公开(公告)号：US06729923B2

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10160413

申请日：2002-05-30

申请人： Seong Deok Ahn ,  Jin Ho Lee ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Seong Deok Ahn ,  Jin Ho Lee ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J2201/30403

摘要： The present invention relates to a field emission device and a method of fabricating the same. The method includes forming a hole having a nanometer size using silicon semiconductor process and then forming an emitter within the hole to form a field emission device. Therefore, the present invention can reduce the driving voltage and thus lower the power consumption.

摘要翻译： 场致发射器件及其制造方法技术领域本发明涉及场致发射器件及其制造方法。 该方法包括使用硅半导体工艺形成具有纳米尺寸的孔，然后在孔内形成发射体以形成场致发射器件。 因此，本发明可以降低驱动电压，从而降低功耗。

公开(公告)号：US06373184B1

公开(公告)日：2002-04-16

申请号：US09435038

申请日：1999-11-05

申请人： Kyung Soo Suh ,  Jin Ho Lee ,  Kyoung Ik Cho ,  Jae Dong Byun

发明人： Kyung Soo Suh ,  Jin Ho Lee ,  Kyoung Ik Cho ,  Jae Dong Byun

IPC分类号： C09K1150

CPC分类号： C09K11/7703

摘要： Provided with a phosphor for a fluorescent display that includes at least one divalent transition metal and at least two trivalent metal added to SrTiO3 and having a formula of: SrTi1−x−yMxNyO3:zPr3+ wherein M represents the divalent transition metal selected from the group consisting of Zn, Mn, Co, Ni, Cu and Cd, N represents the trivalent metal selected from the group consisting of Ga, Al, In and B, and 0≦x≦0.1, 0≦y≦0.1 and 0≦z≦0.1.

摘要翻译： 提供一种用于荧光显示器的荧光体，其包括至少一种二价过渡金属和添加到SrTiO 3中的至少两种三价金属，并具有下式：其中M表示选自Zn，Mn，Co， Ni，Cu和Cd，N表示选自Ga，Al，In和B的三价金属，0表示0 <= x <= 0.1,0 <= y <= 0.1，0 <= z <= 0.1。

公开(公告)号：US08409935B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13590768

申请日：2012-08-21

申请人： Min Ki Ryu ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Min Ki Ryu ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

摘要： A method of manufacturing a transparent transistor including a substrate, source and drain electrodes formed on the substrate, each having a multi-layered structure of a lower transparent layer, a metal layer and an upper transparent layer, a channel formed between the source and drain electrodes, and a gate electrode aligned with the channel. The lower transparent layer or the upper transparent layer is formed of a transparent semiconductor layer, which is the same as the channel.

摘要翻译： 一种制造透明晶体管的方法，所述透明晶体管包括形成在所述基板上的基板，源极和漏极，每个具有下透明层，金属层和上透明层的多层结构，在所述源极和漏极之间形成的沟道 电极和与通道对准的栅电极。 下透明层或上透明层由与通道相同的透明半导体层形成。

公开(公告)号：US08404532B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12782303

申请日：2010-05-18

申请人： Jae Bon Koo ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jae Bon Koo ,  Jong-Hyun Ahn ,  Seung Youl Kang ,  Hasan Musarrat ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

摘要： Provided are a transferred thin film transistor and a method of manufacturing the same. The method includes: forming a source region and a drain region that extend in a first direction in a first substrate and a channel region between the source region and the drain region; forming trenches that extend in a second direction in the first substrate to define an active layer between the trenches, the second direction intersecting the first direction; separating the active layer between the trenches from the first substrate by performing an anisotropic etching process on the first substrate inside the trenches; attaching the active layer on a second substrate; and forming a gate electrode in the first direction on the channel region of the active layer.

摘要翻译： 提供了一种转移的薄膜晶体管及其制造方法。 该方法包括：形成在第一衬底中沿第一方向延伸的源极区域和漏极区域以及源极区域和漏极区域之间的沟道区域; 形成在所述第一衬底中沿第二方向延伸的沟槽，以在所述沟槽之间限定有源层，所述第二方向与所述第一方向相交; 通过在所述沟槽内的所述第一衬底上进行各向异性蚀刻工艺，从所述第一衬底分离所述沟槽之间的有源层; 将活性层附着在第二基底上; 以及在有源层的沟道区上沿第一方向形成栅电极。

公开(公告)号：US08119463B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12507725

申请日：2009-07-22

申请人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Seongdeok Ahn ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

