公开(公告)号：US08435830B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12725647

申请日：2010-03-17

申请人： Junho Jeong ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Kyunghyun Kim ,  Sechung Oh ,  Kyungtae Nam

发明人： Junho Jeong ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Kyunghyun Kim ,  Sechung Oh ,  Kyungtae Nam

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： Methods of fabricating semiconductor devices are provided including forming a dielectric interlayer on a substrate, the dielectric interlayer defining an opening therein. A metal pattern is formed in the opening. An oxidization process is performed on the metal pattern to form a conductive metal oxide pattern, and the conductive metal oxide pattern is planarized. Related semiconductor devices are also provided.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成电介质中间层，电介质层间限定开口。 在开口中形成金属图案。 对金属图案进行氧化处理以形成导电金属氧化物图案，并且导电金属氧化物图案被平坦化。 还提供了相关的半导体器件。

公开(公告)号：US08129806B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12686145

申请日：2010-01-12

申请人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

发明人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure and an electrode embedded in a dielectric structure. The MTJ structure includes a free layer. The electrode is formed of silicon-germanium and is electrically connected to the MTJ. The electrode heats the free layer to reduce the coercive force of the free layer to reduce a critical current density.

公开(公告)号：US20100181633A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12686145

申请日：2010-01-12

申请人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

发明人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure and an electrode embedded in a dielectric structure. The MTJ structure includes a free layer. The electrode is formed of silicon-germanium and is electrically connected to the MTJ. The electrode heats the free layer to reduce the coercive force of the free layer to reduce a critical current density.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁隧道结（MTJ）结构和嵌入电介质结构中的电极。 MTJ结构包括一个自由层。 电极由硅锗形成，并与MTJ电连接。 电极加热自由层以降低自由层的矫顽力以降低临界电流密度。

公开(公告)号：US20120126353A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13361406

申请日：2012-01-30

申请人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

发明人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure and an electrode embedded in a dielectric structure. The MTJ structure includes a free layer. The electrode is formed of silicon-germanium and is electrically connected to the MTJ. The electrode heats the free layer to reduce the coercive force of the free layer to reduce a critical current density.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁隧道结（MTJ）结构和嵌入电介质结构中的电极。 MTJ结构包括一个自由层。 电极由硅锗形成，并与MTJ电连接。 电极加热自由层以降低自由层的矫顽力以降低临界电流密度。

公开(公告)号：US08310019B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13361406

申请日：2012-01-30

申请人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

发明人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure and an electrode embedded in a dielectric structure. The MTJ structure includes a free layer. The electrode is formed of silicon-germanium and is electrically connected to the MTJ. The electrode heats the free layer to reduce the coercive force of the free layer to reduce a critical current density.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁隧道结（MTJ）结构和嵌入电介质结构中的电极。 MTJ结构包括一个自由层。 电极由硅锗形成，并与MTJ电连接。 电极加热自由层以降低自由层的矫顽力以降低临界电流密度。

公开(公告)号：US20100240189A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12725647

申请日：2010-03-17

申请人： Junho Jeong ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Kyunghyun Kim ,  Sechung Oh ,  Kyungtae Nam

发明人： Junho Jeong ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Kyunghyun Kim ,  Sechung Oh ,  Kyungtae Nam

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： Methods of fabricating semiconductor devices are provided including forming a dielectric interlayer on a substrate, the dielectric interlayer defining an opening therein. A metal pattern is formed in the opening. An oxidization process is performed on the metal pattern to form a conductive metal oxide pattern, and the conductive metal oxide pattern is planarized. Related semiconductor devices are also provided.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成电介质中间层，电介质层间限定开口。 在开口中形成金属图案。 在金属图案上进行氧化处理以形成导电金属氧化物图案，并且导电金属氧化物图案被平坦化。 还提供了相关的半导体器件。

公开(公告)号：US08692342B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13181957

申请日：2011-07-13

申请人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

发明人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/00 ,  H01L23/552 ,  H01L29/34 ,  H01L29/74 ,  H01L31/111

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： Provided are magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of controlling a magnetization direction of a magnetic pattern. In a magnetic memory device, atomic-magnetic moments non-parallel to one surface of a free pattern increase in the free pattern. Therefore, critical current density of the magnetic memory device may be reduced, such that power consumption of the magnetic memory device is reduced or minimized and/or the magnetic memory device is improved or optimized for a higher degree of integration.

摘要翻译： 提供了磁存储器件，电子系统和包括其的存储卡，其制造方法以及控制磁性图案的磁化方向的方法。 在磁存储器件中，不平行于自由图案的一个表面的原子磁矩在自由图案中增加。 因此，可以减小磁存储器件的临界电流密度，使得磁存储器件的功耗被降低或最小化，和/或磁存储器件被改进或优化以达到更高的集成度。

公开(公告)号：US20120023386A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13181957

申请日：2011-07-13

申请人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

发明人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

IPC分类号： G06F11/10 ,  H01L21/8246 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： Provided are magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of controlling a magnetization direction of a magnetic pattern. In a magnetic memory device, atomic-magnetic moments non-parallel to one surface of a free pattern increase in the free pattern. Therefore, critical current density of the magnetic memory device may be reduced, such that power consumption of the magnetic memory device is reduced or minimized and/or the magnetic memory device is improved or optimized for a higher degree of integration.

摘要翻译： 提供了磁存储器件，电子系统和包括其的存储卡，其制造方法以及控制磁性图案的磁化方向的方法。 在磁存储器件中，不平行于自由图案的一个表面的原子磁矩在自由图案中增加。 因此，可以减小磁存储器件的临界电流密度，使得磁存储器件的功耗被降低或最小化，和/或磁存储器件被改进或优化以达到更高的集成度。

公开(公告)号：US09318695B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14614724

申请日：2015-02-05

申请人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

发明人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： Provided are magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of controlling a magnetization direction of a magnetic pattern. In a magnetic memory device, atomic-magnetic moments non-parallel to one surface of a free pattern increase in the free pattern. Therefore, critical current density of the magnetic memory device may be reduced, such that power consumption of the magnetic memory device is reduced or minimized and/or the magnetic memory device is improved or optimized for a higher degree of integration.

公开(公告)号：US08987850B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US14196666

申请日：2014-03-04

申请人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

发明人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Woojin Kim ,  Heeju Shin

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： Provided are magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of controlling a magnetization direction of a magnetic pattern. In a magnetic memory device, atomic-magnetic moments non-parallel to one surface of a free pattern increase in the free pattern. Therefore, critical current density of the magnetic memory device may be reduced, such that power consumption of the magnetic memory device is reduced or minimized and/or the magnetic memory device is improved or optimized for a higher degree of integration.

摘要翻译： 提供了磁存储器件，电子系统和包括其的存储卡，其制造方法以及控制磁性图案的磁化方向的方法。 在磁存储器件中，不平行于自由图案的一个表面的原子磁矩在自由图案中增加。 因此，可以减小磁存储器件的临界电流密度，使得磁存储器件的功耗被降低或最小化，和/或磁存储器件被改进或优化以达到更高的集成度。