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公开(公告)号：US20060094168A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：US10977068
申请日：2004-10-29
申请人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich , David Punsalan
发明人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich , David Punsalan
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/66772
摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a thin film component are described.
摘要翻译： 描述了用于形成薄膜部件的方法，装置，装置和/或系统的实施例。
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公开(公告)号：US20080197414A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：US12104181
申请日：2008-04-16
申请人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich , David Punsalan
发明人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich , David Punsalan
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/66772
摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a thin film component are described.
摘要翻译： 描述了用于形成薄膜部件的方法，装置，装置和/或系统的实施例。
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公开(公告)号：US20070010101A1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：US11174798
申请日：2005-07-05
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/469
CPC分类号： B82Y10/00 , B81B1/00 , B81B2203/0361 , Y10S977/70
摘要： This invention relates to a method of fabricating nano-dimensional structures, comprising: depositing at least one deformable material upon a substrate such that the material includes at least one portion; and creating an oxidizable layer located substantially adjacent to the deposited deformable material such that at least a portion of the oxidized portion of the oxidizable layer interacts with the at least one portion of the deformable material to apply a localized pressure upon the at least one portion of the deformable material.
摘要翻译： 本发明涉及一种制造纳米尺寸结构的方法，包括：将至少一种可变形材料沉积在基底上，使得该材料包括至少一部分; 以及产生基本上与所沉积的可变形材料相邻的可氧化层，使得可氧化层的氧化部分的至少一部分与可变形材料的至少一部分相互作用以将局部压力施加到至少一部分 可变形材料。
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公开(公告)号：US20060086936A1
公开(公告)日：2006-04-27
申请号：US10971336
申请日：2004-10-22
申请人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich
发明人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich
IPC分类号： H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969
摘要： Embodiments of methods, apparatuses, components, and/or systems for forming transistor having a dual layer dielectric are described.
摘要翻译： 描述了用于形成具有双层电介质的晶体管的方法，装置，组件和/或系统的实施例。
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公开(公告)号：US07381658B2
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：US11174896
申请日：2005-07-05
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/469
CPC分类号： B81B1/00
摘要： This invention relates to a method of encapsulating nano-dimensional structures, comprising: depositing at least one material upon a substrate such that the material includes at least one portion; and creating an oxidized layer located substantially adjacent to the deposited material such that the at least one portion of the deposited material becomes substantially encapsulated by a portion of the oxidized layer.
摘要翻译： 本发明涉及一种封装纳米尺寸结构的方法，包括：在衬底上沉积至少一种材料，使得该材料包括至少一部分; 以及产生基本上邻近沉积材料定位的氧化层，使得沉积材料的至少一部分基本上被氧化层的一部分包封。
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公开(公告)号：US08143706B2
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：US11778201
申请日：2007-07-16
IPC分类号： H01L27/28 , H01L21/312 , H01L21/47
CPC分类号： H01L21/022 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/7869
摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a component having dielectric sub-layers are described.
摘要翻译： 描述了用于形成具有电介质子层的部件的方法，装置，装置和/或系统的实施例。
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公开(公告)号：US07575979B2
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：US10875034
申请日：2004-06-22
申请人： David Punsalan , Peter Mardilovich , Randy Hoffman
发明人： David Punsalan , Peter Mardilovich , Randy Hoffman
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/66969
摘要： A method includes forming a fluid including an inorganic semiconductor material, depositing a layer of said fluid on a substrate to form a film, and curing said film to form a porous semiconductor film.
摘要翻译： 一种方法包括形成包括无机半导体材料的流体，在基底上沉积所述流体层以形成膜，并固化所述膜以形成多孔半导体膜。
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公开(公告)号：US07381631B2
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：US11174798
申请日：2005-07-05
CPC分类号： B82Y10/00 , B81B1/00 , B81B2203/0361 , Y10S977/70
摘要： This invention relates to a method of fabricating nano-dimensional structures, comprising: depositing at least one deformable material upon a substrate such that the material includes at least one portion; and creating an oxidizable layer located substantially adjacent to the deposited deformable material such that at least a portion of the oxidized portion of the oxidizable layer interacts with the at least one portion of the deformable material to apply a localized pressure upon the at least one portion of the deformable material.
摘要翻译： 本发明涉及一种制造纳米尺寸结构的方法，包括：将至少一种可变形材料沉积在基底上，使得该材料包括至少一部分; 以及产生基本上与所沉积的可变形材料相邻的可氧化层，使得可氧化层的氧化部分的至少一部分与可变形材料的至少一部分相互作用以将局部压力施加到至少一部分 可变形材料。
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公开(公告)号：US20070284574A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：US11778192
申请日：2007-07-16
申请人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich
发明人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969
摘要： Embodiments of methods, apparatuses, components, and/or systems for forming transistor having a dual layer dielectric are described.
摘要翻译： 描述了用于形成具有双层电介质的晶体管的方法，装置，组件和/或系统的实施例。
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公开(公告)号：US20060079037A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：US10961507
申请日：2004-10-07
申请人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich , Hai Chiang
发明人： Randy Hoffman , Peter Mardilovich , Hai Chiang
IPC分类号： H01L21/84
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/0673 , H01L29/4908
摘要： A thin-film transistor (TFT) is fabricated by providing a substrate, depositing and patterning a metal gate, anodizing the patterned metal gate to form a gate dielectric on the metal gate, depositing and patterning a channel layer comprising a multi-cation oxide over at least a portion of the gate dielectric, and depositing and patterning a conductive source and conductive drain spaced apart from each other and disposed in contact with the channel layer.
摘要翻译： 通过提供衬底，沉积和图案化金属栅极来制造薄膜晶体管（TFT），阳极氧化图案化金属栅极以在金属栅极上形成栅极电介质，沉积和图案化包含多阳离子氧化物的沟道层 至少一部分栅极电介质，并且沉积并图形化彼此间隔开并与沟道层接触的导电源和导电漏极。
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