公开(公告)号：US08205173B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12818003

申请日：2010-06-17

申请人： Sunny Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Monghsung Chuang ,  Fu-Min Huang ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Sunny Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Monghsung Chuang ,  Fu-Min Huang ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  G06F11/00 ,  G01R31/00

CPC分类号： G01R31/2894

摘要： A method includes providing a plurality of failure dies, and performing a chip probing on the plurality of failure dies to generate a data log comprising electrical characteristics of the plurality of failure dies. An automatic net tracing is performed to trace failure candidate nodes in the failure dies. A failure layer analysis is performed on results obtained from the automatic net tracing. Physical failure analysis (PFA) samples are selected from the plurality of failure dies using results obtained in the step of performing the failure layer analysis.

摘要翻译： 一种方法包括提供多个故障管芯，并对多个故障管芯进行芯片探测以产生包括多个故障管芯的电气特性的数据记录。 执行自动网络跟踪以跟踪故障模块中的故障候选节点。 对从自动网络跟踪获得的结果执行故障层分析。 使用在执行故障层分析的步骤中获得的结果从多个故障模具中选择物理故障分析（PFA）样本。

公开(公告)号：US07977655B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12470228

申请日：2009-05-21

申请人： Jo Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

发明人： Jo Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A method for monitoring overlay of a direct-write system. The method includes providing a substrate having a pattern formed thereon by the direct-write system, generating data associated with the substrate pattern, decomposing the data by applying a transformation matrix, and determining an overlay index based on the decomposed data, the overlay index corresponding to a variation component of the substrate pattern relative to a target pattern.

摘要翻译： 一种用于监视直写系统覆盖的方法。 该方法包括提供具有通过直接写入系统在其上形成的图案的基板，产生与基板图案相关联的数据，通过应用变换矩阵来分解数据，以及基于分解的数据确定覆盖索引，所述覆盖索引对应于 涉及相对于目标图案的衬底图案的变化分量。

公开(公告)号：US20100294955A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12470228

申请日：2009-05-21

申请人： Jo Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

发明人： Jo Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

IPC分类号： A61N5/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A method for monitoring overlay of a direct-write system. The method includes providing a substrate having a pattern formed thereon by the direct-write system, generating data associated with the substrate pattern, decomposing the data by applying a transformation matrix, and determining an overlay index based on the decomposed data, the overlay index corresponding to a variation component of the substrate pattern relative to a target pattern.

摘要翻译： 一种用于监视直写系统覆盖的方法。 该方法包括提供具有通过直接写入系统在其上形成的图案的基板，产生与基板图案相关联的数据，通过应用变换矩阵来分解数据，以及基于分解的数据确定覆盖索引，所述覆盖索引对应于 涉及相对于目标图案的衬底图案的变化分量。

公开(公告)号：US09159597B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13471583

申请日：2012-05-15

申请人： Chih-Tien Chang ,  Sunny Wu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chih-Tien Chang ,  Sunny Wu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： F26B3/30 ,  F27B5/14 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/67 ,  H05B1/02

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

摘要： An apparatus, a system and a method are disclosed. An exemplary apparatus includes a wafer processing chamber. The apparatus further includes radiant heating elements disposed in different zones and operable to heat different portions of a wafer located within the wafer processing chamber. The apparatus further includes sensors disposed outside the wafer processing chamber and operable to monitor energy from the radiant heating elements disposed in the different zones. The apparatus further includes a computer configured to utilize the sensors to characterize the radiant heating elements disposed in the different zones and to provide a calibration for the radiant heating elements disposed in the different zones such that a substantially uniform temperature profile is maintained across a surface of the wafer.