摘要： Provided is a method of manufacturing a thin film transistor that can improve self-alignment. In this method, a semiconductor layer comprising a first doped region, a second doped region and a channel region is formed on a sacrificial layer on a first substrate. Next, the semiconductor layer is separated from the first substrate and is then coupled on a second substrate. Next, a dielectric layer is formed on the second substrate and the semiconductor layer, and a first photoresist layer is formed on the dielectric layer. Thereafter, the first photoresist layer is exposed to light from a rear surface of the second substrate by using the first doped region and the second doped region as a mask, to form a first mask pattern. Next, a gate electrode overlapping the channel region is formed on the dielectric layer by using the first mask pattern as a mask, and a source electrode and a drain electrode connected to the first doped region and the second doped region, respectively are formed to complete a thin film transistor.

摘要翻译： 提供了一种可以改善自对准的薄膜晶体管的制造方法。 在该方法中，在第一衬底上的牺牲层上形成包括第一掺杂区域，第二掺杂区域和沟道区域的半导体层。 接下来，半导体层与第一衬底分离，然后耦合在第二衬底上。 接下来，在第二基板和半导体层上形成电介质层，在电介质层上形成第一光致抗蚀剂层。 此后，通过使用第一掺杂区域和第二掺杂区域作为掩模，将第一光致抗蚀剂层从第二基板的后表面曝光，以形成第一掩模图案。 接下来，通过使用第一掩模图案作为掩模在介电层上形成与沟道区重叠的栅电极，分别形成连接到第一掺杂区和第二掺杂区的源电极和漏极，以完成 薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20100243994A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12555986

申请日：2009-09-09

申请人： Sung Min Yoon ,  Shin Hyuk Yang ,  Soon Woon Jung ,  Seung Youl Kang ,  Doo Hee Cho ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Byoung Gon Yu ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Sung Min Yoon ,  Shin Hyuk Yang ,  Soon Woon Jung ,  Seung Youl Kang ,  Doo Hee Cho ,  Chun Won Byun ,  Chi Sun Hwang ,  Byoung Gon Yu ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L51/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L21/28291 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7869

摘要： Provided are a transparent nonvolatile memory thin film transistor (TFT) and a method of manufacturing the same. The memory TFT includes source and drain electrodes disposed on a transparent substrate. A transparent semiconductor thin layer is disposed on the source and drain electrodes and the transparent substrate interposed between the source and drain electrodes. An organic ferroelectric thin layer is disposed on the transparent semiconductor thin layer. A gate electrode is disposed on the organic ferroelectric thin layer in alignment with the transparent semiconductor thin layer. Thus, the transparent nonvolatile memory TFT employs the organic ferroelectric thin layer, the oxide semiconductor thin layer, and auxiliary insulating layers disposed above and below the organic ferroelectric thin layer, thereby enabling low-cost manufacture of a transparent nonvolatile memory device capable of a low-temperature process.

摘要翻译： 提供了一种透明非易失性存储器薄膜晶体管（TFT）及其制造方法。 存储TFT包括设置在透明基板上的源极和漏极。 透明半导体薄层设置在源电极和漏电极之间，并且透明基板设置在源极和漏极之间。 有机铁电薄层设置在透明半导体薄层上。 栅电极与透明半导体薄层对准地设置在有机铁电薄层上。 因此，透明非易失性存储器TFT采用有机铁电薄层，氧化物半导体薄层和设置在有机铁电薄层之上和之下的辅助绝缘层，从而能够低成本地制造能够低的透明非易失性存储器件 温度过程。

公开(公告)号：US20100237374A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12727632

申请日：2010-03-19

申请人： Hye Yong CHU ,  Jeong Ik Lee ,  Jong Hee Lee ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Hye Yong CHU ,  Jeong Ik Lee ,  Jong Hee Lee ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L27/3227 ,  H01L27/288 ,  H01L31/056 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5361 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/52

摘要： Provided is a transparent organic light emitting diode (OLED) lighting device in which opaque metal reflectors are formed to adjust light emitting directions. The transparent OLED lighting device includes a transparent substrate, a transparent anode formed on a predetermined region of the transparent substrate, a reflective anode formed adjacent to the transparent anode on another region of the transparent substrate, an organic layer formed on the transparent and reflective anodes, and a transparent cathode and an encapsulation substrate sequentially stacked on the organic layer. Directions of light emitted from the organic layer vary depending on the current applied to the transparent and reflective anodes.

