公开(公告)号：US20100244041A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12574995

申请日：2009-10-07

申请人： Toshiyuki OISHI ,  Yoshitsugu Yamamoto ,  Hiroshi Otsuka ,  Koji Yamanaka ,  Akira Inoue

发明人： Toshiyuki OISHI ,  Yoshitsugu Yamamoto ,  Hiroshi Otsuka ,  Koji Yamanaka ,  Akira Inoue

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

摘要： An isolation layer for suppressing a leakage current is provided at least between a channel layer and a buffer layer formed under the channel layer in the buffer layer.

摘要翻译： 至少在沟道层和形成在缓冲层中的沟道层下方的缓冲层之间提供用于抑制泄漏电流的隔离层。

公开(公告)号：US20070026594A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11486271

申请日：2006-07-14

申请人： Hideo Takeuchi ,  Yoshitsugu Yamamoto

发明人： Hideo Takeuchi ,  Yoshitsugu Yamamoto

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： G01N21/31

摘要： A method for evaluating semiconductor layers includes irradiating semiconductor layers on a substrate with light; measuring an optical spectrum peculiar to excitons in the semiconductor layers; and analyzing a broadening factor of optical spectral features of the optical spectrum. The method provides a quick measurement of a surface state of the semiconductor layers with high accuracy.

摘要翻译： 一种用于评估半导体层的方法包括用光照射在衬底上的半导体层; 测量半导体层中激子特有的光谱; 并分析光谱的光谱特征的拓宽因子。 该方法以高精度快速测量半导体层的表面状态。

公开(公告)号：US06819119B2

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US10347412

申请日：2003-01-21

申请人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Satoshi Suzuki ,  Ryo Hattori

发明人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Satoshi Suzuki ,  Ryo Hattori

IPC分类号： G01R2728

CPC分类号： G01R31/2608

摘要： In a method for evaluating a crystalline semiconductor substrate which includes a collector layer, a base layer, and an emitter layer and is used for a heterojunction bipolar transistor, a layer is provided having the same composition as the base layer. The semiconductor substrate is irradiated with excitation light and change with time in intensity of photoluminescence from the layer is measured before the intensity becomes saturated. The change with time in current gain of the heterojunction bipolar transistor produced using the semiconductor substrate is determined from the change with time in the intensity.

摘要翻译： 在用于评价包括集电极层，基极层和发射极层并且用于异质结双极晶体管的晶体半导体衬底的方法中，提供具有与基底层相同的组成的层。 用激发光照射半导体衬底，并且在强度变得饱和之前测量来自层的光致发光强度随时间的变化。 使用半导体衬底产生的异质结双极晶体管的电流增益随时间的变化由强度随时间的变化确定。

公开(公告)号：US6043520A

公开(公告)日：2000-03-28

申请号：US156652

申请日：1998-09-18

申请人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Ryo Hattori

发明人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Ryo Hattori

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/205 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/7304

摘要： A hetero-junction bipolar transistor having high reliability wherein a ballast resistance is exactly controlled and deterioration in current stability is eliminated. A GaAs ballast resistor layer is provided in a hetero-junction bipolar transistor having a GaAs emitter layer, an InGaP spacer layer, and a GaAs base layer, preventing a notch from being formed in the conduction band at the interface of the emitter layer and the ballast resistor layer, exactly controlling the ballast resistance. The AlGaAs layer is prevented from trapping impurities and the current stability is prevented from deteriorating.

摘要翻译： 具有高可靠性的异质结双极晶体管，其中镇流电阻被精确控制，并且消除了电流稳定性的劣化。 在具有GaAs发射极层，InGaP间隔层和GaAs基极层的异质结双极晶体管中提供GaAs镇流电阻层，防止在发射极层和 镇流电阻层，精确控制镇流电阻。 防止AlGaAs层捕获杂质，防止电流稳定性恶化。

公开(公告)号：US5874753A

公开(公告)日：1999-02-23

申请号：US827059

申请日：1997-03-26

申请人： Norio Hayafuji ,  Yoshitsugu Yamamoto

发明人： Norio Hayafuji ,  Yoshitsugu Yamamoto

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335 ,  H01L21/338 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/7783

摘要： In a field effect transistor including active layers having a heterojunction structure with at least two different semiconductor materials, a layer for supplying electrons is disposed opposite a drain electrode, in contact with a region of the active layers including a dopant impurity producing n type conductivity. Therefore, degradation of the electrical characteristics caused by trapping of electrons in a drain ohmic contact layer due to fluorine diffusing into the semiconductor layers is suppressed by supplying electrons from the layer opposite the drain electrode, thereby improving reliability of the field effect transistor including the heterojunction structure.

摘要翻译： 在包括具有至少两种不同半导体材料的异质结结构的有源层的场效应晶体管中，用于提供电子的层与漏极相对地设置，与包括产生n型导电性的掺杂剂杂质的有源层的区域相接触。 因此，通过从与漏电极相对的层提供电子来抑制由于氟扩散到半导体层而在漏极欧姆接触层中捕获电子引起的电特性的劣化，从而提高包括异质结的场效应晶体管的可靠性 结构体。

公开(公告)号：US5811843A

公开(公告)日：1998-09-22

申请号：US805363

申请日：1997-02-24

申请人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Norio Hayafuji

发明人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Norio Hayafuji

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7783

摘要： A field effect transistor includes a semi-insulating III-V compound semiconductor substrate; a channel layer disposed on the substrate; an n type electron supply layer disposed on the channel layer and comprising a mixed crystalline compound semiconductor layer including AlAs; an n type ohmic contact layer disposed on the electron supply layer; source and drain electrodes disposed on the ohmic contact layer; an opening in a region between the source and drain electrodes penetrating the ohmic contact layer; a gate electrode disposed in the opening and making a Schotty contact; and a surface protection film of a semiconductor material free of Al, In, and As, covering the opening except where the gate electrode is present. Fluorine is prevented from getting into the electron supply layer with no increase in transconductance or source resistance by providing a layer between the source and a channel, and between the gate and the channel.

