公开(公告)号：US07432042B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10728135

申请日：2003-12-03

申请人： Vencent Chang ,  George Liu ,  Norman Chen

发明人： Vencent Chang ,  George Liu ,  Norman Chen

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70425

摘要： An immersion lithography process is described as follows. A photoresist layer and a protective layer are sequentially formed on a material layer, and then an immersion exposure step is performed to define an exposed portion and an unexposed portion in the photoresist layer. A solubilization step is conducted to solubilize the protective layer on the exposed portion of the photoresist layer, and then a development step is conducted to remove the exposed portion of the photoresist layer and the protective layer thereon. Since the photoresist layer is covered with the protective layer, the chemicals in the photoresist layer do not diffuse into the immersion liquid to cause contamination. The protective layer can be patterned simultaneously in the development step, and no extra step is required to remove the protective layer. Therefore, the whole lithography process is not complicated.

摘要翻译： 浸没式光刻工艺描述如下。 光致抗蚀剂层和保护层依次形成在材料层上，然后进行浸没曝光步骤以限定光刻胶层中的曝光部分和未曝光部分。 进行溶解步骤以将保护层溶解在光致抗蚀剂层的暴露部分上，然后进行显影步骤以除去其上的光致抗蚀剂层和保护层的暴露部分。 由于光致抗蚀剂层被保护层覆盖，所以光致抗蚀剂层中的化学物质不会扩散到浸没液中以引起污染。 在显影步骤中可以同时形成保护层，并且不需要额外的步骤来除去保护层。 因此，整个光刻过程并不复杂。

公开(公告)号：US20120114872A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13346917

申请日：2012-01-10

申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

IPC分类号： B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B05D1/36

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

摘要： The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

摘要翻译： 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

公开(公告)号：US08124323B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US11861064

申请日：2007-09-25

申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

摘要： The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

摘要翻译： 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

公开(公告)号：US06844143B2

公开(公告)日：2005-01-18

申请号：US10064649

申请日：2002-08-02

申请人： Benjamin Szu-Min Lin ,  Vencent Chang ,  George Liu ,  Cheng-Chung Chen

发明人： Benjamin Szu-Min Lin ,  Vencent Chang ,  George Liu ,  Cheng-Chung Chen

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76807 ,  Y10S430/151

摘要： A photolithographic process that involves building a sandwich photoresist structure. A first photoresist layer is formed over a substrate. An anti-reflection layer is formed over the first photoresist layer. A second photoresist layer is formed over the anti-reflection layer. A first photo-exposure is conducted and the exposed second photoresist layer is developed to pattern the second photoresist layer and the anti-reflection layer. Using the second photoresist layer and the anti-reflection layer as a mask, a second photo-exposure and a second photoresist development are conducted to pattern the first photoresist layer.

摘要翻译： 涉及建立夹心光刻胶结构的光刻工艺。 在衬底上形成第一光致抗蚀剂层。 在第一光致抗蚀剂层上形成防反射层。 在防反射层上形成第二光致抗蚀剂层。 进行第一次曝光并且曝光的第二光致抗蚀剂层被显影以对第二光致抗蚀剂层和抗反射层进行图案化。 使用第二光致抗蚀剂层和抗反射层作为掩模，进行第二光曝光和第二光致抗蚀剂显影以对第一光致抗蚀剂层进行图案化。

公开(公告)号：US20090081591A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11861064

申请日：2007-09-25

申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

摘要： The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

摘要翻译： 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

公开(公告)号：US20080153012A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US12068900

申请日：2008-02-13

申请人： George Liu ,  Vencent Chang ,  Chia-Chen Chen

发明人： George Liu ,  Vencent Chang ,  Chia-Chen Chen

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70633

摘要： A method of measuring the overlay accuracy of a multi-exposure process is provided. The characteristic of this invention is utilizing a scanning electron microscope for monitoring the overlay accuracy real-time during the multi-exposure processes in stead of the conventional optical measurement method.

