公开(公告)号：US20120042898A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13286281

申请日：2011-11-01

申请人： Pamela M. Visintin ,  Michael B. Korzenski

发明人： Pamela M. Visintin ,  Michael B. Korzenski

IPC分类号： C11D7/60 ,  C23G5/02

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D1/008 ,  C11D3/044 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/30 ,  G03F7/425

摘要： Compositions useful in reworking microelectronic device wafers, i.e., removing photoresist from rejected wafers, without damaging underlying layers and structures such as cap layers, interlevel dielectric layers, etch stop layers and metal interconnect material. The semi-aqueous compositions include at least one alkali and/or alkaline earth metal basic salt, at least one organic solvent, water, optionally at least one quaternary ammonium basic salt, optionally at least one metal corrosion inhibitor and optionally at least one water-soluble polymer surfactant.

摘要翻译： 用于重新加工微电子器件晶片的组合物，即从被拒绝的晶片去除光致抗蚀剂，而不损坏下层和诸如盖层，层间电介质层，蚀刻停止层和金属互连材料的结构。 所述半水性组合物包括至少一种碱金属和/或碱土金属碱盐，至少一种有机溶剂，水，任选的至少一种季铵碱式盐，任选的至少一种金属腐蚀抑制剂和任选的至少一种水 - 可溶性聚合物表面活性剂。

公开(公告)号：US20090118153A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12090213

申请日：2006-10-12

申请人： Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  Ping Jiang ,  Renjie Zhou ,  Michael B. Korzenski

发明人： Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  Ping Jiang ,  Renjie Zhou ,  Michael B. Korzenski

IPC分类号： C11D3/26 ,  C11D3/02

CPC分类号： C11D3/26 ,  C09D9/04 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3773 ,  C11D3/43 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3212

摘要： A liquid removal composition and process for removing photoresist and/or sacrificial anti-reflective coating (SARC) material from a microelectronic device having same thereon. The liquid removal composition includes at least one organic quaternary base and at least one surface interaction enhancing additive. The composition achieves at least partial removal of photoresist and/or SARC material in the manufacture of integrated circuitry with minimal etching of metal species on the microelectronic device, such as copper and cobalt, and without damage to low-k dielectric materials employed in the microelectronic device architecture.

摘要翻译： 一种液体去除组合物和用于从其上具有其的微电子器件去除光致抗蚀剂和/或牺牲抗反射涂层（SARC）材料的方法。 液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。 组合物在集成电路的制造中至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，其中微电子器件（例如铜和钴）上的金属物质的蚀刻最小，并且不损坏微电子器件中使用的低k电介质材料 设备架构。

公开(公告)号：US08058219B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12090213

申请日：2006-10-12

申请人： Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  Ping Jiang ,  Renjie Zhou ,  Michael B. Korzenski

发明人： Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  Ping Jiang ,  Renjie Zhou ,  Michael B. Korzenski

IPC分类号： C11D3/39

CPC分类号： C11D3/26 ,  C09D9/04 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3773 ,  C11D3/43 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3212

摘要： A liquid removal composition and process for removing photoresist and/or sacrificial anti-reflective coating (SARC) material from a microelectronic device having same thereon. The liquid removal composition includes at least one organic quaternary base and at least one surface interaction enhancing additive. The composition achieves at least partial removal of photoresist and/or SARC material in the manufacture of integrated circuitry with minimal etching of metal species on the microelectronic device, such as copper and cobalt, and without damage to low-k dielectric materials employed in the microelectronic device architecture.

摘要翻译： 一种液体去除组合物和用于从其上具有其的微电子器件去除光致抗蚀剂和/或牺牲抗反射涂层（SARC）材料的方法。 液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。 组合物在集成电路的制造中至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，其中微电子器件（例如铜和钴）上的金属物质的蚀刻最小，并且不损坏微电子器件中使用的低k电介质材料 设备架构。

公开(公告)号：US07553803B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US10790535

申请日：2004-03-01

申请人： Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

发明人： Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  C11D3/43 ,  C11D3/60 ,  C23G5/02 ,  B08B7/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B7/0021 ,  C11D3/02 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/3749 ,  C11D3/43 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/5004

摘要： A method and composition for removing silicon-containing particulate material, such as silicon nitrides and silicon oxides, from patterned Si/SiO2 semiconductor wafer surfaces is described. The composition includes a supercritical fluid (SCF), an etchant species, a co-solvent, a surface passivator, a binder, deionized water, and optionally a surfactant. The SCF-based compositions substantially remove the contaminating particulate material from the wafer surface prior to subsequent processing, thus improving the morphology, performance, reliability and yield of the semiconductor device.

