公开(公告)号：US20180366153A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：US15952506

申请日：2018-04-13

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Sethuraman Jayashankar ,  Sarbeswar Sahoo ,  Jie Gong ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B13/08 ,  G11B7/24059 ,  C01F7/00 ,  C01G5/00 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/02 ,  C22C9/08 ,  C22C11/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  C22C19/03 ,  C22C20/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  G11B7/1387 ,  G11B5/60 ,  G11B5/48 ,  G11B5/31 ,  C23C14/58 ,  C22C38/06 ,  C22C27/06 ,  C22C27/02 ,  C22C27/00 ,  C22C22/00 ,  C22C21/10 ,  C22C9/04 ,  G11B5/00 ,  C22C9/05 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  C22C9/06 ,  B32B15/01 ,  C22C9/10 ,  C22C21/06 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C24/00 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07

CPC classification number: G11B13/08 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C01F7/00 ,  C01G5/00 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/08 ,  C22C9/10 ,  C22C11/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C20/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/003 ,  C22C21/02 ,  C22C21/06 ,  C22C21/10 ,  C22C22/00 ,  C22C24/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/025 ,  C22C27/06 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  C22C38/06 ,  C23C14/5833 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/4866 ,  G11B5/6088 ,  G11B7/1387 ,  G11B7/24059 ,  G11B2005/0021

Abstract: A device including a near field transducer, the near field transducer including gold (Au) and at least one other secondary atom, the at least one other secondary atom selected from: boron (B), bismuth (Bi), indium (In), sulfur (S), silicon (Si), tin (Sn), hafnium (Hf), niobium (Nb), manganese (Mn), antimony (Sb), tellurium (Te), carbon (C), nitrogen (N), and oxygen (O), and combinations thereof; erbium (Er), holmium (Ho), lutetium (Lu), praseodymium (Pr), scandium (Sc), uranium (U), zinc (Zn), and combinations thereof; and barium (Ba), chlorine (Cl), cesium (Cs), dysprosium (Dy), europium (Eu), fluorine (F), gadolinium (Gd), germanium (Ge), hydrogen (H), iodine (I), osmium (Os), phosphorus (P), rubidium (Rb), rhenium (Re), selenium (Se), samarium (Sm), terbium (Tb), thallium (Th), and combinations thereof.

公开(公告)号：US20170125043A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：US15407479

申请日：2017-01-17

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Seigler ,  Scott Franzen

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/255 ,  G11B5/40

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/255 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a multilayer gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT, the multilayer gas barrier layer including at least a first and a second sublayer, where the second gas barrier sublayer is positioned on the first gas barrier sublayer, the first gas barrier sublayer is positioned adjacent the NFT and the second gas barrier sublayer is positioned adjacent the wear resistant layer, the first and second sublayers independently have thicknesses from 0.01 nm to 5 nm; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer.

公开(公告)号：US09620150B2

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：US14918687

申请日：2015-10-21

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Seigler ,  Xiaoyue Huang ,  Scott Franzen

IPC: G11B11/00 ,  G11B5/31 ,  C23C8/10 ,  C23C8/02 ,  C23C8/80 ,  G11B5/00

CPC classification number: G11B5/314 ,  C23C8/02 ,  C23C8/10 ,  C23C8/80 ,  G11B5/3106 ,  G11B9/12 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); an amorphous gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer.

公开(公告)号：US09502070B2

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：US14313717

申请日：2014-06-24

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Sethuraman Jayashankar ,  Sarbeswar Sahoo ,  Justin Glen Brons ,  Steve C. Riemer ,  Jie Gong ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B11/00 ,  G11B5/40 ,  G11B13/08 ,  G11B5/31 ,  G11B7/1387 ,  G11B7/24059 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/02 ,  C22C9/08 ,  C22C11/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  C22C19/03 ,  C22C20/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/10 ,  C22C22/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/06 ,  C22C38/06 ,  G11B5/48 ,  C01F7/00 ,  C01G5/00 ,  G11B5/60 ,  C23C14/58 ,  C22C5/04 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22C19/07 ,  C22C21/06 ,  C22C24/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  G11B5/00 ,  B32B15/01

CPC classification number: G11B13/08 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C01F7/00 ,  C01G5/00 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/08 ,  C22C9/10 ,  C22C11/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C20/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/003 ,  C22C21/02 ,  C22C21/06 ,  C22C21/10 ,  C22C22/00 ,  C22C24/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/025 ,  C22C27/06 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  C22C38/06 ,  C23C14/5833 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/4866 ,  G11B5/6088 ,  G11B7/1387 ,  G11B7/24059 ,  G11B2005/0021