摘要翻译： 提供了一种测量多曝光过程的重叠精度的方法。 本发明的特征是利用扫描电子显微镜来代替传统的光学测量方法在多次曝光过程中实时地监视重叠精度。

公开(公告)号：US20050244729A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US10834117

申请日：2004-04-29

申请人： George Liu ,  Vencent Chang ,  Chia-Chen Chen

发明人： George Liu ,  Vencent Chang ,  Chia-Chen Chen

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L23/544 ,  H01L23/58 ,  H01L29/10

CPC分类号： G03F7/70633

摘要： A method of measuring the overlay accuracy of a multi-exposure process is provided. The characteristic of this invention is utilizing a scanning electron microscope for monitoring the overlay accuracy real-time during the multi-exposure processes in stead of the conventional optical measurement method.

摘要翻译： 提供了一种测量多曝光过程的重叠精度的方法。 本发明的特征是利用扫描电子显微镜来代替传统的光学测量方法在多次曝光过程中实时地监视重叠精度。

公开(公告)号：US06680252B2

公开(公告)日：2004-01-20

申请号：US09854966

申请日：2001-05-15

申请人： Anseime Chen ,  Hui-Ling Huang ,  Vencent Chang ,  Andersen Chang

发明人： Anseime Chen ,  Hui-Ling Huang ,  Vencent Chang ,  Andersen Chang

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/0276

摘要： The present invention is directed to a method for planarizing BARC layer in dual damascene process. For forming a dual damascene interconnect structure, by use of the present invention, a planar topography of the BARC layer is achieved by chemical mechanical polishing. The present invention applies a low temperature to bake the coated BARC layer before BARC material cross-links and induces the anti-reflective characteristic. Then, the BARC layer is planarized by chemical mechanical polishing. Next, a high temperature baking of the BARC layer is provided before coating the photoresist, so formation of the BARC layer is controlled with minimized variation in surface level and has the antireflective characteristic. Thus, the profile distortion on the via and the critical dimension control for the via are improved by patterning the via on a planar and an anti-reflective surface.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在双镶嵌工艺中平坦化BARC层的方法。 为了形成双镶嵌互连结构，通过使用本发明，通过化学机械抛光实现了BARC层的平面形貌。 本发明应用低温以在BARC材料交联之前烘烤涂覆的BARC层并诱导抗反射特性。 然后，BARC层通过化学机械抛光进行平面化。 接下来，在涂覆光致抗蚀剂之前提供BARC层的高温烘烤，因此以最小化的表面水平的变化来控制BARC层的形成并具有抗反射特性。 因此，通过在平面和抗反射表面上图形化通孔来改善通孔上的轮廓畸变和通孔的临界尺寸控制。

公开(公告)号：US06458705B1

公开(公告)日：2002-10-01

申请号：US09874522

申请日：2001-06-06

申请人： Kuei-Chun Hung ,  Vencent Chang ,  I-Hsiung Huang ,  Ya-Hui Chang

发明人： Kuei-Chun Hung ,  Vencent Chang ,  I-Hsiung Huang ,  Ya-Hui Chang

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/76808

摘要： In accordance with the present invention, a method for forming a via-first dual damascene interconnect structure by using gap-filling material whose thickness is easily controlled by a developer is provided. The essential part of the present invention is the application of gap-filling materials such as novolak, PHS, acrylate, methacrylate, and COMA to fill vias. Filling vias with these materials can get a greater planar topography for trench patterning due to its excellent gap-filling capacity, protect the bottom of vias from damage during the trench etch, and prevent the fence problem by using a developer to control its thickness in vias.

摘要翻译： 根据本发明，提供了一种通过使用其厚度容易由显影剂控制的间隙填充材料形成通孔 - 第一双镶嵌互连结构的方法。 本发明的主要部分是填充空隙填充材料如酚醛清漆，PHS，丙烯酸酯，甲基丙烯酸酯和COMA以填充通孔。 这些材料的填充通孔可以获得更大的平面形状，用于沟槽图案化，由于其优异的间隙填充能力，保护通孔的底部不受沟槽蚀刻期间的损坏，并通过使用显影剂来控制其通孔中的厚度来防止栅栏问题 。