Tzeng-Guang Tsai

发明人： Kuei-Jung Chao ,  Chih-Ning Wu ,  Han-Chang Shih ,  Tzeng-Guang Tsai

IPC分类号： B01D67/00 ,  B01D71/02 ,  B01J20/02 ,  B01J20/28 ,  B01J29/84 ,  B01J35/06 ,  B01J27/182 ,  B01J29/04 ,  B01J29/06

CPC分类号： B01D71/025 ,  B01D67/0065 ,  B01D71/028 ,  B01J20/08 ,  B01J20/186 ,  B01J20/28033 ,  B01J20/28035 ,  B01J29/84 ,  B01J35/065 ,  B82Y30/00

摘要： The present invention provides a molecular sieve composite membrane, which includes an anodic alumina membrane as a support and the uni-directionally oriented molecular sieve membrane grown in situ on the anodic alumina membrane. The close packing transitional metal containing aluminophosphate AFI molecular sieve crystals have successfully been grown on the anodic alumina. The molecular sieve phase bounded strongly and anchored into the anodic alumina membrane. Besides, the specific cylindrical channels of the anodic alumina membrane provides the template function to orient the growth of molecular sieves.

摘要翻译： 本发明提供一种分子筛复合膜，其包括作为载体的阳极氧化铝膜和在阳极氧化铝膜上原位生长的单向取向分子筛膜。 含铝磷酸盐AFI分子筛晶体的紧密堆积过渡金属成功地在阳极氧化铝上生长。 分子筛相强烈地界定并固定在阳极氧化铝膜中。 此外，阳极氧化铝膜的特定圆柱形通道提供了模板功能以使分子筛的生长定向。

公开(公告)号：US07491615B2

公开(公告)日：2009-02-17

申请号：US11162798

申请日：2005-09-23

申请人： Chih-Ning Wu ,  Hsin Tai ,  Chung-Ju Lee ,  Wei-Tsun Shiau

发明人： Chih-Ning Wu ,  Hsin Tai ,  Chung-Ju Lee ,  Wei-Tsun Shiau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method of fabricating strained-silicon transistors includes providing a semiconductor substrate, in which the semiconductor substrate contains a gate structure thereon; performing an etching process to form two recesses corresponding to the gate structure within the semiconductor substrate; performing an oxygen flush on the semiconductor substrate; performing a cleaning process on the semiconductor substrate; and performing a selective epitaxial growth (SEG) to form an epitaxial layer in each recess for forming a source/drain region.

摘要翻译： 制造应变硅晶体管的方法包括：提供半导体衬底，其中半导体衬底在其上包含栅极结构; 执行蚀刻工艺以形成对应于半导体衬底内的栅极结构的两个凹部; 在半导体衬底上进行氧冲洗; 对所述半导体衬底进行清洁处理; 并且在每个用于形成源/漏区的凹槽中执行选择性外延生长（SEG）以形成外延层。

公开(公告)号：US07214988B2

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：US11162693

申请日：2005-09-20

申请人： Po-Chao Tsao ,  Chang-Chi Huang ,  Ming-Tsung Chen ,  Yi-Yiing Chiang ,  Yu-Lan Chang ,  Chung-Ju Lee ,  Chih-Ning Wu ,  Kuan-Yang Liao

发明人： Po-Chao Tsao ,  Chang-Chi Huang ,  Ming-Tsung Chen ,  Yi-Yiing Chiang ,  Yu-Lan Chang ,  Chung-Ju Lee ,  Chih-Ning Wu ,  Kuan-Yang Liao

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/6653 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/6659

摘要： A method for forming a metal oxide semiconductor (MOS) transistor is provided. First, a gate structure is formed over a substrate. Then, offset spacers are formed on respective sidewalls of the gate structure. A first ion implantation process is performed to form a lightly doped drain (LDD) in the substrate beside the gate structure. Other spacers are formed on respective sidewalls of the offset spacers. Thereafter, a second ion implantation process is performed to form source/drain region in the substrate beside the spacers. Then, a metal silicide layer is formed on the surface of the source and the drain. An oxide layer is formed on the surface of the metal silicide layer. The spacers are removed and an etching stop layer is formed on the substrate. With the oxide layer over the metal silicide layer, the solvent for removing the spacers is prevented from damaging the metal silicide layer.