Abstract: A device including a near field transducer, the near field transducer including gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), or aluminum (Al), and at least two other secondary atoms, the at least two other secondary atoms selected from: boron (B), bismuth (Bi), indium (In), sulfur (S), silicon (Si), tin (Sn), manganese (Mn), tellurium (Te), holmium (Ho), lutetium (Lu), praseodymium (Pr), scandium (Sc), uranium (U), barium (Ba), chlorine (Cl), cesium (Cs), dysprosium (Dy), europium (Eu), fluorine (F), germanium (Ge), hydrogen (H), iodine (I), rubidium (Rb), selenium (Se), terbium (Tb), nitrogen (N), oxygen (O), carbon (C), antimony (Sb), gadolinium (Gd), samarium (Sm), thallium (Tl), cadmium (Cd), neodymium (Nd), phosphorus (P), lead (Pb), hafnium (Hf), niobium (Nb), erbium (Er), zinc (Zn), magnesium (Mg), palladium (Pd), vanadium (V), zinc (Zn), chromium (Cr), iron (Fe), lithium (Li), nickel (Ni), platinum (Pt), sodium (Na), strontium (Sr), calcium (Ca), yttrium (Y), thorium (Th), beryllium (Be), thulium (Tm), erbium (Er), ytterbium (Yb), promethium (Pm), neodymium (Nd cobalt (Co), cerium (Ce), lanthanum (La), praseodymium (Pr), or combinations thereof.

Abstract translation: 一种包括近场换能器的装置，包括金（Au），银（Ag），铜（Cu）或铝（Al）的近场换能器和至少两个其它次级原子，所选择的至少两个其它次级原子 来自：硼（B），铋（Bi），铟（In），硫（S），硅（Si），锡（Sn），锰（Mn），碲（Te），钬（Ho） ），镨（Pr），钪（Sc），铀（U），钡（Ba），氯（Cl），铯（Cs），镝（Dy），铕（Eu），氟（F） ），氢（H），碘（I），铷（Rb），硒（Se），铽（Tb），氮（N），氧（O），碳（C），锑（Sb） ），钐（Sm），铊（Tl），镉（Cd），钕（Nd），磷（P），铅（Pb），铪（Hf），铌（Nb），铒（Er） ），镁（Mg），钯（Pd），钒（V），锌（Zn），铬（Cr），铁（Fe），锂（Li），镍（Ni），铂（Pt） ），锶（Sr），钙（Ca），钇（Y），钍（Th），铍（B 铕（Tm），铒（Er），镱（Yb），ium（Pm），钕（Nd钴（Co），铈（Ce），镧（La），镨（Pr）

公开(公告)号：US09412402B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14879107

申请日：2015-10-09

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B11/00 ,  G11B5/40 ,  G11B5/48 ,  G11B5/31 ,  G11B5/00

CPC classification number: G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4866 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer wherein the gas barrier layer includes tantalum oxide (TaO), titanium oxide (TiO), chromium oxide (CrO), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO), titanium oxide (TiO), zirconium oxide (ZrO), yttrium oxide (YO), magnesium oxide (MgO), beryllium oxide (BeO), niobium oxide (NbO), hafnium oxide (HfO), vanadium oxide (VO), strontium oxide (SrO), or combinations thereof; silicon nitride (SiN), aluminum nitride (Al), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), niobioum nitride (NbN), hafnium nitride (HfN), chromium nitride (CrN), or combinations thereof; silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobioum carbide (NbC), chromium carbide (CrC), vanadium carbide (VC), boron carbide (BC), or combinations thereof; or combinations thereof.

Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的阻气层; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层，其中所述阻气层包括氧化钽（TaO），氧化钛（TiO），氧化铬（CrO），氧化硅（SiO），氧化铝（AlO ），氧化钛（TiO），氧化锆（ZrO），氧化钇（YO），氧化镁（MgO），氧化铍（BeO），氧化铌（NbO），氧化铪（HfO），氧化钒（VO） 氧化锶（SrO）或其组合; 氮化硅（SiN），氮化铝（Al），氮化硼（BN），氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化硼（NbN），氮化铪（HfN），氮化铬（CrN） 的; 碳化硅（SiC），碳化钛（TiC），碳化锆（ZrC），碳化铌（NbC），碳化铬（CrC），碳化钒（VC），碳化硼（BC） 或其组合。

公开(公告)号：US20160133280A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：US14935768

申请日：2015-11-09

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Michael Seigler ,  James Wessel ,  Tong Zhao ,  John Duda ,  Sarbeswar Sahoo ,  Hui Brickner ,  Michael Kautzky

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/60

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/3106 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a write pole; a near field transducer (NFT) that includes a peg and a disk, wherein the peg is at the ABS of the device; and a diffusion barrier layer positioned between the write pole and the peg of the NFT, the diffusion barrier layer including metals, nitrides, oxides, carbides, silicides, or amorphous material.

