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    Metal to ILD adhesion improvement by reactive sputtering
    21.
    发明授权
    Metal to ILD adhesion improvement by reactive sputtering 有权
    金属与ILD粘附改善反应溅射

    公开(公告)号：US06746727B1

    公开(公告)日：2004-06-08

    申请号：US09139286

    申请日：1998-08-24

    申请人： Jick Yu ,  Chi Hing Choi

    发明人： Jick Yu ,  Chi Hing Choi

    IPC分类号： H05H124

    CPC分类号： C23C16/0245 ,  C23C14/022 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388

    摘要： A method is described involving depositing a dielectric layer. The surface of the dielectric layer is modified to prevent outdiffusion from the dielectric layer. A metal layer is deposited above the modified surface of the dielectric layer.

    摘要翻译： 描述了沉积介电层的方法。 电介质层的表面被修改以防止从电介质层的扩散。 金属层沉积在电介质层的改性表面上方。

    APPARATUS FOR INTEGRATION OF BARRIER LAYER AND SEED LAYER
    23.
    发明申请
    APPARATUS FOR INTEGRATION OF BARRIER LAYER AND SEED LAYER 有权
    用于整合障碍层和种植层的装置

    公开(公告)号：US20070283886A1

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：US11749064

    申请日：2007-05-15

    申请人： HUA CHUNG ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    发明人： HUA CHUNG ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/903 ,  H01L2924/00

    摘要： A system for processing a substrate is provided which includes at least one atomic layer deposition (ALD) chamber for depositing a barrier layer containing tantalum and at least one physical vapor deposition (PVD) metal seed chamber for depositing a metal seed layer on the barrier layer. The at least one ALD chamber may be in fluid communication with a first precursor source providing a tantalum-containing compound and a second precursor source. In one example, the tantalum-containing compound is an organometallic tantalum precursor, such as PDMAT. In another example, the second precursor source contains a nitrogen precursor, such as ammonia. The PDMAT may have a chlorine concentration of about 100 ppm or less, preferably, about 30 ppm or less, and more preferably, about 5 ppm or less. In some examples, the PVD metal seed chamber is used to deposit a copper-containing metal seed layer.

    摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的系统，其包括用于沉积包含钽的阻挡层的至少一个原子层沉积（ALD）室和用于在阻挡层上沉积金属籽晶层的至少一个物理气相沉积（PVD）金属种子室 。 所述至少一个ALD室可以与提供含钽化合物和第二前体源的第一前体源流体连通。 在一个实例中，含钽化合物是有机金属钽前体，例如PDMAT。 在另一个实例中，第二前体源含有氮前体，例如氨。 PDMAT的氯浓度可以为约100ppm以下，优选为约30ppm以下，更优选为约5ppm以下。 在一些实例中，PVD金属种子室用于沉积含铜金属种子层。