摘要翻译： 公开了一种装置，系统和方法。 示例性装置包括晶片处理室。 该设备还包括设置在不同区域中的辐射加热元件，其可操作以加热位于晶片处理室内的晶片的不同部分。 该装置还包括设置在晶片处理室外部的传感器，其可操作以监测来自设置在不同区域中的辐射加热元件的能量。 该装置还包括计算机，其被配置为利用传感器来表征设置在不同区域中的辐射加热元件，并且为放置在不同区域中的辐射加热元件提供校准，使得基本上均匀的温度分布保持在 晶圆。

公开(公告)号：US20120239178A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13048282

申请日：2011-03-15

申请人： Sunny Wu ,  Chun-Hsien Lin ,  Kun-Ming Chen ,  Dung-Yian Hsieh ,  Hui-Ru Lin ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  I-Ching Chu

发明人： Sunny Wu ,  Chun-Hsien Lin ,  Kun-Ming Chen ,  Dung-Yian Hsieh ,  Hui-Ru Lin ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  I-Ching Chu

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  G01R31/2894 ,  H01L22/14

摘要： A method comprises computing respective regression models for each of a plurality of failure bins based on a plurality of failures identified during wafer electrical tests. Each regression model outputs a wafer yield measure as a function of a plurality of device performance variables. For each failure bin, sensitivity of the wafer yield measure to each of the plurality of device performance variables is determined, and the device performance variables are ranked with respect to sensitivity of the wafer yield measure. A subset of the device performance variables which have highest rankings and which have less than a threshold correlation with each other are selected. The wafer yield measures for each failure bin corresponding to one of the selected subset of device performance variables are combined, to provide a combined wafer yield measure. At least one new process parameter value is selected to effect a change in the one device performance variable, based on the combined wafer yield measure. The at least one new process parameter value is to be used to process at least one additional wafer.

摘要翻译： 一种方法包括基于在晶片电测试期间识别的多个故障来计算多个故障仓中的每一个的相应回归模型。 每个回归模型输出作为多个设备性能变量的函数的晶片产量测量。 对于每个故障仓，确定晶片产量测量对多个器件性能变量中的每一个的灵敏度，并且相对于晶片产量测量的灵敏度对器件性能变量进行排序。 选择具有最高排名并且彼此具有小于阈值相关性的设备性能变量的子集。 组合对应于所选择的设备性能变量子集之一的每个故障仓的晶片产量测量，以提供组合晶片产量测量。 选择至少一个新的过程参数值，以基于组合的晶片产量测量来实现一个器件性能变量的变化。 至少一个新的过程参数值将用于处理至少一个附加晶片。

公开(公告)号：US20100248398A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12412138

申请日：2009-03-26

申请人： Jo Fei Wang ,  Sunny Wu ,  Jong-I Mou

发明人： Jo Fei Wang ,  Sunny Wu ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/66 ,  B05C11/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6831 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/909 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes performing a first process to a wafer; measuring the wafer for wafer data after the first process; securing the wafer on an E-chuck in a processing chamber; collecting sensor data from a sensor embedded in the E-chuck; adjusting clamping forces to the E-chuck based on the wafer data and the sensor data; and thereafter performing a second process to the wafer secured on the E-chuck in the processing chamber.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括对晶片执行第一处理; 在第一次处理之后测量晶片的晶片数据; 将晶片固定在处理室中的电子卡盘上; 从嵌入在E卡盘中的传感器收集传感器数据; 基于晶片数据和传感器数据调整到E型卡盘的夹紧力; 然后对固定在处理室中的E型卡盘上的晶片进行第二处理。

公开(公告)号：US09250619B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13311601

申请日：2011-12-06

申请人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G06F19/00 ,  G05B19/18 ,  H01L21/66

CPC分类号： G05B19/18 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20

摘要： A system and method of automatically calculating boundaries for a semiconductor fabrication process. The method includes selecting a first parameter for monitoring during a semiconductor fabrication process. A first set of values for the first parameter are received and a group value of the first set is determined. Each value in the first set of values is normalized. A first weighting factor is selected based on a number of values in the first set. The embodiment also includes generating a first and a second boundary value as a function of the weighting factor, the first set normalized values and the group value of the first set and applying the first and second boundary values to control the semiconductor fabrication process.