Abstract translation: 包括写极点的器件; 包括钉和盘的近场换能器（NFT），其中所述栓在所述装置的ABS处; 以及位于NFT的写入极和钉之间的扩散阻挡层，扩散阻挡层包括金属，氮化物，氧化物，碳化物，硅化物或无定形材料。

公开(公告)号：US20150179194A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14632054

申请日：2015-02-26

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/4866 ,  G11B5/6088 ,  G11B13/08 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT), the NFT including a peg having five surfaces, the peg including a first material, the first material including gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), copper (Cu), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), iridium (Ir), or combinations thereof; an overlying structure; and at least one intermixing layer, positioned between the peg and the overlying structure, the at least one intermixing layer positioned on at least one of the five surfaces of the peg, the intermixing layer including at least the first material and a second material.

Abstract translation: 包括近场换能器（NFT）的装置，所述NFT包括具有五个表面的钉，所述钉包括第一材料，所述第一材料包括金（Au），银（Ag），铝（Al），铜（Cu） ，钌（Ru），铑（Rh），铱（Ir）或其组合; 上层结构; 以及位于所述栓钉和所述上覆结构之间的至少一个混合层，所述至少一个混合层定位在所述栓钉的五个表面中的至少一个上，所述混合层至少包括所述第一材料和第二材料。

公开(公告)号：US09058824B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14313611

申请日：2014-06-24

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Allen Seigler

IPC: G11B11/00 ,  G11B5/40 ,  G11B5/48 ,  G11B5/00

CPC classification number: G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4866 ,  G11B2005/0021

Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer wherein the gas barrier layer includes tantalum oxide (TaO), titanium oxide (TiO), chromium oxide (CrO), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO), titanium oxide (TiO), zirconium oxide (ZrO), yttrium oxide (YO), magnesium oxide (MgO), beryllium oxide (BeO), niobium oxide (NbO), hafnium oxide (HfO), vanadium oxide (VO), strontium oxide (SrO), or combinations thereof; silicon nitride (SiN), aluminum nitride (Al), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), niobioum nitride (NbN), hafnium nitride (HfN), chromium nitride (CrN), or combinations thereof silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobioum carbide (NbC), chromium carbide (CrC), vanadium carbide (VC), boron carbide (BC), or combinations thereof or combinations thereof.

Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的阻气层; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层，其中所述阻气层包括氧化钽（TaO），氧化钛（TiO），氧化铬（CrO），氧化硅（SiO），氧化铝（AlO ），氧化钛（TiO），氧化锆（ZrO），氧化钇（YO），氧化镁（MgO），氧化铍（BeO），氧化铌（NbO），氧化铪（HfO），氧化钒（VO） 氧化锶（SrO）或其组合; 氮化硅（SiN），氮化铝（Al），氮化硼（BN），氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化硼（NbN），氮化铪（HfN），氮化铬（CrN） 碳化硅（SiC），碳化钛（TiC），碳化锆（ZrC），碳化铌（NbC），碳化铬（CrC），碳化钒（VC），碳化硼（BC）或其组合或其组合。

公开(公告)号：US10304482B2

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：US15073423

申请日：2016-03-17

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

Inventor： Yuhang Cheng ,  Michael Seigler ,  Scott Franzen ,  Tong Zhao ,  Xiaoyue Huang ,  Steven C. Riemer ,  Robert Anthony Fernandez ,  Douglas H. Cole

IPC: G11B5/187 ,  G11B5/40 ,  G11B5/60 ,  G11B5/31 ,  G11B5/00

Abstract: Devices having an air bearing surface (ABS), the devices include a write pole; a near field transducer (NFT) including a peg and a disc, wherein the peg is at the ABS of the device; an overcoat, the overcoat including a low surface energy layer.

公开(公告)号：US20180102137A1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：US15837423

申请日：2017-12-11

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC.

Inventor： Yuhang Cheng ,  Sami Antrazi ,  Michael Seigler ,  Scott Franzen ,  Philip G. Pitcher ,  Edwin F. Rejda ,  Kurt W. Wierman

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/00

Abstract: Methods that include forming at least a portion of a near field transducer (NFT) structure; depositing a material onto at least one surface of the portion of the NFT to form a metal containing layer; and subjecting the metal containing layer to conditions that cause diffusion of at least a portion of the material into the at least one surface of the portion of the NFT; and devices formed thereby.