公开(公告)号：US08093133B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12098369

申请日：2008-04-04

申请人： Emmanuel Saucedo-Flores ,  Mingjiao Liu ,  Francine Y. Robb ,  Ali Salih

发明人： Emmanuel Saucedo-Flores ,  Mingjiao Liu ,  Francine Y. Robb ,  Ali Salih

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/87 ,  H01L29/747 ,  H01L29/866

摘要： Transient voltage suppressor and method for manufacturing the transient voltage suppressor having a dopant or carrier concentration in a portion of a gate region near a Zener region that is different from a dopant concentration in a portion of a gate region that is away from the Zener region.

摘要翻译： 瞬态电压抑制器和制造瞬态电压抑制器的方法，该电压抑制器在齐纳一区域附近的栅极区域的与偏离齐纳一区域的栅极区域的一部分中的掺杂浓度不同的部分中具有掺杂剂或载流子浓度。

公开(公告)号：US20090250720A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12098369

申请日：2008-04-04

申请人： Emmanuel Saucedo-Flores ,  Mingjiao Liu ,  Francine Y. Robb ,  Ali Salih

发明人： Emmanuel Saucedo-Flores ,  Mingjiao Liu ,  Francine Y. Robb ,  Ali Salih

IPC分类号： H01L29/866 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/87 ,  H01L29/747 ,  H01L29/866

摘要： Transient voltage suppressor and method for manufacturing the transient voltage suppressor having a dopant or carrier concentration in a portion of a gate region near a Zener region that is different from a dopant concentration in a portion of a gate region that is away from the Zener region.

摘要翻译： 瞬态电压抑制器和制造瞬态电压抑制器的方法，该电压抑制器在齐纳一区域附近的栅极区域的与偏离齐纳一区域的栅极区域的一部分中的掺杂浓度不同的部分中具有掺杂剂或载流子浓度。

公开(公告)号：US20090162988A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12395076

申请日：2009-02-27

申请人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, JR. ,  George Chang

发明人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, JR. ,  George Chang

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/8613 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/8618 ,  Y10S257/929 ,  Y10S438/966 ,  Y10S438/983

摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.

公开(公告)号：US07537970B2

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：US11367626

申请日：2006-03-06

申请人： Francine Y. Robb ,  Stephen P. Robb

发明人： Francine Y. Robb ,  Stephen P. Robb

IPC分类号： H01L21/332

CPC分类号： H03K17/063 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0018

摘要： In one embodiment, a transistor is formed to have a first current flow path to selectively conduct current in both directions through the transistor and to have a second current flow path to selectively conduct current in one direction.

摘要翻译： 在一个实施例中，晶体管形成为具有第一电流流动路径，以选择性地在两个方向上导通电流通过晶体管，并且具有第二电流流动路径以选择性地在一个方向上导通电流。

公开(公告)号：US4601778A

公开(公告)日：1986-07-22

申请号：US705161

申请日：1985-02-25

申请人： Francine Y. Robb

发明人： Francine Y. Robb

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/32137 ,  Y10S438/924

摘要： Maskless etching of polysilicon is accomplished by exposing portions of a polysilicon surface to ion bombardment. Bombardment by oxygen or hydrogen ions is effective to reduce the etch rate of polysilicon in a chlorine-containing plasma. Therefore, patterned ion bombardment prior to etching in a chlorine plasma is effective to pattern the polysilicon surface.

摘要翻译： 通过将多晶硅表面的部分暴露于离子轰击来实现多晶硅的无掩模蚀刻。 通过氧或氢离子的轰击对于降低含氯等离子体中的多晶硅的蚀刻速率是有效的。 因此，在氯等离子体中蚀刻之前的图案化离子轰击有效地对多晶硅表面进行图案化。

公开(公告)号：US08530284B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US13324682

申请日：2011-12-13

申请人： Francine Y. Robb ,  Stephen P. Robb

发明人： Francine Y. Robb ,  Stephen P. Robb

IPC分类号： H01L21/332

CPC分类号： H03K17/063 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0018

摘要： In one embodiment, a transistor is formed to have a first current flow path to selectively conduct current in both directions through the transistor and to have a second current flow path to selectively conduct current in one direction.

摘要翻译： 在一个实施例中，晶体管被形成为具有第一电流流动路径，以选择性地在两个方向上导通电流通过晶体管，并且具有第二电流流动路径以选择性地在一个方向上导通电流。

公开(公告)号：US08039359B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12395076

申请日：2009-02-27

申请人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, Jr. ,  George Chang

发明人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, Jr. ,  George Chang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L29/8613 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/8618 ,  Y10S257/929 ,  Y10S438/966 ,  Y10S438/983

摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.

摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件使用ESD器件内深度的高掺杂P和N区域形成具有受控击穿电压的齐纳二极管。

公开(公告)号：US07538395B2

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：US11859570

申请日：2007-09-21

申请人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, Jr. ,  George Chang

发明人： Thomas Keena ,  Ki Chang ,  Francine Y. Robb ,  Mingjiao Liu ,  Ali Salih ,  John Michael Parsey, Jr. ,  George Chang

IPC分类号： H01L23/62 ,  G11C11/36 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/8613 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/8618 ,  Y10S257/929 ,  Y10S438/966 ,  Y10S438/983

摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.

摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件使用ESD器件内深度的高掺杂P和N区域形成具有受控击穿电压的齐纳二极管。

公开(公告)号：US07297603B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US11093381

申请日：2005-03-31

申请人： Stephen P. Robb ,  Francine Y. Robb ,  Robert F. Hightower

发明人： Stephen P. Robb ,  Francine Y. Robb ,  Robert F. Hightower

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7835 ,  H03K3/3565 ,  H03K17/063 ,  H03K17/687

摘要： In one embodiment, a transistor is formed to conduct current in both directions through the transistor.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成晶体管以在两个方向上通过晶体管导通电流。

公开(公告)号：US07030447B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10620259

申请日：2003-07-15

申请人： Francine Y. Robb ,  Jeffrey Pearse ,  David M. Heminger ,  Stephen P. Robb

发明人： Francine Y. Robb ,  Jeffrey Pearse ,  David M. Heminger ,  Stephen P. Robb

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of providing a Transient Voltage Suppression (TVS) device is described utilizing a Metal Oxide Semiconductor (MOS) structure and an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) structure. The MOS based TVS devices offer reduced leakage current with reduced clamp voltages between 0.5 and 5 volts. Trench MOS based TVS device (72) provides an enhanced gain operation, while device (88) provides a top side drain contact. The high gain MOS based TVS devices provide increased control over clamp voltage variation.

摘要翻译： 使用金属氧化物半导体（MOS）结构和绝缘栅双极晶体管（IGBT）结构来描述提供瞬态电压抑制（TVS）器件的方法。 基于MOS的TVS器件提供减少的漏电流，钳位电压在0.5和5伏之间。 基于沟槽MOS的TVS设备（72）提供增强的增益操作，而设备（88）提供顶侧漏极接触。 基于高增益MOS的TVS器件可以提高对钳位电压变化的控制。