摘要翻译： 场效应晶体管包括半绝缘III-V化合物半导体衬底; 设置在所述基板上的沟道层; n型电子供给层，其设置在所述沟道层上，并且包括含有AlAs的混合晶体化合物半导体层; 设置在电子供给层上的n型欧姆接触层; 源极和漏极设置在欧姆接触层上; 在源极和漏极之间穿过欧姆接触层的区域中的开口; 设置在开口中并形成Schotty接触的栅电极; 以及不含有Al，In和As的半导体材料的表面保护膜，覆盖除了存在栅极之外的开口。 通过在源极和通道之间以及栅极和沟道之间提供一层，防止氟通过跨导或源极电阻的增加而进入电子供给层。

公开(公告)号：US08247844B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12574995

申请日：2009-10-07

申请人： Toshiyuki Oishi ,  Yoshitsugu Yamamoto ,  Hiroshi Otsuka ,  Koji Yamanaka ,  Akira Inoue

发明人： Toshiyuki Oishi ,  Yoshitsugu Yamamoto ,  Hiroshi Otsuka ,  Koji Yamanaka ,  Akira Inoue

IPC分类号： H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

摘要： An isolation layer for suppressing a leakage current is provided at least between a channel layer and a buffer layer formed under the channel layer in the buffer layer.

摘要翻译： 至少在沟道层和形成在缓冲层中的沟道层下方的缓冲层之间提供用于抑制泄漏电流的隔离层。

公开(公告)号：US20060237747A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11392572

申请日：2006-03-30

申请人： Satoshi Suzuki ,  Yoshitsugu Yamamoto ,  Nobuyuki Ogawa

发明人： Satoshi Suzuki ,  Yoshitsugu Yamamoto ,  Nobuyuki Ogawa

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/0821

摘要： An N-type collector layer is partially formed on an N+-type collector contact layer. The N-type collector layer includes a second N-type collector layer that is partially formed on the N+-type collector contact layer and relatively hard to deplete, and a first N-type collector layer that is formed on the whole surface of the second N-type collector layer and depleted relatively easily. A P+-type base layer including a high concentration P-type impurity is formed on the whole surface of the first N-type collector layer.

摘要翻译： N型集电极层部分地形成在N + +型集电极接触层上。 N型集电极层包括部分地形成在N +型集电极接触层上并且相对难消耗的第二N型集电极层，第一N型集电极层是 形成在第二N型集电极层的整个表面上并相对容易地耗尽。 在第一N型集电体层的整个表面上形成包含高浓度P型杂质的P + + +型基层。

公开(公告)号：US20050099623A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10642184

申请日：2003-08-18

申请人： Hideo Takeuchi ,  Yoshitsugu Yamamoto

发明人： Hideo Takeuchi ,  Yoshitsugu Yamamoto

IPC分类号： G01B11/06 ,  G01J1/42 ,  G01J3/433 ,  G01N21/00 ,  G01N21/27 ,  G01N21/47 ,  G01N21/64 ,  H01L21/66 ,  G01J3/30

CPC分类号： G01J3/4338 ,  G01J2001/4242 ,  G01N21/47 ,  G01N21/6489 ,  G01N2021/4735

摘要： In a measuring apparatus for a semiconductor multiple layer structure, a spectrometer disperses light from a sample for measurement of the photoluminescence spectrum or disperses probe light to irradiate the sample for the measurement of the reflection spectrum. A controller makes a guide member guide the white light to the spectrometer and acquire electric signals from a first detector for the measurement of the reflection spectrum, and makes the guide member guide the light from the spectrometer to a second detector to acquire electric signals for the measurement of the photoluminescence spectrum.

摘要翻译： 在半导体多层结构的测量装置中，光谱仪从用于测量光致发光光谱的样品中分散光，或者分散探针光以照射样品用于测量反射光谱。 控制器使引导构件将白光引导到光谱仪，并从第一检测器获取用于测量反射光谱的电信号，并且使引导构件将来自光谱仪的光引导到第二检测器，以获取电信号 测量光致发光光谱。

公开(公告)号：US5729030A

公开(公告)日：1998-03-17

申请号：US653245

申请日：1996-05-24

申请人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Norio Hayafuji

发明人： Yoshitsugu Yamamoto ,  Norio Hayafuji

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01S5/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7783 ,  H01S5/323 ,  H01S5/34 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/223 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32308 ,  H01S5/32333 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/3432

摘要： A semiconductor device includes an InP substrate; a channel layer in which electrons, as charge carriers, travel; and an Al.sub.x1 Ga.sub.1-x1 As.sub.y1 P.sub.z1 Sb.sub.1-y1-z1 (0.ltoreq.x1.ltoreq.1, 0.ltoreq.y1

摘要翻译： 半导体器件包括InP衬底; 电子作为电荷载流子的沟道层; 以及用于向沟道层提供电子的Al x Ga 1-x As y 1 P z 1 Sb 1-y 1-z 1（0 <= = 1，...，0 ）电子供应层。 电子供给层的电子亲和力小于沟道层的电子亲和力，并且掺杂有产生n型导电性的掺杂剂杂质。 由于n型AlGaAsPSb是热稳定的，因此在350℃左右的热处理不会改变其电特性，导致热稳定性和高可靠性的HEMT，其特性在制造和操作期间几乎不随时间变化。 此外，在设计器件时，容易产生包括电子供给层和沟道层并且具有期望的能带结构的异质结构。