摘要翻译： 描述了从图案化的Si / SiO 2半导体晶片表面去除含硅颗粒材料如氮化硅和氧化硅的方法和组合物。 组合物包括超临界流体（SCF），蚀刻剂物质，共溶剂，表面钝化剂，粘合剂，去离子水和任选的表面活性剂。 基于SCF的组合物在随后的处理之前基本上从晶片表面除去污染的颗粒材料，从而改善半导体器件的形态，性能，可靠性和产量。

公开(公告)号：US08338087B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US10792038

申请日：2004-03-03

申请人： Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  David Minsek ,  Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

发明人： Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  David Minsek ,  Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/42

CPC分类号： C11D3/044 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425

摘要： A composition and process for removing photoresist and/or sacrificial anti-reflective coating (SARC) materials from a substrate having such material(s) thereon. The composition includes a base component, such as a quaternary ammonium base in combination with an alkali or alkaline earth base, or alternatively a strong base in combination with an oxidant. The composition may be utilized in aqueous medium, e.g., with chelator, surfactant, and/or co-solvent species, to achieve high-efficiency removal of photoresist and/or SARC materials in the manufacture of integrated circuitry, without adverse effect on metal species on the substrate, such as copper, aluminum and/or cobalt alloys, and without damage to SiOC-based dielectric materials employed in the semiconductor architecture.

摘要翻译： 用于从其上具有这种材料的基材去除光致抗蚀剂和/或牺牲抗反射涂层（SARC）材料的组合物和方法。 组合物包括碱性组分，例如与碱金属或碱土金属碱组合的季铵碱，或与氧化剂组合的强碱。 该组合物可以在水性介质中使用，例如与螯合剂，表面活性剂和/或共溶剂物质一起使用，以在集成电路的制造中实现高效去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，而不会对金属物质产生不利影响 在基底上，例如铜，铝和/或钴合金，并且不损坏在半导体结构中使用的SiOC基电介质材料。

公开(公告)号：US07557073B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US10827395

申请日：2004-04-19

申请人： Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

发明人： Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C11D7/50

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B7/0021 ,  C11D3/0042 ,  C11D3/02 ,  C11D3/044 ,  C11D3/43 ,  C11D7/02 ,  C11D7/5004 ,  G03F7/40 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

摘要： A method and composition for removing ion-implanted photoresist from semiconductor substrates having such photoresist is described. The removal composition contains supercritical CO2 (SCCO2), a co-solvent and a reducing agent for use in removing ion-implanted photoresist. Such removal composition overcomes the intrinsic deficiency of SCCO2 as a removal reagent, viz., the non-polar character of SCCO2 and its associated inability to solubilize species such as inorganic salts and polar organic compounds that are present in the photoresist and that must be removed from the semiconductor substrate for efficient cleaning.

摘要翻译： 描述了用于从具有这种光致抗蚀剂的半导体衬底去除离子注入的光致抗蚀剂的方法和组合物。 去除组合物含有超临界CO 2（SCCO 2），用于去除离子注入的光致抗蚀剂的共溶剂和还原剂。 这种去除组合物克服了作为去除试剂的SCCO 2的固有缺陷，即SCCO2的非极性特征及其不溶解物质如无机盐和存在于光致抗蚀剂中的极性有机化合物，并且必须除去 从半导体基板进行高效清洗。

公开(公告)号：US20140191019A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：US14240220

申请日：2012-12-13

申请人： Tianniu Chen ,  Michael B. Korzenski ,  Ping Jiang

发明人： Tianniu Chen ,  Michael B. Korzenski ,  Ping Jiang

IPC分类号： B23K1/018 ,  B09B5/00

CPC分类号： B23K1/018 ,  B09B3/00 ,  B09B5/00 ,  B23K3/08 ,  B23K37/00 ,  C22B1/005 ,  C22B3/02 ,  C22B3/04 ,  C22B4/00 ,  C22B7/006 ,  C22B11/046 ,  C25C1/00 ,  H05K3/22 ,  H05K2203/178 ,  Y02P10/234 ,  Y02P70/613 ,  Y02W30/82 ,  Y02W30/821 ,  Y02W30/822

摘要： Apparatuses and processes for recycling printed wire boards, wherein electronic components, precious metals and base metals may be collected for reuse and recycling. The apparatuses generally include a mechanical solder removal module and/or a thermal module, a chemical solder removal module, and a precious metal leaching module, wherein the modules are attached for continuous passage of the e-waste from module to module.

