公开(公告)号：US5668395A

公开(公告)日：1997-09-16

申请号：US680277

申请日：1996-07-11

申请人： Manijeh Razeghi

发明人： Manijeh Razeghi

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/1852 ,  Y02E10/544

摘要： An intermetallic compound semiconductor thin film comprises thin film made of either InSb or GaAs heterostructure on a silicon substrate. Preferably, the thin film is grown by a Molecular Beam Epitaxy method.

摘要翻译： 金属间化合物半导体薄膜包括由硅衬底上的InSb或GaAs异质结构构成的薄膜。 优选地，通过分子束外延法生长薄膜。

公开(公告)号：US5462008A

公开(公告)日：1995-10-31

申请号：US354225

申请日：1994-12-12

申请人： Manijeh Razeghi

发明人： Manijeh Razeghi

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/30 ,  H01B1/02 ,  H01L31/1844 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/32391 ,  Y02E10/544

摘要： Semiconductor films of the formula (InP).sub.1-x (TlP.sub.3).sub.x on InP substrates which cover the bandgap of 2-12 .mu.m for use with long wavelength infrared detector and laser applications are disclosed.

公开(公告)号：US4901321A

公开(公告)日：1990-02-13

申请号：US31954

申请日：1987-03-30

申请人： Robert Blondeau ,  Yannic Bourdin ,  Beaudoin de Cremoux ,  Michel Papuchon ,  Michel Krakowsky ,  Alain Bensoussan ,  Manijeh Razeghi ,  Francoise Lozes

发明人： Robert Blondeau ,  Yannic Bourdin ,  Beaudoin de Cremoux ,  Michel Papuchon ,  Michel Krakowsky ,  Alain Bensoussan ,  Manijeh Razeghi ,  Francoise Lozes

IPC分类号： G02B6/122 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/06 ,  H01S5/20 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S5/34

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02B6/122 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/20 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/32391

摘要： The invention concerns an optical guiding structure comprising, between two optical confinement layers, an optical guiding layer and an optical guiding element separated from each other by a layer for stopping chemical attack, to obtain by epitaxy methods and by chemical attack, a guiding element of which it is possible to precisely calibrate the thickness obtain surfaces of excellent quality and perform cutting out with sharpness, the invention being applicable to producing lasers and optical phase modulators.

摘要翻译： 本发明涉及一种光引导结构，其包括在两个光限制层之间，通过用于停止化学侵蚀的层彼此分离的光引导层和光引导元件，通过外延方法和化学侵蚀获得引导元件 可以精确地校准获得优异质量的表面并且以清晰度进行切割的厚度，本发明可应用于制造激光器和光学相位调制器。

公开(公告)号：US4849842A

公开(公告)日：1989-07-18

申请号：US37195

申请日：1987-04-10

申请人： Paul L. Meunier ,  Manijeh Razeghi ,  Jean L. Rolland

发明人： Paul L. Meunier ,  Manijeh Razeghi ,  Jean L. Rolland

IPC分类号： G11B5/187 ,  G11B5/255 ,  G11B5/31 ,  G11B5/40

CPC分类号： G11B5/40 ,  G11B5/255 ,  G11B5/3163 ,  Y10S428/90 ,  Y10T29/49041

摘要： The invention pertains to a method for the manufacture of a magnetic head, and a magnetic head in which this method is applied, a method which, after the head is manufactured, provides for a stage for making a mechanically shielding layer of a material such that the bonding coefficient is high, i.e. such that the chemical valencies with respect to the material forming the head is close to one.The invention can be applied in particular, to the manufacture of magnetic heads in thin layers for reading/writing on magnetic tapes.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造磁头的方法和应用该方法的磁头，一种在制造头部之后提供用于制造材料的机械屏蔽层的阶段的方法，使得 接合系数高，即相对于形成头部的材料的化学价态接近于1。 本发明可以特别地应用于在磁带上读/写薄层的磁头的制造。

公开(公告)号：US4827218A

公开(公告)日：1989-05-02

申请号：US145720

申请日：1988-01-15

申请人： Paul L. Meunier ,  Ernst Huijer ,  Manijeh Razeghi ,  Jean C. Lehureau

发明人： Paul L. Meunier ,  Ernst Huijer ,  Manijeh Razeghi ,  Jean C. Lehureau

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/00 ,  G11B5/39 ,  G11B5/49 ,  G11C19/08 ,  H01L43/08 ,  G01R33/06 ,  G06K7/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3993 ,  G11B5/4946 ,  G11B5/4969 ,  G11B5/4976 ,  G11C19/0866 ,  H01L43/08 ,  G11B2005/0032

摘要： A magnetoresistance-effect sensor for use in a magnetic domain detector for reading data recorded on magnetic tapes or in magnetic bubble memories mainly consists of a layer of semiconductor material which carries a layer of ferrimagnetic material on one face and at least one pair of electrodes disposed along an axis OX on the other face, the layer of ferrimagnetic material being placed in proximity to the magnetic data carrier. A magnetic data item thus induces a magnetic field in the layer of semiconductor material in a direction OY perpendicular to the axis OX of the pair of electrodes.

