公开(公告)号：US20110209548A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12939471

申请日：2010-11-04

申请人： Holm Geisler ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister ,  Michael Grillberger

发明人： Holm Geisler ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister ,  Michael Grillberger

IPC分类号： G01N29/04 ,  G01N3/00 ,  G01N23/00

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： The metallization system of complex semiconductor devices may be evaluated in terms of mechanical integrity on the basis of a measurement system and measurement procedures in which individual contact elements, such as metal pillars or solder bumps, are mechanically stimulated, while the response of the metallization system, for instance in the form of directly measured forces, is determined in order to quantitatively evaluate mechanical status of the metallization system. In this manner, the complex material systems and the mutual interactions thereof may be efficiently assessed.

摘要翻译： 复合半导体器件的金属化系统可以基于测量系统和测量程序在机械完整性方面进行评估，其中单个接触元件例如金属柱或焊料凸块被机械刺激，同时金属化系统的响应 确定例如以直接测量的力的形式，以定量地评估金属化系统的机械状态。 以这种方式，可以有效地评估复杂材料体系及其相互作用。

公开(公告)号：US07982313B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US12507348

申请日：2009-07-22

申请人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr

发明人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L23/053 ,  H01L23/12 ,  H01L27/10 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00014

摘要： By dividing a single chip area into individual sub-areas, a thermally induced stress in each of the sub-areas may be reduced during operation of complex integrated circuits, thereby enhancing the overall reliability of complex metallization systems comprising low-k dielectric materials or ULK material. Consequently, a high number of stacked metallization layers in combination with increased lateral dimensions of the semiconductor chip may be used compared to conventional strategies.

摘要翻译： 通过将单个芯片区域划分成单个子区域，在复杂集成电路的操作期间，可以减少每个子区域中的热诱导应力，从而增强包括低k电介质材料或ULK的复杂金属化系统的整体可靠性 材料。 因此，与常规策略相比，可以使用大量堆叠的金属化层与半导体芯片的增加的横向尺寸的组合。

公开(公告)号：US20090294921A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12401887

申请日：2009-03-11

申请人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr

发明人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76835

摘要： A dielectric cap layer of a sophisticated metallization system may be provided in a locally restricted manner so as to enable direct contact of the dielectric material of one metallization layer with a low-k dielectric material of a subsequent metallization layer, which may thus provide enhanced adhesion and overall mechanical integrity.

摘要翻译： 可以以局部限制的方式提供复杂的金属化系统的电介质盖层，以便能够使一个金属化层的电介质材料与随后的金属化层的低k电介质材料直接接触，从而可以提供增强的附着力 和整体机械完整性。

公开(公告)号：US08598714B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US12970553

申请日：2010-12-16

申请人： Torsten Huisinga ,  Michael Grillberger ,  Jens Hahn

发明人： Torsten Huisinga ,  Michael Grillberger ,  Jens Hahn

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device, through hole vias or through silicon vias (TSV) may be formed so as to include an efficient stress relaxation mechanism, for instance provided on the basis of a stress relaxation layer, in order to reduce or compensate for stress forces caused by a pronounced change in volume of the conductive fill materials of the through hole vias. In this manner, the high risk of creating cracks and delamination events in conventional semiconductor devices may be significantly reduced.

摘要翻译： 在半导体器件中，可以形成通孔过孔或通过硅通孔（TSV），以便包括例如基于应力松弛层提供的有效的应力松弛机构，以便减少或补偿所引起的应力 通过通孔过孔的导电填充材料的体积显着变化。 以这种方式，可以显着降低在常规半导体器件中产生裂纹和分层事件的高风险。

公开(公告)号：US20120051392A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13187203

申请日：2011-07-20

申请人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister ,  Steffen Koch

发明人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister ,  Steffen Koch

IPC分类号： G01N3/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L22/12 ,  H01L23/345 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device or test structure, appropriate heating elements, for instance in the form of resistive structures, are implemented so as to obtain superior area coverage, thereby enabling a precise evaluation of the thermal conditions within a complex semiconductor device. In particular, the device internal heating elements may allow the evaluation of hot spots and the response of a complex metallization system to specific temperature profiles, in particular at critical areas, such as edge regions in which mechanical stress forces are typically highest in contact regimes in which the package substrate and the metallization system are directly connected.

摘要翻译： 在半导体器件或测试结构中，实施适当的加热元件，例如以电阻结构的形式，以获得优异的面积覆盖，从而能够对复杂半导体器件内的热条件进行精确评估。 特别地，设备内部加热元件可以允许评估热点和复杂金属化系统对特定温度分布的响应，特别是在关键区域，例如边界区域，其中机械应力通常在接触方式中最高 封装衬底和金属化系统直接连接。

公开(公告)号：US20110291299A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12964448

申请日：2010-12-09

申请人： Dmytro Chumakov ,  Michael Grillberger ,  Heike Berthold ,  Katrin Reiche

发明人： Dmytro Chumakov ,  Michael Grillberger ,  Heike Berthold ,  Katrin Reiche

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A stress compensation region that may be appropriately positioned on a package substrate may compensate for or at least significantly reduce the thermally induced mechanical stress in a sensitive metallization system of a semiconductor die, in particular during the critical reflow process. For example, a stressor ring may be formed so as to laterally surround the chip receiving portion of the package substrate, wherein the stressor ring may efficiently compensate for the thermally induced deformation in the chip receiving portion.

摘要翻译： 可以适当地定位在封装衬底上的应力补偿区域可以补偿或至少显着地降低半导体管芯的敏感金属化系统中的热致机械应力，特别是在临界回流工艺期间。 例如，应力环可以形成为横向围绕封装衬底的芯片接收部分，其中应力环可以有效地补偿芯片接收部分中的热诱导变形。

公开(公告)号：US20100109005A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12561362

申请日：2009-09-17

申请人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr

发明人： Michael Grillberger ,  Matthias Lehr

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/34

摘要： In a semiconductor device, electrical measurement data may be obtained with enhanced spatial resolution, for instance from within the entire die region, by providing a distributed sensor structure, each of which may be individually accessed by an appropriate interconnect structure, while nevertheless maintaining the required number of terminals and test signals at a low level.

摘要翻译： 在半导体器件中，通过提供分布式传感器结构，可以通过适当的互连结构单独地访问每个都可以通过增强的空间分辨率（例如从整个管芯区域内）获得电测量数据，同时保持所需的 终端数量和测试信号处于低电平。