摘要翻译： 可以收集用于回收印刷线路板的设备和方法，其中电子元件，贵金属和贱金属可以被收集用于再利用和再循环。 这些设备通常包括机械焊料去除模块和/或热模块，化学焊剂去除模块和贵金属浸出模块，其中模块被附接以使电子废物从模块连续通过模块。

公开(公告)号：US20150050199A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：US14389142

申请日：2013-04-05

申请人： Michael B. Korzenski ,  Tianniu Chen ,  Ping Jiang

发明人： Michael B. Korzenski ,  Tianniu Chen ,  Ping Jiang

IPC分类号： C22B3/00

CPC分类号： C22B13/045 ,  H01J9/52 ,  Y02P10/212 ,  Y02W30/60 ,  Y02W30/828

摘要： A leaching composition that substantially removes lead from solid materials and a method of using said composition. Preferably, the concentration of lead in the solid materials following processing is low enough that the solid materials can be reused and/or disposed of at minimal cost to the processor. Preferably, the solid materials comprise glass, such as cathode ray tube glass.

摘要翻译： 一种从固体材料中大量除去铅的浸出组合物和使用所述组合物的方法。 优选地，处理后的固体材料中的铅的浓度足够低，使得固体材料可以以最小的成本重新使用和/或处理。 优选地，固体材料包括玻璃，例如阴极射线管玻璃。

公开(公告)号：US08765654B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13084173

申请日：2011-04-11

申请人： David W. Minsek ,  Michael B. Korzenski ,  Martha M. Rajaratnam

发明人： David W. Minsek ,  Michael B. Korzenski ,  Martha M. Rajaratnam

IPC分类号： C11D3/39 ,  C11D11/00 ,  C11D3/33

CPC分类号： H01L21/02057 ,  C09G1/02 ,  C11D3/33 ,  C11D3/3942 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/02 ,  C23G1/061 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  C23G1/18 ,  C23G1/205 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134

摘要： An oxidizing aqueous cleaning composition and process for cleaning post-plasma etch residue and/or hardmask material from a microelectronic device having said residue thereon. The oxidizing aqueous cleaning composition includes at least one oxidizing agent, at least one oxidizing agent stabilizer comprising an amine species selected from the group consisting of primary amines, secondary amines, tertiary amines and amine-N-oxides, optionally at least one co-solvent, optionally at least one metal-chelating agent, optionally at least one buffering species, and water. The composition achieves highly efficacious cleaning of the residue material from the microelectronic device while simultaneously not damaging the interlevel dielectric and metal interconnect material also present thereon.

摘要翻译： 一种氧化水性清洁组合物和用于从其上具有所述残余物的微电子器件清洁后等离子体蚀刻残余物和/或硬掩模材料的方法。 氧化性水性清洁组合物包括至少一种氧化剂，至少一种氧化剂稳定剂，其包含选自伯胺，仲胺，叔胺和胺-N-氧化物的胺类，任选地至少一种共溶剂 ，任选的至少一种金属螯合剂，任选的至少一种缓冲物质和水。 该组合物可实现对微电子器件的残留物质的高效清洁，同时不损害也存在于其上的层间电介质和金属互连材料。

公开(公告)号：US20130280123A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13819249

申请日：2011-08-26

申请人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Chimin Sheu ,  Mutsumi Nakanishi ,  Masahiro Matsuoka ,  Fumio Nakayama ,  Peng Zhang ,  Michael B. Korzenski ,  Emanuel I. Cooper ,  Kate Veccharelli ,  Makonnen Payne

发明人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Chimin Sheu ,  Mutsumi Nakanishi ,  Masahiro Matsuoka ,  Fumio Nakayama ,  Peng Zhang ,  Michael B. Korzenski ,  Emanuel I. Cooper ,  Kate Veccharelli ,  Makonnen Payne

IPC分类号： C09C3/08

CPC分类号： C09C3/08 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00928 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

摘要： Methods of reducing the capillary forces experienced by fragile high aspect ratio structures during drying to substantially prevent damage to said high aspect ratio structures during drying. They include modifying the surface of the high aspect ratio structures such that the forces are sufficiently minimized and as such less than 10% of the high aspect ratio features will have bent or collapsed during drying of the structure having said features thereon.

摘要翻译： 在干燥期间减少易碎的高纵横比结构所经受的毛细作用力的方法，以基本上防止在干燥过程中对所述高纵横比结构的损坏。 它们包括改变高纵横比结构的表面，使得力被充分地最小化，并且因此在其具有所述特征的结构的干燥期间，小于10％的高纵横比特征将具有弯曲或折叠。