摘要翻译： 用于读取记录在磁带或磁性气泡存储器中的数据的磁畴检测器中使用的磁阻效应传感器主要由一层半导体材料构成，该半导体材料层在一个表面上承载一层铁磁材料，并且至少一对电极设置在 沿着另一面上的轴线OX，铁磁材料层被放置在磁数据载体附近。 因此，磁数据项在垂直于该对电极的轴线OX的方向OY上引起半导体材料层中的磁场。

公开(公告)号：US4823083A

公开(公告)日：1989-04-18

申请号：US93828

申请日：1987-09-04

申请人： Paul-Louis Meunier ,  Gerard Doriath ,  Manijeh Razeghi

发明人： Paul-Louis Meunier ,  Gerard Doriath ,  Manijeh Razeghi

IPC分类号： G01R33/032 ,  G01R33/022 ,  G02F1/09

CPC分类号： G01R33/0322

摘要： A magnetic field measuring head comprises the following elements integrated into one and the same substrate: a light source, a light guide insensitive to the magnetic field, a layer of magnetic material which, when plunged into a magnetic field to be measured, causes the rotation of the plane of polarization of the light coming from the source, and a device to measure the rotation of the plane of polarization of the light.

摘要翻译： 磁场测量头包括集成到同一衬底中的以下元件：光源，对磁场不敏感的光导，当被插入待测量的磁场中时，磁性材料层引起旋转 来自光源的光的偏振面，以及测量光的偏振面的旋转的装置。

公开(公告)号：US20090224228A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12042804

申请日：2008-03-05

申请人： Manijeh Razeghi

发明人： Manijeh Razeghi

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/109

摘要： An improved photodiode and method of producing an improved photodiode comprising doping an InAs layer of an InAs/GaSb region situated on top of an InAs/GaSb:Be superlattice and below an InAs:Si/GaSb regions such that the quantum efficiency of the photodiode increases and dominant dark current mechanisms change from diffusion to band-to-band tunneling as the InAs layer is doped with Beryllium.

摘要翻译： 改进的光电二极管和制造改进的光电二极管的方法包括掺杂位于InAs / GaSb：Be超晶格顶部并且低于InAs：Si / GaSb区域的InAs / GaSb区域的InAs层，使得光电二极管的量子效率增加 并且当InAs层掺杂有铍时，显性暗电流机制从扩散转变为带 - 带隧穿。

公开(公告)号：US20090224227A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12043205

申请日：2008-03-06

申请人： Manijeh Razeghi

发明人： Manijeh Razeghi

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/109

摘要： A type-II InAs/GaSb superlattice photodiode for optimizing quantum efficiency without reducing the differential resistance area product at zero bias. The photodiode features a GaSb: Be buffer, a In/GaSb: Be superlattice, a p-type doped π region, a InAs: Si/GaSb doped region, and a InAs: Si doped contact layer. The In/GaSb: Be superlattice and InAs: Si/GaSb doped region each having a thickness about two times greater than the thickness of the GaSb: Be buffer. The photodiode in one embodiment featuring a composition of InAs and GaSb with InSb forced interfaces, the composition suitable for being grown on GaSb wafers with a molecular beam epitaxy reactor. A method of optimizing quantum efficiency in a type-II InAs/GaSb superlattice photodiode having a 100% cutoff wavelength around 12 μm is further provided herewith.

摘要翻译： 一种II型InAs / GaSb超晶格光栅，用于优化量子效率，而不会在零偏压下降低差分电阻面积。 光电二极管具有GaSb：Be缓冲器，In / GaSb：Be超晶格，p型掺杂pi区，InAs：Si / GaSb掺杂区和InAs：Si掺杂接触层。 In / GaSb：Be超晶格和InAs：Si / GaSb掺杂区域，其厚度约为GaSb：Be缓冲层厚度的两倍。 在一个实施方案中，光电二极管的特征在于具有InSb强制界面的InAs和GaSb的组成，该组合物适于用分子束外延反应器在GaSb晶片上生长。 本文还提供了在具有大约12μm的100％截止波长的II型InAs / GaSb超晶格光栅中优化量子效率的方法。

公开(公告)号：US20050116260A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10959270

申请日：2004-10-06

申请人： Manijeh Razeghi

发明人： Manijeh Razeghi

IPC分类号： G01J20060101 ,  G01J1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L29/06 ,  H01L29/768 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/0304 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/544

摘要： The subject invention comprises a type-II superlattice photon detector and focal planes array and method for making. The device may be either a binary or tertiary system with a type-II band alignment.

摘要翻译： 本发明包括II型超晶格光子检测器和焦平面阵列及其制造方法。 该装置可以是具有II型带对准的二进制或三级系统。

公开(公告)号：US06864552B2

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：US10347650

申请日：2003-01-21

申请人： Manijeh Razeghi

发明人： Manijeh Razeghi

IPC分类号： G01J20060101 ,  G01J1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L29/06 ,  H01L29/768 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/0304 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/544

摘要： The subject invention comprises a type-II superlattice photon detector and focal planes array and method for making. The device may be either a binary or tertiary system with a type-II band alignment.