摘要翻译： 提供一种用于形成金属氧化物半导体（MOS）晶体管的方法。 首先，在基板上形成栅极结构。 然后，在栅极结构的相应侧壁上形成偏移间隔物。 执行第一离子注入工艺以在栅极结构旁边的衬底中形成轻掺杂漏极（LDD）。 在偏置间隔物的相应侧壁上形成其它间隔物。 此后，进行第二离子注入工艺以在衬垫旁边的衬垫上形成源极/漏极区域。 然后，在源极和漏极的表面上形成金属硅化物层。 在金属硅化物层的表面上形成氧化物层。 去除间隔物，并在衬底上形成蚀刻停止层。 通过金属硅化物层上的氧化物层，可以防止用于除去间隔物的溶剂损坏金属硅化物层。

公开(公告)号：US20070072358A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11162954

申请日：2005-09-29

申请人： Chih-Ning Wu ,  Chung - Ju Lee ,  Wei-Tsun Shiau

发明人： Chih-Ning Wu ,  Chung - Ju Lee ,  Wei-Tsun Shiau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

摘要： A method of manufacturing a metal-oxide-semiconductor transistor device is disclosed. In the method, a silicon nitride spacer is formed and will be removed after an ion implantation process to form a source/drain region and a salicide process to form a metal silicide layer on the surface of the source/drain region and the gate electrode. The metal silicide layer is formed to comprise silicon (Si), nickel (Ni) and at least one metal selected from a group consisting of iridium (Ir), iron (Fe), cobalt (Co), platinum (Pt), palladium (Pd), molybdenum (Mo), and tantalum (Ta); therefore, when the silicon nitride spacer is removed by etching, the metal silicide layer is not damaged.

摘要翻译： 公开了一种制造金属氧化物半导体晶体管器件的方法。 在该方法中，形成氮化硅间隔物，并且在离子注入工艺之后将被去除以形成源极/漏极区域和自对准硅化物工艺，以在源极/漏极区域和栅极电极的表面上形成金属硅化物层。 金属硅化物层形成为包括硅（Si），镍（Ni）和选自铱（Ir），铁（Fe），钴（Co），铂（Pt），钯（ Pd），钼（Mo）和钽（Ta）; 因此，当通过蚀刻除去氮化硅间隔物时，金属硅化物层不被损坏。

公开(公告)号：US20070072353A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11162798

申请日：2005-09-23

申请人： Chih-Ning Wu ,  Hsin Tai ,  Chung - Ju Lee ,  Wei-Tsun Shiau

发明人： Chih-Ning Wu ,  Hsin Tai ,  Chung - Ju Lee ,  Wei-Tsun Shiau

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method of fabricating strained-silicon transistors includes providing a semiconductor substrate, in which the semiconductor substrate contains a gate structure thereon; performing an etching process to form two recesses corresponding to the gate structure within the semiconductor substrate; performing an oxygen flush on the semiconductor substrate; performing a cleaning process on the semiconductor substrate; and performing a selective epitaxial growth (SEG) to form an epitaxial layer in each recess for forming a source/drain region.

摘要翻译： 制造应变硅晶体管的方法包括：提供半导体衬底，其中半导体衬底在其上包含栅极结构; 执行蚀刻工艺以形成对应于半导体衬底内的栅极结构的两个凹部; 在半导体衬底上进行氧冲洗; 对所述半导体衬底进行清洁处理; 并且在每个用于形成源/漏区的凹槽中执行选择性外延生长（SEG）以形成外延层。

公开(公告)号：US07196019B2

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：US10905185

申请日：2004-12-21

申请人： Chih-Ning Wu ,  Charlie C J Lee ,  Kuan-Yang Liao

发明人： Chih-Ning Wu ,  Charlie C J Lee ,  Kuan-Yang Liao

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of removing spacers after forming a MOS transistor on a wafer. The MOS transistor comprises a gate disposed on the substrate, spacers disposed on the sidewalls of the gate and a source and a drain region in the substrate beside the spacers. The spacers are removed by performing a wet etching process in the dark such that during the spacer removal process, the source and the drain region in a MOS transistor can be prevented from damages.

摘要翻译： 在晶片上形成MOS晶体管之后去除间隔物的方法。 MOS晶体管包括设置在衬底上的栅极，设置在栅极的侧壁上的间隔物以及衬垫旁边的源极和漏极区域。 通过在黑暗中执行湿式蚀刻工艺来去除间隔物，使得在间隔物去除工艺期间，可以防止MOS晶体管中的源极和漏极区域损坏。