摘要翻译： 一种自动计算半导体制造工艺边界的系统和方法。 该方法包括在半导体制造过程中选择用于监测的第一参数。 接收第一参数的第一组值，并确定第一组的组值。 第一组值中的每个值都被归一化。 基于第一组中的值的数量来选择第一加权因子。 该实施例还包括根据加权因子，第一集合归一化值和第一组的组值产生第一和第二边界值，并施加第一和第二边界值以控制半导体制造过程。

公开(公告)号：US08781614B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13620115

申请日：2012-09-14

申请人： Sunny Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Chun-Hsien Lin ,  Keung Hui ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Sunny Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Chun-Hsien Lin ,  Keung Hui ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/4187 ,  G05B19/042 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/2602 ,  G05B2219/32237 ,  G05B2219/32423 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/50065 ,  Y02P90/20

摘要： An embodiment is a method for semiconductor processing control. The method comprises identifying a key process stage from a plurality of process stages based on a parameter of processed wafers, forecasting a trend for a wafer processed by the key process stage and some of the plurality of process stages based on the parameter, and dispatching the wafer to one of a first plurality of tools in a tuning process stage. The one of the first plurality of tools is determined based on the trend.

摘要翻译： 实施例是用于半导体处理控制的方法。 该方法包括基于处理的晶片的参数从多个处理阶段识别关键处理阶段，基于该参数来预测由密钥处理阶段处理的晶片的趋势以及多个处理阶段中的一些，以及调度 晶片转换为调谐处理阶段中的第一多个工具之一。 根据趋势确定第一组多个工具中的一个。

公开(公告)号：US20130306621A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13471583

申请日：2012-05-15

申请人： Chih-Tien Chang ,  Sunny Wu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chih-Tien Chang ,  Sunny Wu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H05B1/02

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

摘要： An apparatus, a system and a method are disclosed. An exemplary apparatus includes a wafer processing chamber. The apparatus further includes radiant heating elements disposed in different zones and operable to heat different portions of a wafer located within the wafer processing chamber. The apparatus further includes sensors disposed outside the wafer processing chamber and operable to monitor energy from the radiant heating elements disposed in the different zones. The apparatus further includes a computer configured to utilize the sensors to characterize the radiant heating elements disposed in the different zones and to provide a calibration for the radiant heating elements disposed in the different zones such that a substantially uniform temperature profile is maintained across a surface of the wafer.

摘要翻译： 公开了一种装置，系统和方法。 示例性装置包括晶片处理室。 该设备还包括设置在不同区域中的辐射加热元件，其可操作以加热位于晶片处理室内的晶片的不同部分。 该装置还包括设置在晶片处理室外部的传感器，其可操作以监测来自设置在不同区域中的辐射加热元件的能量。 该装置还包括计算机，其被配置为利用传感器来表征设置在不同区域中的辐射加热元件，并且为放置在不同区域中的辐射加热元件提供校准，使得基本上均匀的温度分布保持在 晶圆。

公开(公告)号：US20130013097A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13620115

申请日：2012-09-14

申请人： Sunny Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Chun-Hsien Lin ,  Keung Hui ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Sunny Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Chun-Hsien Lin ,  Keung Hui ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/4187 ,  G05B19/042 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/2602 ,  G05B2219/32237 ,  G05B2219/32423 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/50065 ,  Y02P90/20

摘要： An embodiment is a method for semiconductor processing control. The method comprises identifying a key process stage from a plurality of process stages based on a parameter of processed wafers, forecasting a trend for a wafer processed by the key process stage and some of the plurality of process stages based on the parameter, and dispatching the wafer to one of a first plurality of tools in a tuning process stage. The one of the first plurality of tools is determined based on the trend.

摘要翻译： 一个实施例是用于半导体处理控制的方法。 该方法包括基于处理的晶片的参数从多个处理阶段识别关键处理阶段，基于该参数来预测由密钥处理阶段处理的晶片的趋势以及多个处理阶段中的一些，以及调度 晶片转换为调谐处理阶段中的第一多个工具之一。 根据趋势确定第一组多个工具中的一个。