摘要翻译： 提供了一种透明有机发光二极管（OLED）照明装置，其中形成不透明金属反射器以调节发光方向。 透明OLED照明装置包括透明基板，形成在透明基板的预定区域上的透明阳极，在透明基板的另一区域上与透明阳极相邻形成的反射阳极，形成在透明和反射阳极上的有机层 以及依次层叠在有机层上的透明阴极和封装基板。 从有机层发射的光的方向根据施加到透明和反射阳极的电流而变化。

公开(公告)号：US20100144088A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12631206

申请日：2009-12-04

申请人： Jiyoung Oh ,  Jonghyurk Park ,  Seung Youl Kang ,  Chul Am Kim ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Jiyoung Oh ,  Jonghyurk Park ,  Seung Youl Kang ,  Chul Am Kim ,  In-Kyu You ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01L21/328 ,  C01G9/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  H01L29/66969

摘要： Provided is a method for forming a metal oxide. A method for forming a metal oxide according to embodiments of the present invention includes preparing a metal oxide precursor solution including a dopant chemical species, preparing an alcohol-based solution including a basic chemical species, reacting the alcohol-based solution with the metal oxide precursor solution to form a reactant, and purifying the reactant to form a metal oxide.

摘要翻译： 提供了形成金属氧化物的方法。 根据本发明实施方案的形成金属氧化物的方法包括制备包括掺杂剂化学物质的金属氧化物前体溶液，制备包含碱性化学物质的醇基溶液，使醇类溶液与金属氧化物前体反应 溶液以形成反应物，并纯化反应物以形成金属氧化物。

公开(公告)号：US07659799B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11588176

申请日：2006-10-25

申请人： Dong Suk Jun ,  Kyoung Ik Cho ,  Hong Yeol Lee ,  Dong Young Kim ,  Sang Seok Lee

发明人： Dong Suk Jun ,  Kyoung Ik Cho ,  Hong Yeol Lee ,  Dong Young Kim ,  Sang Seok Lee

IPC分类号： H01P1/208

CPC分类号： H01P1/2088

摘要： Provided is a dielectric waveguide filter. The filter includes: a multi-layered structure of dielectric substrates having first and second ground planes at its top and bottom; first, second, and third waveguide resonators disposed at multiple layers within the multi-layered structure; converters for signal transition between input/output ports and the first and third waveguide resonators; first vias for forming the first, second, and third waveguide resonators; and second vias disposed at a boundary surface of the first waveguide resonator and the third waveguide resonator.

摘要翻译： 提供了一种电介质波导滤波器。 该滤波器包括：绝缘基片的多层结构，其顶部和底部具有第一和第二接地平面; 设置在多层结构内的多层的第一，第二和第三波导谐振器; 转换器，用于输入/输出端口与第一和第三波导谐振器之间的信号转换; 用于形成第一，第二和第三波导谐振器的第一通孔; 以及设置在第一波导谐振器和第三波导谐振器的边界面处的第二通孔。

公开(公告)号：US20100006837A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12496558

申请日：2009-07-01

申请人： Doo Hee Cho ,  Sang Hee Park ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Eun Suk Park ,  Oh Sang Kwon ,  Min Ki Ryu ,  Jae Heon Shin ,  Woo Seok Cheong ,  Sung Mook Chung ,  Jeong Ik Lee

发明人： Doo Hee Cho ,  Sang Hee Park ,  Chi Sun Hwang ,  Hye Yong Chu ,  Kyoung Ik Cho ,  Shin Hyuk Yang ,  Chun Won Byun ,  Eun Suk Park ,  Oh Sang Kwon ,  Min Ki Ryu ,  Jae Heon Shin ,  Woo Seok Cheong ,  Sung Mook Chung ,  Jeong Ik Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01B1/08

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  H01L29/247

摘要： Provided are a composition for an oxide semiconductor thin film, a field effect transistor using the same and a method of fabricating the field effect transistor. The composition includes an aluminum oxide, a zinc oxide, an indium oxide and a tin oxide. The thin film formed of the composition is in amorphous phase. The field effect transistor having an active layer formed of the composition can have an improved electrical characteristic and be fabricated by a low temperature process.

摘要翻译： 提供了一种用于氧化物半导体薄膜的组合物，使用该组合物的场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。 该组合物包括氧化铝，氧化锌，氧化铟和氧化锡。 由组合物形成的薄膜是非晶相。 具有由组合物形成的有源层的场效应晶体管可以具有改进的电特性并通过低温工艺制造。